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태양전지용 광흡수층 제조방법, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015141449
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지용 광흡수층 제조방법, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 의한 태양전지용 광흡수층 제조방법은 광흡수 물질의 양용매 및 빈용매에서의 용해도 차이를 이용하여 나노응집체가 자발 형성됨으로써 엑시톤의 재결합을 감소시켜 양극 및 음극으로 이동하는 전하의 수송 효율을 높일 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 태양전지는 나노응집체의 배열로 인해 광흡수층의 표면에 요철 구조가 형성됨으로써 광흡수층과 전자 수송층의 접합 계면의 면적을 증가시켜 광전류 및 광전 변환 효율 특성이 향상된다. 그리고, 본 발명에 의한 태양전지의 제조방법은 코팅 또는 프린팅 등의 용액 공정을 사용함으로써 간단하고 용이하게 대면적, 고효율의 태양전지를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020110072687 (2011.07.21)
출원인 한양대학교 산학협력단, 주식회사 탑 엔지니어링
등록번호/일자 10-1244112-0000 (2013.03.08)
공개번호/일자 10-2013-0011503 (2013.01.30) 문서열기
공고번호/일자 (20130318) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.21)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 주식회사 탑 엔지니어링 대한민국 경상북도 구미시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 강남구
2 추동철 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 김대훈 대한민국 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
2 주식회사 탑 엔지니어링 경상북도 구미시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0565352-79
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.11.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5227964-48
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.25 수리 (Accepted) 9-1-2012-0051128-80
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0520914-11
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0888167-05
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0888178-07
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0157956-47
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.05 수리 (Accepted) 4-1-2013-5054599-42
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.26 수리 (Accepted) 4-1-2013-5158432-43
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
양용매, 광흡수 물질 및 빈용매가 포함된 혼합 용액을 준비하는 단계;상기 혼합 용액을 교반하여 상기 혼합 용액 내에 상기 양용매와 빈용매에 대한 상기 광흡수 물질의 용해도 차이에 따라, 자발 형성된 나노응집체를 포함하는 조성물을 수득하는 단계;상기 나노응집체를 포함하는 조성물을 태양전지용 전극 또는 정공 수송층 상에 도포하는 단계; 및상기 도포된 조성물을 열처리하여, 표면 내에 요철 구조를 가지는 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지용 광흡수층 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 광흡수 물질은 광흡수 유기물 및 무기물 중에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 태양전지용 광흡수층 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 광흡수 유기물은 유기 반도체 물질 및 인광 물질 중에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 태양전지용 광흡수층 제조방법
4 4
제2항에 있어서,상기 광흡수 무기물은 무기 반도체 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광흡수층 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 양용매 및 상기 빈용매 중 어느 하나는 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 클로로포름, 톨루엔 및 헥산으로 구성되는 군으로부터 선택되고, 나머지 하나는 PGMEA, 에틸렌 글리콜, 테트라에톡시실란, 디부틸 에테르, 디메틸포름아미드, 자일렌, 물, 메탄올, 에탄올 및 프로판올로 구성되는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광흡수층 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 나노응집체는 무기 반도체 물질이거나, 유기 반도체 물질과 인광 물질의 조합이거나, 또는 유기 반도체 물질과 무기 반도체 물질의 조합인 것을 특징으로 하는 태양전지용 광흡수층 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 도포는 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 딥 코팅, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 그라비아 프린팅 또는 오프셋 프린팅을 포함하는 용액 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광흡수층 제조방법
8 8
제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성되며, 광흡수 물질을 포함하는 광흡수층;상기 광흡수층 상에 형성된 전자 수송층; 및상기 전자 수송층 상에 형성된 제2 전극을 포함하고,상기 광흡수층은 하부 박막층과, 상기 하부 박막층의 상부에 수직방향으로 돌출 형성된 나노응집체들을 포함하여 표면 내에 요철 구조를 가지며, 상기 전자 수송층은 상기 나노응집체들 사이의 공간을 채우며 상기 나노응집체들을 덮도록 형성되고,상기 나노응집체들은 상기 광흡수 물질의 양용매 및 빈용매에서의 용해도 차이에 따라 자발 형성되는 태양전지
9 9
제8항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 광흡수층 사이에 개재되는 정공 수송층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
10 10
제8항에 있어서,상기 전자 수송층과 상기 제2 전극 사이에 개재되는 전자 주입층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
11 11
제8항에 있어서,상기 광흡수 물질은 광흡수 유기물 및 무기물 중에서 선택되는 적어도 어느 하나인 특징으로 하는 태양전지
12 12
제11항에 있어서,상기 광흡수 유기물은 유기 반도체 물질 및 인광 물질 중에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 태양전지
13 13
제11항에 있어서,상기 광흡수 무기물은 무기 반도체 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
14 14
제8항에 있어서,상기 나노응집체들은 무기 반도체 물질이거나, 유기 반도체 물질과 인광 물질의 조합이거나, 또는 유기 반도체 물질과 무기 반도체 물질의 조합인 것을 특징으로 하는 태양전지
15 15
기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 요철이 형성된 표면을 가지는 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광흡수층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계; 및상기 전자 수송층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 광흡수층은 하부 박막층과, 상기 하부 박막층의 상부에 수직방향으로 돌출 형성된 나노응집체들을 포함하여 표면 내에 요철이 형성되고, 상기 나노응집체들은 상기 광흡수 물질의 양용매 및 빈용매에서의 용해도 차이에 따라 자발 형성되는 태양전지 제조방법
16 16
제15항에 있어서,기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계 및 상기 제1 전극 상에 광흡수층을 형성하는 단계 사이에 정공 수송층을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지 제조방법
17 17
제15항에 있어서,상기 광흡수층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계 및 상기 전자 수송층 상에 제2 전극을 형성하는 단계 사이에 전자 주입층을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지 제조방법
18 18
제15항에 있어서,상기 제1 전극 상에 표면에 요철을 가지는 광흡수층을 형성하는 단계는,양용매, 광흡수 물질, 빈용매가 포함된 혼합 용액을 준비하는 단계;상기 혼합 용액을 교반하여 상기 혼합 용액 내에 나노응집체가 자발 형성된 조성물을 수득하는 단계;상기 나노응집체가 포함된 조성물을 제1 전극 상에 도포하는 단계; 및상기 도포된 조성물을 열처리하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법
19 19
제18항에 있어서,상기 도포는 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 딥 코팅, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 그라비아 프린팅 또는 오프셋 프린팅을 포함하는 용액 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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1 WO2013012271 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2013012271 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2013012271 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2013012271 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 민간기업체 한양대학교 산학협력단 산업체 위탁연구비(산업체 위탁연구비) 반도체 양자점을 사용한 유기발광소자 개발