맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

황화 니켈 박막의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015140251
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 a) 증착 챔버 내로 기판을 도입하는 단계; b) 상기 기판 상에 원자층 증착법으로 하기 화학식 1로 표시되는 니켈 전구체를 흡착하는 단계; c) 상기 흡착된 니켈 전구체를 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계; d) 상기 증착 챔버 내로 황 원을 유입시켜, 상기 기판에 흡착된 상기 니켈전구체와 교환 반응시켜 상기 기판 상에 황화 니켈 박막을 형성하는 단계; 및 e) 상기 황화 니켈 박막을 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계;를 포함하는 원자층 증착법을 이용한 황화 니켈 박막의 제조 방법에 관한 것이다.[화학식 1]본 발명의 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)을 이용한 황화 니켈 박막의 제조 방법에 의하여 황화 니켈 박막을 제조하는 경우, 금속층 두께의 조절이 용이하면서도 균일한 금속층을 형성하고, 기판 상에 금속층을 형성하는 온도를 상대적으로 낮출 수 있다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) C23C 16/448 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130050315 (2013.05.03)
출원인 한국화학연구원, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1521800-0000 (2015.05.14)
공개번호/일자 10-2014-0131474 (2014.11.13) 문서열기
공고번호/일자 (20150520) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.03)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박보근 대한민국 강원 원주시 남원로번길
2 김창균 대한민국 대전 유성구
3 정택모 대한민국 대전 유성구
4 성명모 대한민국 서울 서초구
5 한규석 대한민국 서울 영등포구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0394868-28
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0401685-35
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0957924-93
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0583922-66
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-1024074-29
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.11.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1145216-76
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-1145215-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 등록결정서
Decision to grant		 2015.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0283718-34
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 증착 챔버 내로 기판을 도입하는 단계;b) 상기 기판 상에 원자층 증착법으로 하기 화학식 1로 표시되는 니켈 전구체를 흡착하는 단계;c) 상기 흡착된 니켈 전구체를 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계;d) 상기 증착 챔버 내로 황 원을 유입시켜, 상기 기판에 흡착된 상기 니켈전구체와 교환 반응시켜 상기 기판 상에 황화 니켈 박막을 형성하는 단계; 및e) 상기 황화 니켈 박막을 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계;를 포함하는 원자층 증착법을 이용한 황화 니켈 박막의 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서,화학식 1에서 m이 1 또는 2임을 특징으로 하는 황화 니켈 박막의 제조 방법
3 3
청구항 2에 있어서,니켈 아미노알콕사이드가 하기 화학식 2의 화합물인 것을 특징으로 하는 황화 니켈 박막의 제조 방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 황 원은 황 또는 황화 수소로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 황화 니켈 박막의 제조 방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 황 원은 황화 수소인 것을 특징으로 하는 황화 니켈 박막의 제조 방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 기판은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 탄화규소(SiC), 유리 및 유기고분자로부터 선택되는 어느 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 황화 니켈 박막의 제조 방법
7 7
청구항 1에 있어서,기판의 온도를 80 내지 400℃ 범위에서 유지하는 것을 특징으로 하는 황화 니켈 박막의 제조 방법
8 8
청구항 7에 있어서,기판의 온도를 80 내지 200℃ 범위에서 유지하는 것을 특징으로 하는 황화 니켈 박막의 제조 방법
9 9
청구항 8에 있어서,기판의 온도를 80 내지 100℃ 범위에서 유지하는 것을 특징으로 하는 황화 니켈 박막의 제조 방법
10 10
청구항 1에 있어서,상기 b) 단계는 상기 니켈 전구체를 4초 이상 6초 이하의 주기로 공급하고,상기 d) 단계는 상기 황 원을 1초 이상 3초 이하의 주기로 공급하는 것을 특징으로 하는 황화 니켈 박막의 제조 방법
11 11
청구항 1에 있어서,b) 내지 e) 단계를 반복하여 수행하는 것을 특징으로 하는 황화 니켈 박막의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2014178686 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2014178686 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국화학연구원 미래기반기술개발사업 CVD/ALD 공정에 적합한 목적지향형 분자 전구체 설계 및 합성
2 미래창조과학부 한국화학연구원 기관고유사업 정보전자 산업용 전구체 개발