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금속 미세 패턴의 상부가 노출되며, 편평한 기판 표면을 갖도록
a) 플라스틱 기판 상에 포토리소그래피 공정과 리프트 오프 방식으로 박막 형태의 돌출된 금속 미세 패턴을 형성하는 단계, 및
b) 상기 플라스틱 기판을 가열 및 가압하여 돌출된 금속 미세 패턴을 임프린팅 공정을 이용하여 플라스틱 기판 내로 매립시키는 단계를 포함하고,
상기 가열은 플라스틱 기판 재질의 고분자의 Tg±10 ℃가 되도록 수행하는 것인 플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성방법
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제1항에 있어서,
상기 플라스틱 기판은 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에틸렌에테르 프탈레이트(polyethylene ether phthalate), 폴리에틸렌 프탈레이트(polyethylene phthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리부틸렌 프탈레이트(polybuthylene phthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리에테르이미드(polyether imide), 폴리에테르술폰(polyether sulfone), 폴리디메틸실록산(polydimethyl siloxane; PDMS), 폴리이미드 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 재질을 포함하는 것인 플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성방법
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제1항에 있어서,
상기 가압은 편평한 표면 또는 금속 미세 패턴과 동등한 패턴이 형성된 몰드를 이용하여 인가하는 것인 플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성방법
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제1항에 있어서,
상기 단계 b) 이전에 플라스틱 기판 상에 점착 방지층을 위치시키는 것인 플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성방법
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제5항에 있어서,
상기 점착 방지층은 Teflon AF®, Cytop®, Aauaphobe CF®, KP-801 M®, 및 이들의 혼합물로 이루어진 불소(Fluorine) 계열 화합물, 카본(Carbon) 계열 화합물 또는 이들의 혼합물 중에서 선택된 1종을 포함하는 것인 플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성방법
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제1항에 있어서,
추가로 단계 b) 이후 화학적 기계적 연마 공정(CMP)에 의한 평탄화 공정을 수행하는 것인 플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성방법
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