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다결정실리콘의 제조방법과 그 장치

  • 기술번호 : KST2015139791
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다결정실리콘(polycrystalline silicon)의 제조방법과 그 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 유동층 반응기를 이용하여 입자형태의 다결정실리콘을 대량으로 생산하는데 있어 염화수소를 포함하는 에칭가스를 공급하는 노즐을 장착함으로서 반응가스 공급수단의 표면에 실리콘이 석출되어 누적되는 것을 효율적으로 방지하여 반응기를 연속적으로 운전할 수 있게 하는 다결정실리콘의 제조방법과 그 장치에 관한 것이다.다결정실리콘, 유동층 반응기, 석출, 반응가스, 에칭가스
Int. CL H01L 21/205 (2000.01)
CPC
출원번호/일자 1020010000237 (2001.01.03)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0411180-0000 (2003.12.02)
공개번호/일자 10-2002-0059172 (2002.07.12) 문서열기
공고번호/일자 (20031218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.01.03)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김희영 대한민국 대전광역시 유성구
2 박용기 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허상훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, 우리종합금융빌딩 **층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2001-0001576-71
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0007135-37
3 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.08.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0202347-36
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056808-28
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056800-64
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.09.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2002-0022145-31
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0408082-99
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2003-0012756-19
10 의견서
Written Opinion		 2003.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2003-0049785-99
11 대리인 선임 신고서
Notification of assignment of agent		 2003.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2003-0049791-63
12 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.02.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0049786-34
13 보정통지서
Request for Amendment		 2003.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2003-0011719-55
14 보정통지서
Request for Amendment		 2003.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2003-0015538-81
15 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2003.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2003-0082133-60
16 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2003.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2003-0110813-01
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2003.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0314662-78
18 명세서 등 보정서 (심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2003.10.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2003-0008723-69
19 등록결정서
Decision to grant		 2003.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0442593-39
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
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번호 청구항
1 1

가스분산기 상부에 형성되는 실리콘 입자들의 유동층에서 실리콘 원소를 함유하는 실란가스 성분을 1종 이상 함유하는 반응가스를 공급하면서 실리콘 입자를 유동시켜서 다결정실리콘을 제조함에 있어서,

상기 실란가스 성분을 포함하지 않는 에칭가스를 상기 가스분산기를 통해 공급하며,

상기 반응가스 공급을 위한 반응가스 노즐과 그 외부에서 상기 실란가스 성분을 포함하지 않으면서 염화수소를 포함하는 에칭가스의 공급을 위한 에칭가스 노즐을 동축의 2중관 형태가 되게 구성하여 이를 통해 반응가스와 에칭가스를 공급함과 동시에,

상기 반응가스 노즐의 출구와 상기 에칭가스 노즐의 출구 모두 상기 가스분산기보다 높게 위치되는 조건에서 상기 반응가스 노즐의 출구와 상기 에칭가스 노즐의 출구의 높이가 10~30mm 범위에서 서로 동일 높이 또는 다른 높이가 되게 위치시키며,

상기 반응가스 노즐과 상기 에칭가스 노즐을 통해 상기 반응가스와 상기 에칭가스를 각각 별도로 구별하여 주입하여 상기 에칭가스가 상기 반응가스 노즐의 출구의 표면에 석출되는 실리콘을 제거하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 에칭가스는 염화수소에 추가적으로 비활성가스를 혼합하여 사용하는 것임을 특징으로 하는 다결정실리콘의 제조방법

3 3

제 2 항에 있어서, 상기 염화수소는 폐가스로부터 분리되어 회수된 것임을 특징으로 하는 다결정실리콘의 제조방법

4 4

제 2 항에 있어서, 상기 비활성가스는 수소, 질소, 아르곤, 헬륨 중에서 선택된 1 종 이상을 사용하는 것임을 특징으로 하는 다결정실리콘의 제조방법

5 5

삭제
6 6

삭제
7 7

가스분산기를 가지는 유동가스 공급수단, 반응가스 노즐을 가지는 반응가스 공급수단이 구비된 유동층 반응기를 포함하는 다결정 실리콘의 제조장치에 있어서, 상기 반응가스 공급수단인 반응가스 노즐과 상기 반응가스 노즐의 출구쪽 표면에 에칭가스 공급을 위한 에칭가스 노즐이 동축의 2중관 형태로 장착되어 있되, 상기 반응가스 노즐의 출구와 상기 에칭가스 노즐의 출구 모두 상기 가스분산기보다 높게 위치되는 조건에서 반응가스 노즐의 출구와 에칭가스 노즐의 출구의 높이가 10~30mm 범위에서 서로 동일 높이 또는 다른 높이로 구성된 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 제조장치

8 8

제 5 항에 있어서, 반응가스 노즐과 에칭가스 노즐의 이중관 사이의 공간을 충전제로 충전되어 있는 것임을 특징으로 하는 다결정실리콘 제조장치

9 9

제 8 항에 있어서, 상기 충전제가 석영 및 산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4), 표면이 산화처리된 실리콘(Si) 또는 상기 성분이 코팅된 탄화규소(SiC) 또는 탄소(C)인 것임을 특징으로 하는 다결정실리콘 제조장치

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN1363417 CN 중국 FAMILY
2 EP01223145 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP03592660 JP 일본 FAMILY
4 JP14220219 JP 일본 FAMILY
5 US06541377 US 미국 FAMILY
6 US20020086530 US 미국 FAMILY
7 US20020102850 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN1172743 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1363417 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP1223145 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 JP2002220219 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP3592660 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2002086530 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US2002102850 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US6541377 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.