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태양전지 광활성층의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015140095
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지 광활성층의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명의 제조방법은 a) 구리 나노 입자;와 12족 내지 14족에서 하나 또는 둘 이상 선택된 원소의 칼코젠화합물 입자를 함유하는 잉크를 기판에 도포하여 도포막을 형성하는 단계; 및 b) 상기 도포막을 열처리하여 구리 및 12족 내지 14족에서 하나 또는 둘 이상 선택된 원소의 다원 칼코젠화합물 막을 제조하는 단계를 포함한다.
Int. CL C09D 11/00 (2006.01) H01B 1/22 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01)
CPC C09D 11/03(2013.01) C09D 11/03(2013.01) C09D 11/03(2013.01)
출원번호/일자 1020120038634 (2012.04.13)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1298026-0000 (2013.08.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130826) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.13)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정선호 대한민국 대전 유성구
2 서영희 대한민국 경기도 광명시 연서
3 조예진 대한민국 경기 안양시 동안구
4 최영민 대한민국 대전 서구
5 류병환 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0295754-43
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.02.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0025933-08
4 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0530418-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
구리 나노 입자;와 12족 내지 14족에서 하나 또는 둘 이상 선택된 원소의 칼코젠화합물 입자;를 함유하는 잉크
2 2
a) 구리 나노 입자;와 12족 내지 14족에서 하나 또는 둘 이상 선택된 원소의 칼코젠화합물 입자를 함유하는 잉크를 기판에 도포하여 도포막을 형성하는 단계; 및b) 상기 도포막을 열처리하여 구리 및 12족 내지 14족에서 하나 또는 둘 이상 선택된 원소의 다원 칼코젠화합물 막을 제조하는 단계를 포함하는 태양전지 광활성층의 제조방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 12족은 아연(Zn)를 포함하고, 상기 13족은 인듐 및 갈륨에서 하나 이상 선택되며, 상기 14족은 Sn을 포함하고, 칼코젠 원소는 황 및 셀레늄에서 하나 이상 선택되는 태양전지 광활성층의 제조방법
4 4
제 2항에 있어서,상기 칼코젠화합물 입자는 (InxGa1-x)4(SySe1-y)3, (InxGa1-x)(SySe1-y), (InxGa1-x)6(SySe1-y)7, (InxGa1-x)9(SySe1-y)11, (InxGa1-x)2(SySe1-y)3 및 (InxGa1-x)5(SySe1-y)7에서 하나 또는 둘 이상 선택된 입자(0 ≤ x ≤1인 실수, y는 0 ≤ y ≤1인 실수);를 포함하거나, Sn(SySe1-y), Sn2(SySe1-y)3 및 Sn(SySe1-y)2 에서 하나 또는 둘 이상 선택된 입자(y는 0 ≤ y ≤1인 실수) 및 Zn(SySe1-y) 입자(y는 0 ≤ y ≤1인 실수)를 포함하는 광활성층의 제조방법
5 5
제 2항에 있어서,상기 잉크에 함유된 12족 내지 14족에서 하나 또는 둘 이상 선택된 원소: 구리의 몰비는 1 : 0
6 6
제 2항에 있어서,상기 열처리는 400 내지 550℃에서 수행되는 태양전지 광활성층의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 열처리는 칼코젠 분위기에서 수행되는 태양전지 광활성층의 제조방법
8 8
제 2항에 있어서,상기 구리 나노입자는 구리 전구체, 산 및 아민을 포함하는 구리 전구체용액을 가열 및 교반한 후 환원제를 주입하여 제조되는 산 및 아민으로 캡핑(capping)된 구리 나노입자인 태양전지 광활성층의 제조방법
9 9
제 2항에 있어서,상기 열처리에 의해 단일 상(single phase)의 다원 칼코젠화합물이 형성되는 태양전지 광활성층의 제조방법
10 10
제 2항 내지 제 9항에서 선택된 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 태양전지 광활성층
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101395779 KR 대한민국 FAMILY
2 KR101395790 KR 대한민국 FAMILY
3 WO2013154374 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업기술연구회 한국화학연구원 협동연구사업 용액화학기반형 저가/고효율 CIGS 박막 태양전지 소재 및 잉크 기술개발
2 지식경제부 한국화학연구원 전략기술개발사업 다이렉트 나노패터닝용 반도체 잉크소재 개발(4)