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기판 상에 위치하는 제1 전극;상기 제1 전극 상에 위치하는 제1 전하 장벽층;상기 제1 전하 장벽층 상에 위치하고, 고분자 매트릭스 및 상기 고분자 매트릭스에 분산된 전하 포획 나노입자를 포함하는 유기 활성층; 및상기 유기 활성층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전하 장벽층은 Al2O3, Si3N4, TiO2, MgO, Ga2O3, Ba(Zr1-xTix)O3(0≤x≤1)및 Pb(Zr1-xTix)O3(0≤x≤1) 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
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제1항에 있어서,상기 고분자 매트릭스는 폴리비닐카바졸, 폴리스티렌, 폴리이미드, 폴리비닐피롤리돈, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리포스파젠, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리파라페닐렌, 폴리아세틸렌, 폴리설퍼나이트라이드, 폴리파라페닐렌비닐렌, 폴리프로필렌, 폴리비닐리덴플루오라이드, 폴리이소프렌, 폴리비닐아세테이트, 폴리우레탄, 폴리메틸메타크릴레이트 및 이들의 2 이상의 공중합체 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
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제1항에 있어서,상기 전하 포획 나노입자는 플러렌 및 플러렌 유도체 중에서 선택되는 적어도 어느 하나인 비휘발성 유기 쌍안정성 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전하 장벽층은 Al2O3층이고,상기 유기 활성층은 폴리메틸메타크릴레이트 매트릭스에 분산된 플러렌을 포함하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
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제1항에 있어서,상기 유기 활성층과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 제2 전하 장벽층을 더 포함하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
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제6항에 있어서,상기 제2 전하 장벽층은 Al2O3, Si3N4, TiO2, MgO, Ga2O3, Ba(Zr1-xTix)O3(0≤x≤1)및 Pb(Zr1-xTix)O3(0≤x≤1) 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
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제1 전극이 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 제1 전극 상에 제1 전하 장벽층을 형성하는 단계;상기 제1 전하 장벽층 상에 전하 포획 나노입자가 분산된 고분자 용액을 코팅하여 유기 활성층을 형성하는 단계; 및상기 유기 활성층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
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제8항에 있어서,상기 제1 전하 장벽층을 형성하는 단계는 열 증착법에 의해 수행하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
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제8항에 있어서,상기 유기 활성층을 형성하는 단계는 스핀 코팅법에 의해 수행하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
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제8항에 있어서,상기 제2 전극을 형성하기 전에 상기 유기 활성층 상에 제2 전하 장벽층을 형성하는 단계를 더 포함하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
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