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실리콘 기판 상에 측벽 산화막과 질화막을 형성하고,상기 실리콘 기판, 측벽 산화막, 및 질화막을 식각하여 트렌치를 형성하고,상기 트렌치 내부에 실리콘 기판과 연결되도록 선택적 에피택셜 성장방법으로 실리콘을 일정 높이만큼 수직 성장시키고,상기 실리콘을 포함하도록 트렌치 내부를 필드 산화막으로 갭 필링하는 단계를 포함하여 제조하는 반도체 소자 제조시,상기 트렌치 내부에 선택적 산화막 성장법(SELOX)으로 산화막을 성장시킨 후 에치백 공정을 통해 필드 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 선택적 산화막 성장법은 600 내지 900℃에서 인 시튜(in-situ)로 오존, TEOS(Tetra Ortho Silicate) 가스, N2, PH3, BCl3 및 이들의 조합 가스를 흘려주어 트렌치 내부에 절연 물질은 증착시킨 후, 열처리하는 단계를 포함하는 것인 반도체 소자의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 증착은 CVD(Chemical Vapor Deposition), PECVD(Plasma Enhanced CVD), 및 고밀도 플라즈마 화학기상증착 공정(High Density Plasma Chemical Vapor Deposition process)으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 방법으로 수행하는 것인 반도체 소자의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 필드 산화막은 Ozone activated TEOS(tetraethly orthosilicate) 막, Ozone TEOS-PSG(tetraethly orthosilicate-phospho-silicate-glass) 막, Ozone TEOS-BPSG(tetraethly orthosilicate-boro-phospho-silicate-glass) 막, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 반도체 소자의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 열처리는 산소, 또는 산소를 포함하는 공기를 주입하는 산화성 분위기 하에서 300 내지 900 ℃의 온도에서 수행하는 것인 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 에치백 공정은 질화막이 노출될 때까지 수행하는 것인 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 에치백 공정은 습식식각법 또는 건식식각법으로 수행하는 것인 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 소자는소자 분리를 위한 트렌치가 형성된 실리콘 기판;상기 실리콘 기판의 트렌치 내부에 형성된 측벽 산화막;상기 측벽 산화막 상에 형성된 질화막;상기 질화막과 접하며 트렌치 내부에 매립되도록 실리콘 기판과 연결되어 수직 성장된 실리콘; 및상기 실리콘 형성 영역을 제외한 트렌치 내부를 갭 필링 하도록 형성된 필드 산화막을 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 소자는소자 분리를 위한 트렌치가 형성된 실리콘 기판;상기 실리콘 기판의 트렌치 내부에 형성된 측벽 산화막;상기 측벽 산화막 상에 형성된 질화막;상기 질화막 상에 형성된 산화막;상기 산화막과 접하며 트렌치 내부에 실리콘 기판과 연결되어 수직 성장된 실리콘;상기 실리콘을 둘러싸며 트렌치 내부에 형성된 실리콘 옥사이드; 및상기 실리콘 및 실리콘 옥사이드 형성 영역을 제외한 트렌치 내부를 갭 필링 하도록 형성된 필드 산화막을 포함하는 것인 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 소자는소자 분리를 위한 트렌치가 형성된 실리콘 기판;상기 실리콘 기판의 트렌치 내부에 형성된 측벽 산화막;상기 측벽 산화막 상에 형성된 질화막;상기 질화막과 접하며 트렌치 내부에 매립되도록 실리콘 기판으로부터 질화막 상에 수직 성장된 실리콘 나노 와이어; 및상기 수직 성장된 실리콘 나노 와이어를 포함하여 갭 필링 하도록 형성된 필드 산화막을 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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