요약 | 본 발명은 유독가스가 발생하지 않으며, 잔여물에 의한 오염도 없고, 부식이 발생하지 않으면서 주변 물질과의 선택비(selectivity)를 확보할 수 있는 루테늄의 연마를 위한 슬러리 및 주변물질과의 높은 선택비를 얻으면서 높은 연마율을 확보할 수 있는 루테늄막의 연마 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 루테늄연마용 슬러리는 증류수, 과요오드산나트륨, 연마제(알루미나) 및 pH 조절제(pH 조절제의 첨가에 의해 pH가 5.5∼6.5 범위가 됨)를 포함하고, 상술한 본 발명은 산화제로서 과요오드산나트륨을 적용하여 루테늄을 연마하므로써, 루테늄의 높은 연마율과 함께 산화막 대비 루테늄의 우수한 선택비를 얻고 동시에 연마특성을 개선시킬 수 있으며 우수한 소자 분리 공정에 기여할 수 있다. 슬러리, 루테늄, CMP, 과요오드산나트륨, 알루미나 |
---|---|
Int. CL | C09G 1/02 (2006.01.01) C09K 3/14 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01) |
CPC | C09G 1/02(2013.01) C09G 1/02(2013.01) C09G 1/02(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020070113859 (2007.11.08) |
출원인 | 에스케이하이닉스 주식회사, 한양대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-0980607-0000 (2010.09.01) |
공개번호/일자 | 10-2009-0047815 (2009.05.13) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20100907) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2007.11.08) |
심사청구항수 | 11 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 대한민국 | 경기도 이천시 |
2 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 박형순 | 대한민국 | 경기도 이천시 |
2 | 김진웅 | 대한민국 | 서울특별시 강동구 |
3 | 곽노정 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
4 | 최용수 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
5 | 신종한 | 대한민국 | 서울특별시 강동구 |
6 | 유철휘 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
7 | 박점용 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
8 | 김성준 | 대한민국 | 경기도 이천시 |
9 | 박진구 | 대한민국 | 경기도 안산시 상록구 |
10 | 김인권 | 대한민국 | 경기도 안산시 상록구 |
11 | 권태영 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 신성특허법인(유한) | 대한민국 | 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 대한민국 | 경기도 이천시 |
2 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 경기도 안산시 상록구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2007.11.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0803083-81 |
2 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2007.11.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-5089762-53 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.03.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5037763-28 |
4 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.04.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
5 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.05.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0025937-17 |
6 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2008.06.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0453907-77 |
7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2009.09.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0397836-12 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.11.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0724596-84 |
9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.11.25 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0724594-93 |
10 | 최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal |
2010.03.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0099117-15 |
11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.05.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0293680-47 |
12 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.05.07 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2010-0293679-01 |
13 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.08.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0350112-54 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.04.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5073964-60 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5270171-92 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.04.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5055330-26 |
19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 증류수, 0 |
2 |
2 삭제 |
3 |
3 삭제 |
4 |
4 제1항에 있어서, 상기 pH 조절제는, 산성조절제 또는 염기성조절제를 포함하는 루테늄 연마용 슬러리 |
5 |
5 제4항에 있어서, 상기 산성 조절제는, 염산(HCl), 질산(HNO3), 황산(H2SO4) 또는 인산(H3PO4)을 포함하는 루테늄 연마용 슬러리 |
6 |
6 제4항에 있어서, 상기 염기성 조절제는, 수산화암모늄(NH4OH), 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH), 테트라메틸아민하이드록사이드(TMAH) 또는 테트라메틸아민(TMA)을 포함하는 루테늄 연마용 슬러리 |
7 |
7 삭제 |
8 |
8 삭제 |
9 |
9 삭제 |
10 |
10 삭제 |
11 |
11 표면에 요부를 갖는 절연막 위에 루테늄막을 형성하는 단계; 및 증류수, 0 |
12 |
12 삭제 |
13 |
13 제11항에 있어서, 상기 pH 조절제는, 산성조절제 또는 염기성조절제를 포함하는 루테늄막의 연마방법 |
14 |
14 제13항에 있어서, 상기 산성 조절제는, 염산(HCl), 질산(HNO3), 황산(H2SO4) 또는 인산(H3PO4)을 포함하는 루테늄막의 연마 방법 |
15 |
15 제13항에 있어서, 상기 염기성 조절제는, 수산화암모늄(NH4OH), 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH), 테트라메틸아민하이드록사이드(TMAH) 또는 테트라메틸아민(TMA)을 포함하는 루테늄막의 연마 방법 |
16 |
16 삭제 |
17 |
17 삭제 |
18 |
18 삭제 |
19 |
19 삭제 |
20 |
20 제11항에 있어서, 상기 절연막은 산화막을 포함하는 루테늄막의 연마 방법 |
21 |
21 제20항에 있어서, 상기 산화막은 테트라에틸오소실리케이트(TEOS)를 포함하는 루테늄막의 연마 방법 |
22 |
22 제11항에 있어서, 상기 연마후에 상기 절연막의 요부 내부에 잔류하는 루테늄막은 캐패시터의 전극이 되는 루테늄막의 연마 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US20090124082 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US2009124082 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-0980607-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20071108 출원 번호 : 1020070113859 공고 연월일 : 20100907 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100812 청구범위의 항수 : 11 유별 : C09K 3/14 발명의 명칭 : 루테늄 연마용 슬러리 및 그를 이용한 연마 방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 에스케이하이닉스 주식회사 경기도 이천시... |
1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울 성동구... |
2 |
(의무자) 한양대학교 산학협력단 서울 성동구... |
2 |
(권리자) 한양대학교 에리카산학협력단 경기도 안산시 상록구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 474,000 원 | 2010년 09월 02일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 282,000 원 | 2013년 08월 22일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 282,000 원 | 2014년 08월 22일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 282,000 원 | 2015년 08월 24일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 518,000 원 | 2016년 08월 22일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 518,000 원 | 2017년 08월 24일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 518,000 원 | 2018년 08월 22일 | 납입 |
제 10 년분 | 금 액 | 845,000 원 | 2019년 08월 26일 | 납입 |
제 11 년분 | 금 액 | 845,000 원 | 2020년 08월 26일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2007.11.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0803083-81 |
2 | [출원서등 보정]보정서 | 2007.11.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-5089762-53 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.03.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5037763-28 |
4 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.04.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
5 | 선행기술조사보고서 | 2008.05.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0025937-17 |
6 | [출원서등 보정]보정서 | 2008.06.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0453907-77 |
7 | 의견제출통지서 | 2009.09.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0397836-12 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.11.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0724596-84 |
9 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.11.25 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0724594-93 |
10 | 최후의견제출통지서 | 2010.03.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0099117-15 |
11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.05.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0293680-47 |
12 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.05.07 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2010-0293679-01 |
13 | 등록결정서 | 2010.08.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0350112-54 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.04.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5073964-60 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5270171-92 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.04.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5055330-26 |
19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1345136349 |
---|---|
세부과제번호 | 과C6A2605 |
연구과제명 | 바이오나노융합기술산업화인력양성사업단 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한양대학교 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기타 |
6T분류명 | 기타 |
[1020100122681] | 중합효소 연쇄반응용 마이크로 바이오칩 및 이를 이용한 DNA 추출 방법 | 새창보기 |
---|---|---|
[1020100113798] | 초정밀제어 스테이지 | 새창보기 |
[1020100068936] | 전기화학식 가스 센서 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
[1020100063863] | 약물 담지 미립구의 제조 방법 및 장치와 이를 이용하여 제조된 전립선 비대증 치료용 제제 | 새창보기 |
[1020100049826] | 고체산화물 전해질, 이를 포함하는 고체산화물 연료전지 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[1020100046498] | 바이오칩 및 그 제조 방법, 이를 이용한 분석 대상 물질 검출 방법 | 새창보기 |
[1020100003562] | 복합체 나노튜브를 포함하는 고체산화물 연료전지 및 복합체 나노튜브의 제조방법 | 새창보기 |
[1020080045926] | 하이브리드형 복합 입자를 이용한 다공성 니켈 멤브레인의 제조방법 | 새창보기 |
[1020070122990] | 표면 개질형 나노선 센서 및 그 제작 방법 | 새창보기 |
[1020070113859] | 루테늄 연마용 슬러리 및 그를 이용한 연마 방법 | 새창보기 |
[KST2014003183][광주테크노파크] | 회절격자 제작을 위한 습식 식각장치 | 새창보기 |
---|---|---|
[KST2014003788][전남대학교] | 반도체 영역의 선택적 식각방법, 반도체층의 분리방법 및 반도체소자를 기판으로부터 분리하는 방법 | 새창보기 |
[KST2014010230][성균관대학교] | 기판의 고속 박층화 장치 및 방법 | 새창보기 |
[KST2016008951][한국생산기술연구원] | 제트 스크러빙 공정에 사용되는 알루미나 조성물(ALUMINA COMPOSITION FOR JET SCRUBBING PROCESS) | 새창보기 |
[KST2016007477][한국전자기술연구원] | 태양전지 웨이퍼 재자원화를 위한 화학적-기계적 식각 방법(A CHEMICAL AND MECHNICAL ETCHING METHOD FOR REUSE A SOLAR CELL) | 새창보기 |
[KST2014027749][한양대학교 에리카캠퍼스] | 전도성 폴리머 패터닝 방법 | 새창보기 |
[KST2014009451][인하대학교] | 글래스 내의 패턴을 선택적으로 에칭하는 방법 | 새창보기 |
[KST2019012319][광주과학기술원] | 저유전 물질을 포함하는 전자 소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2014020821][] | 샤워헤드를 구비한 반도체 소자 제조 장비 | 새창보기 |
[KST2019012080][성균관대학교] | 2차원 맥세인 박막의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2019012063][인하대학교] | 구리 박막의 건식 식각방법 | 새창보기 |
[KST2014003216][광주테크노파크] | 혼합가스를 이용한 INP 박막의 식각 방법 | 새창보기 |
[KST2019001845][영남대학교] | 초 소수성 표면 제작 방법 | 새창보기 |
[KST2014018890][한국과학기술연구원] | 연료 프로세서용 가스 분배 판, 상기 가스 분배 판을 포함하는 가스 분배 장치 및 가스 분배 방법 | 새창보기 |
[KST2014063170][한국기초과학지원연구원] | 도파관 연결방식의 리지타노 코일안테나 | 새창보기 |
[KST2014007819][대덕특구지원본부] | 단분산 입자를 마스크로 이용하는 자성금속 점 정렬 형성방법 | 새창보기 |
[KST2014013916][광주과학기술원] | 질소 - 함유 기체의 플라즈마를 이용하여 건식 식각된 질화물 반도체의 표면을 처리하는 방법 | 새창보기 |
[KST2014022519][한국광기술원] | 산화 확산 및 제거에 의한 실리콘 식각면 개질 방법 | 새창보기 |
[KST2014010404][경기기술이전센터] | 금속 CMP 슬러리 조성물 | 새창보기 |
[KST2015011228][세종대학교] | 플라즈마 입자 모니터링 장치 및 방법 | 새창보기 |
[KST2015011747][성균관대학교] | 원자층 식각을 이용한 III-V MOS devices 의 interface passivation layer 인 BeO 에 대한 저손상 식각 공정 | 새창보기 |
[KST2019012185][한국과학기술원] | 실크 피브로인과 호환되는 하드 마스크와 이의 식각액을 이용한 패터닝 방법 | 새창보기 |
[KST2019011177][한국과학기술연구원] | 반도체 반응기 및 반도체 반응기용 금속모재의 코팅층 형성방법 | 새창보기 |
[KST2016014629][한국기계연구원] | 규칙적으로 배열되는 나노채널이 형성된 구조물 제조방법(METHOD FOR MANUFACTURING STRUCTURE FORMED REGULARLY ARRANGED NANO CHANNEL) | 새창보기 |
[KST2014003667][인하대학교] | 인듐옥사이드-징크옥사이드의 건식 식각 방법 | 새창보기 |
[KST2014008806][연세대학교] | 자기유변연마공정에 적용되는 자화가능한 고경도의 연마제 및 그에 따른 연마공정 | 새창보기 |
[KST2015012195][성균관대학교] | 폴리스티렌/실리카 복합체를 포함하는 연마재, 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2014013911][광주과학기술원] | 질화갈륨 고 (高) 선택비의 이방성 건식 식각 방법 | 새창보기 |
[KST2015012196][성균관대학교] | 폴리스티렌/실리카 복합체를 포함하는 연마재, 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2019004177][한국전력공사] | 선택영역 성장법을 이용한 기판 재활용 방법 | 새창보기 |
심판사항 정보가 없습니다 |
---|