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플라즈마 유기-금속 화학 증착법을 이용한 ｐ형 산화아연박막 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015139872
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 p형 산화아연 박막을 플라즈마 유기 금속 화학 증착법(Plasma enhanced Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)으로 제조하는 것으로, 기존의 p형 산화아연 박막 제조 방법 보다 플라즈마 영향으로 도핑되는 금속에 에너지를 공급하여 도핑이 용이하게 이루어져 낮은 온도와 대면적에 안정적으로 p형 산화 아연 박막을 제조할 수 있으므로 이를 활용하여 광소자로 응용성이 높다.p형 산화아연 반도체, 플라즈마 금속 유기 화학 기상 증착법(Plasma enhanced Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), 열처리
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020060093970 (2006.09.27)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0803950-0000 (2008.02.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.27)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김창균 대한민국 대전 유성구
2 이영국 대한민국 대전 유성구
3 정택모 대한민국 대전 유성구
4 안기석 대한민국 대전 유성구
5 이선숙 대한민국 대전 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0702037-65
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0040056-71
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0446023-79
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0742169-44
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.10.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0742197-12
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0034987-94
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
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번호 청구항
1 1
1) 기판을 반응기 내부에 도입하고 산소 소스와 알곤 가스를 함께 주입한 후 RF 파워를 인가하여 반응기 내부에 플라즈마를 형성하고 유지하는 단계; 2) 플라즈마가 유지되는 상기 반응기 내로 아연 전구체 및 도판트로서 5족 원소 전구체(precursor)를 주입하여 p형 산화아연 박막을 형성하는 단계; 및3) p형 산화아연 박막이 형성된 기판을 열처리 하는 단계;를 포함하는 플라즈마 유기-금속 화학 기상 증착법(Plasma enhanced Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)을 이용한 p형 산화아연 박막 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판, 산화아연 기판 또는 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 p형 산화아연 박막 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 5족 원소는 인(P), 비소(As) 또는 안티몬(Sb)인 것을 특징으로 하는 p형 산화아연 박막 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,산소 소스는 산소(O2), 일산화 질소(NO) 또는 이산화 질소(NO2)에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 p형 산화아연 박막 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,아연 전구체는 디에틸징크(DEZn) 또는 디메틸징크(DMZn)인 것을 특징으로 하는 p형 산화아연 박막 제조방법
6 6
제 1항에 있어서,p형 산화아연 반도체 박막 형성 시 기판의 온도는 200 내지 400℃인 것을 특징으로 하는 p형 산화아연 박막 제조방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 플라즈마 형성시 인가한 RF 파워 세기는 10 내지 200W 인 것을 특징으로 하는 p형 산화아연 박막 제조방법
8 8
제 1항에 있어서,열처리 온도는 300 내지 600℃인 것을 특징으로 하는 p형 산화아연 박막 제조방법
9 9
제 8항에 있어서,열처리는 아르곤(Ar) 또는 질소(N2)로부터 선택되는 비활성 기체 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 p형 산화아연 박막 제조방법
10 10
제 1 항 내지 제 9 항에서 선택되는 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 p형 산화아연 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.