요약 | 본 발명은 연마 입자를 포함하는 CMP용 슬러리에 있어서, 상기 연마 입자는 유기 금속 알콕사이드를 사용하여 유기치환된 콜로이달 실리카를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리와, 유기치환된 콜로이달 실리카를 포함하는 연마 입자를 준비하는 단계, 상기 연마 입자를 수계 상태로 변환하는 단계 및 상기 연마 입자에 순수, 친수성화 첨가제 및 분산제를 혼합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리의 제조 방법을 제공한다. 상기 연마 입자는 졸-겔법을 사용하여 합성될 수 있다. 본 발명에 의하면 콜로이달 실리카의 표면 특성을 변화시켜 연마 입자의 물리적 특성을 제어하고, CMP 연마율을 확보하면서 스크래치를 최소화하여 우수한 연마 특성을 가진 슬러리를 제조할 수 있다. CMP, 슬러리, 콜로이달 실리카, ORMOSIL, 졸-겔법, 금속 알콕사이드 |
---|---|
Int. CL | H01L 21/304 (2006.01.01) B24B 37/00 (2006.01.01) C09K 3/14 (2006.01.01) B24B 57/02 (2006.01.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020050047646 (2005.06.03) |
출원인 | 주식회사 케이씨, 한양대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-0641348-0000 (2006.10.25) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20061103) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2005.06.03) |
심사청구항수 | 24 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 주식회사 케이씨 | 대한민국 | 경기도 안성시 |
2 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 백운규 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
2 | 박재근 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
3 | 김상균 | 대한민국 | 부산 사하구 |
4 | 김예환 | 대한민국 | 서울 송파구 |
5 | 서명원 | 대한민국 | 서울 강서구 |
6 | 김대형 | 대한민국 | 서울 강남구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 남승희 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울 성동구 |
2 | 주식회사 케이씨텍 | 경기도 안성시 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | 특허출원서 Patent Application |
2005.06.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2005-0296528-78 |
2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2005.06.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2005-0038008-57 |
3 | 서지사항보정서 Amendment to Bibliographic items |
2005.06.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2005-0306315-30 |
4 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2006.04.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
5 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2006.05.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-2006-0033963-68 |
6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2006.05.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0302791-37 |
7 | 명세서등보정서 Amendment to Description, etc. |
2006.07.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2006-0517680-18 |
8 | 의견서 Written Opinion |
2006.07.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0517681-53 |
9 | 등록결정서 Decision to grant |
2006.10.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0604195-30 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.03.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5037763-28 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.05.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5070900-17 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.11.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5176182-94 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.11.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5246687-07 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 연마 입자를 포함하는 CMP용 슬러리에 있어서,상기 연마 입자는 유기 금속 알콕사이드를 사용하여 유기치환된 콜로이달 실리카를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 |
2 |
2 청구항 1에 있어서,상기 연마 입자는 입자의 메디안 크기가 20 내지 150nm인 크기의 연마 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 |
3 |
3 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 연마 입자는 입자의 메디안 크기가 10 내지 120nm인 크기의 1차 입자를 포함하고, 상기 1차 입자는 입자의 메디안 크기가 10 내지 100nm인 크기의 결정립을 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 |
4 |
4 삭제 |
5 |
5 청구항 4에 있어서,상기 유기 금속 알콕사이드로는 메틸 트리메톡실레인(MTMS), 패닐 트리메톡실레인(PTMS) 및 비닐 트리메톡실레인(VTMS) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 |
6 |
6 청구항 1에 있어서,상기 연마 입자의 유기치환도가 0 |
7 |
7 청구항 1에 있어서,상기 슬러리는 친수성화 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 |
8 |
8 청구항 7에 있어서,상기 친수성화 첨가제는 알킬 에톡실레이트(alkyl ethoxylate), 직쇄 알킬벤젠 설포네이트(LAS), 알킬디케틸 아민 옥사이드 및 알킬 카르복시 베타인(alkyl carboxy betaine)중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 |
9 |
9 청구항 7 또는 청구항 8에 있어서,상기 친수성화 첨가제는 0 |
10 |
10 청구항 7 또는 청구항 8에 있어서,상기 친수성화 첨가제는 분자량이 2,000(g/mol) 내지 50,000(g/mol)인 폴리머를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 |
11 |
11 청구항 1에 있어서,상기 슬러리는 순수 및 고분자 분산제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 |
12 |
12 청구항 11에 있어서,상기 고분자 분산제는 폴리 에틸렌 글리콜(poly ethlyene glycol), 중합 양성 전해질(polyampholyte) 및 포타슘 노나논 산(potassum nonanoic acid) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 |
13 |
13 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,상기 고분자 분산제는 0 |
14 |
14 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,상기 고분자 분산제는 분자량이 2,000(g/mol) 내지 50,000(g/mol)인 폴리머를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 |
15 |
15 청구항 1에 있어서,상기 슬러리는 약산, 유기산 또는 약염기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 |
16 |
16 청구항 1에 있어서,상기 슬러리는 구리막 연마용 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 |
17 |
17 청구항 16에 있어서,상기 구리막 연마용 첨가제는 질소화물, 과산화수소수, 질산, 질산암묘늄, 질산철, 질산구리, 유기산 및 벤조트리아졸 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 |
18 |
18 유기 금속 알콕사이드를 사용하여 유기치환된 콜로이달 실리카를 포함하는 연마 입자를 준비하는 단계;상기 연마 입자를 수계 상태로 변환하는 단계 및 상기 연마 입자에 순수, 친수성화 첨가제 및 분산제를 혼합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리의 제조 방법 |
19 |
19 청구항 18에 있어서,상기 연마 입자는 졸-겔법을 사용하여 합성되는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리의 제조 방법 |
20 |
20 청구항 18 또는 청구항 19에 있어서,상기 연마 입자를 준비하는 단계는,유기 금속 알콕사이드에 유기 용매와 산을 첨가하여 유기치환된 콜로이달 실리카 입자를 합성시키는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리의 제조 방법 |
21 |
21 청구항 18 또는 청구항 19에 있어서,상기 연마 입자를 준비하는 단계는,가용성 금속 실리케이트 또는 금속 알콕사이드의 수용액에 산을 첨가하여 순수 콜로이달 실리카 입자를 합성시키는 단계 및상기 순수 콜로이달 실리카 입자에 유기 금속 알콕사이드를 첨가하여 교반하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리의 제조 방법 |
22 |
22 청구항 18에 있어서,상기 수계 상태로 변환하는 단계는 크로스 필터링법을 이용하는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리의 제조 방법 |
23 |
23 청구항 18에 있어서,상기 연마 입자에 순수, 친수성화 첨가제 및 분산제를 혼합시키는 단계 이후에,상기 혼합된 물질에 구리막 연마용 첨가제를 첨가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리의 제조 방법 |
24 |
24 청구항 1의 연마용 슬러리를 사용하여 소정의 기판을 연마하는 것을 특징으로 하는 기판의 연마 방법 |
25 |
25 청구항 24에 있어서,상기 소정의 기판은 구리, 질화탄탈 및 탄탈막이 형성된 것을 특징으로 하는 기판의 연마 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US08062547 | US | 미국 | FAMILY |
2 | US20070075291 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | CN1896172 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
2 | TW200716729 | TW | 대만 | DOCDBFAMILY |
3 | TWI343944 | TW | 대만 | DOCDBFAMILY |
4 | US2007075291 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
5 | US8062547 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
공개전문 정보가 없습니다 |
---|
특허 등록번호 | 10-0641348-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20050603 출원 번호 : 1020050047646 공고 연월일 : 20061103 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20061019 청구범위의 항수 : 24 유별 : H01L 21/304 발명의 명칭 : CMP용 슬러리와 이의 제조 방법 및 기판의 연마 방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 주식회사 케이씨 경기도 안성시 ... |
1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울 성동구... |
2 |
(권리자) 주식회사 케이씨텍 경기도 안성시 ... |
2 |
(의무자) 주식회사 케이씨 경기도 안성시 ... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 688,500 원 | 2006년 10월 26일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 568,000 원 | 2009년 10월 09일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 568,000 원 | 2010년 09월 02일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 568,000 원 | 2011년 09월 19일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 1,012,000 원 | 2012년 10월 11일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 1,012,000 원 | 2013년 09월 10일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 1,012,000 원 | 2014년 09월 02일 | 납입 |
제 10 년분 | 금 액 | 1,560,000 원 | 2015년 10월 01일 | 납입 |
제 11 년분 | 금 액 | 1,560,000 원 | 2016년 09월 28일 | 납입 |
제 12 년분 | 금 액 | 1,560,000 원 | 2017년 10월 25일 | 납입 |
제 13 년분 | 금 액 | 840,000 원 | 2018년 10월 04일 | 납입 |
제 14 년분 | 금 액 | 840,000 원 | 2019년 10월 01일 | 납입 |
제 15 년분 | 금 액 | 840,000 원 | 2020년 10월 05일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | 특허출원서 | 2005.06.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2005-0296528-78 |
2 | 보정요구서 | 2005.06.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2005-0038008-57 |
3 | 서지사항보정서 | 2005.06.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2005-0306315-30 |
4 | 선행기술조사의뢰서 | 2006.04.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
5 | 선행기술조사보고서 | 2006.05.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-2006-0033963-68 |
6 | 의견제출통지서 | 2006.05.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0302791-37 |
7 | 명세서등보정서 | 2006.07.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2006-0517680-18 |
8 | 의견서 | 2006.07.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0517681-53 |
9 | 등록결정서 | 2006.10.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0604195-30 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.03.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5037763-28 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.05.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5070900-17 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.11.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5176182-94 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.11.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5246687-07 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1350005096 |
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세부과제번호 | 2004-04536 |
연구과제명 | 고성능나노SOI공정기술개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
연구주관기관명 | 한양대학교 |
성과제출연도 | 2006 |
연구기간 | 200206~200706 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
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