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기준 웨이퍼 상에 절연층을 형성하는 단계;결합 웨이퍼 상에 상기 결합 웨이퍼보다 격자 상수가 큰 버퍼층을 형성하는 단계;트리트먼트 공정을 실시하여 상기 버퍼층의 결함을 치유하는 단계;고온 열처리 공정을 통해 상기 버퍼층 표면을 평탄화하는 단계;상기 버퍼층 상에 스트레인드 실리콘을 형성하는 단계;상기 결합 웨이퍼 내에 불순물 이온층을 형성하는 단계;상기 기준 웨이퍼의 절연층과 상기 결합 웨이퍼의 스트레인드 실리콘을 결합하는 단계;열처리 공정을 통해 상기 결합 웨이퍼의 불순물 이온층 부분을 벽개하는 단계; 및상기 스트레인드 실리콘층 상의 잔류하는 상기 결합 웨이퍼 및 상기 버퍼층을 제거하는 단계를 포함하는 에스오아이 웨이퍼 제조 방법
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기준 웨이퍼 상에 절연층을 형성하는 단계;결합 웨이퍼 상에 상기 결합 웨이퍼보다 격자 상수가 큰 버퍼층을 형성하는 단계;트리트먼트 공정을 실시하여 상기 버퍼층의 결함을 치유하는 단계;고온 열처리 공정을 통해 상기 버퍼층 표면을 평탄화하는 단계;상기 결합 웨이퍼 내에 불순물 이온층을 형성하는 단계;상기 기준 웨이퍼의 절연층과 상기 결합 웨이퍼의 상기 버퍼층을 결합하는 단계;열처리 공정을 통해 상기 결합 웨이퍼의 불순물 이온층 부분을 벽개하는 단계; 상기 버퍼층 상에 잔류하는 결합 웨이퍼를 제거하는 단계; 및상기 버퍼층 상에 스트레인드 실리콘층을 형성하는 단계를 포함하는 에스오아이 웨이퍼 제조 방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 트리트먼트 공정은, 상기 버퍼층에 5×1014atoms/㎠ 내지 5×1016atoms/㎠ 도즈량의 수소 이온을 주입하는 단계; 및600 내지 1000도의 온도 범위에서 3초 내지 40분간 열처리를 실시하는 단계를 포함하는 에스오아이 웨이퍼 제조 방법
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청구항 3에 있어서,상기 열처리는 노를 이용하여 700 내지 900도의 온도에서 20 내지 40분간 실시하거나, RTP를 이용하여 800 내지 1000도의 온도에서 3 내지 30초간 실시하되, 질소 분위기 하에서 실시하는 에스오아이 웨이퍼 제조 방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 고온 열처리 공정은 수소 가스 분위기에서 실시하되, 노를 이용하여 약 900 내지 1000도의 온도에서 20 내지 40분간 실시하거나, RTP를 이용하여 1000 내지 1200도의 온도에서 3 내지 50초간 실시하는 에스오아이 웨이퍼 제조 방법
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6
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 버퍼층으로 그 내부에 Si보다 격자가 큰 Ge가 함유된 SiGe층를 사용하는 에스오아이 웨이퍼 제조 방법
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7
청구항 6에 있어서, 상기 SiGe층 내부의 Ge 농도는 20at% 내지 30at% 범위 내에서 조정되거나, 상기 SiGe층의 높이가 높아질수록 Ge의 농도가 0at% 내지 40at%범위 내에서 증가되는 에스오아이 웨이퍼 제조 방법
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8
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 불순물 이온층으로 수소 이온을 사용하고, 수소 이온층은 상기 결합 웨이퍼의 표면과 인접한 내부 영역에 형성된 에스오아이 웨이퍼 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 스트레인드 실리콘층 상의 상기 버퍼층 및 잔류하는 상기 결합 웨이퍼를 제거하는 단계는, 제 1 식각 공정을 실시하여 잔류하는 상기 결합 웨이퍼를 제거하는 단계; 및제 2 식각 공정을 실시하여 상기 버퍼층을 제거하고, 상기 스트레인 실리콘층을 평탄화하는 단계를 포함하는 에스오아이 웨이퍼 제조 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 제 1 식각 공정은 TMAH를 사용하고, 상기 제 2 식각 공정은 SC-1을 사용하는 에스오아이 웨이퍼 제조 방법
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청구항 2에 있어서, 상기 버퍼층 상에 잔류하는 결합 웨이퍼를 제거하는 단계는, 습식 식각을 실시하여 결합 웨이퍼를 제거하고, 버퍼층을 평탄화하는 에스오아이 웨이퍼 제조 방법
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