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이종접합 나노입자 제조방법, 이종접합 나노입자를 이용한 태양 전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014043127
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이종접합 나노입자 제조방법, 이종접합 나노입자를 이용한 태양 전지 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 이종접합 나노입자 제조방법은, 제1 금속의 염을 DMF(N,N-Dimethylformamide)에 용해하여 제1 용액을 제조하는 단계, 상기 제1 용액을 가열한 후 냉각하는 동안 상기 제1 용액 안에 상기 제1 금속의 화합물 나노입자를 형성하여 p형 나노입자를 형성하는 단계, 상기 제1 금속과는 다른 제2 금속의 염을 DMF에 용해하여 제2 용액을 제조하는 단계, 상기 제2 용액을 가열한 후 냉각하는 동안 상기 제2 용액 안에 상기 제2 금속의 화합물 나노입자를 형성하여 n형 나노입자를 형성하는 단계, 상기 p형 나노입자가 형성된 상기 제1 용액과 상기 n형 나노입자가 형성된 상기 제2 용액을 혼합하여 혼합 용액을 제조하는 단계, 및 상기 혼합 용액으로부터 DMF를 제거하는 동안 상기 p형 나노입자와 상기 n형 나노입자를 접합시켜 p-n 접합을 이루는 이종접합 나노입자를 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 51/42 (2006.01.01)
CPC H01L 51/426(2013.01) H01L 51/426(2013.01) H01L 51/426(2013.01)
출원번호/일자 1020080128228 (2008.12.17)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1048350-0000 (2011.07.05)
공개번호/일자 10-2010-0069727 (2010.06.25) 문서열기
공고번호/일자 (20110714) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.17)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울 마포구
2 손동익 대한민국 서울 마포구
3 유찬호 대한민국 서울특별시 성동구
4 정재훈 대한민국 서울 광진구
5 추동철 대한민국 서울특별시 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0865412-86
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0017684-15
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0058879-69
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0058864-85
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0361034-83
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 금속의 염을 DMF(N,N-Dimethylformamide)에 용해하여 제1 용액을 제조하는 단계; 상기 제1 용액을 가열한 후 냉각하는 동안 상기 제1 용액 안에 상기 제1 금속의 화합물 나노입자를 형성하여 p형 나노입자를 형성하는 단계; 상기 제1 금속과는 다른 제2 금속의 염을 DMF에 용해하여 제2 용액을 제조하는 단계; 상기 제2 용액을 가열한 후 냉각하는 동안 상기 제2 용액 안에 상기 제2 금속의 화합물 나노입자를 형성하여 n형 나노입자를 형성하는 단계; 상기 p형 나노입자가 형성된 상기 제1 용액과 상기 n형 나노입자가 형성된 상기 제2 용액을 혼합하여 혼합 용액을 제조하는 단계; 및 상기 혼합 용액으로부터 DMF를 제거하는 동안 상기 p형 나노입자와 상기 n형 나노입자를 접합시켜 p-n 접합을 이루는 이종접합 나노입자를 형성하는 단계를 포함하는 이종접합 나노입자 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 금속은 Cu, In 및 Ti 중에서 선택된 1종 이상이고, 상기 제2 금속은 Zn, Ba, Bi, B, Ca, Ce, Cr, Fe, Ga, Li, Co, Mg, Mn, Nb, Pb, Sb, Sn, Sr, Ta, V, W 및 Zr 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 이종접합 나노입자 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 금속의 화합물 나노입자를 형성하는 단계는 상기 제1 용액을 100℃ 이상으로 가열한 후 온도를 단계적으로 낮추어 냉각하고, 상기 제2 금속의 화합물 나노입자를 형성하는 단계는 상기 제2 용액을 100℃ 이상으로 가열한 후 온도를 단계적으로 낮추어 냉각하는 것을 특징으로 하는 이종접합 나노입자 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 금속의 화합물 나노입자 및 제2 금속의 화합물 나노입자는 금속 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 이종접합 나노입자 제조방법
5 5
기판; 상기 기판 상에 형성된 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성되며, p형 나노입자와 n형 나노입자가 접합되어 p-n 접합을 이루는 이종접합 나노입자가 분산된 전도성 고분자로 이루어진 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성된 상부 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지
6 6
제5항에 있어서, 상기 p형 나노입자는 CuO, (In, Ti)2O3, In2O3 및 TiO2 중 어느 하나이고, 상기 n형 나노입자는 ZnO, Bi2O3, B2O3, CeO2, Cr2O3, Fe2O3, Ga2O3, LiCoO2, MgO, MnO2, Mn3O4, Nb2O5, PbO, Sb2O3, SnO2, Ta2O5, BaTiO3, V2O5, WO3 및 ZrO2 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 태양전지
7 7
기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 상에 p형 나노입자와 n형 나노입자가 접합되어 p-n 접합을 이루는 이종접합 나노입자가 분산된 전도성 고분자로 이루어진 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 활성층 상에 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 활성층을 형성하는 단계는, 제1 금속의 염을 DMF(N,N-Dimethylformamide)에 용해하여 제1 용액을 제조하는 단계; 상기 제1 용액을 가열한 후 냉각하는 동안 상기 제1 용액 안에 상기 제1 금속의 화합물 나노입자를 형성하여 p형 나노입자를 형성하는 단계; 상기 제1 금속과는 다른 제2 금속의 염을 DMF에 용해하여 제2 용액을 제조하는 단계; 상기 제2 용액을 가열한 후 냉각하는 동안 상기 제2 용액 안에 상기 제2 금속의 화합물 나노입자를 형성하여 n형 나노입자를 형성하는 단계; 상기 p형 나노입자가 형성된 상기 제1 용액과 상기 n형 나노입자가 형성된 상기 제2 용액과 전도성 고분자를 혼합하여 혼합 용액을 제조하는 단계; 상기 혼합 용액을 상기 기판 상에 위에 스핀 코팅하는 단계; 및 상기 스핀 코팅된 혼합 용액으로부터 DMF를 제거하는 동안 상기 p형 나노입자와 상기 n형 나노입자를 접합시켜 p-n 접합을 이루는 이종접합 나노입자를 상기 전도성 고분자 안에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 제1 금속은 Cu, In 및 Ti 중에서 선택된 1종 이상이고, 상기 제2 금속은 Zn, Ba, Bi, B, Ca, Ce, Cr, Fe, Ga, Li, Co, Mg, Mn, Nb, Pb, Sb, Sn, Sr, Ta, V, W 및 Zr 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 제1 금속의 화합물 나노입자를 형성하는 단계는 상기 제1 용액을 100℃ 이상으로 가열한 후 온도를 단계적으로 낮추어 냉각하고, 상기 제2 금속의 화합물 나노입자를 형성하는 단계는 상기 제2 용액을 100℃ 이상으로 가열한 후 온도를 단계적으로 낮추어 냉각하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조방법
11 11
제8항에 있어서, 상기 제1 금속의 화합물 나노입자 및 제2 금속의 화합물 나노입자는 금속 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 과학기술부(한국과학재단) 기초과학연구사업(우수연구리더육성) 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리 소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에대한 연구