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반도체 기판;상기 반도체 기판 상의 일측에 형성되는 기준 전극부; 상기 반도체 기판 상의 타측에 형성되며, 상기 기준 전극부와 연결되는 센싱부; 및상기 기준 전극부와 센싱부 상에 형성되는 세포액 챔버를 포함하되,상기 센싱부는 상기 반도체 기판 상에 형성된 센싱 유전층과, 상기 센싱 유전층 상에 형성된 프로브 패턴을 포함하는 세포 계수 장치
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제1항에 있어서,상기 기준 전극부는 상기 기판의 일부를 식각한 트렌치 영역을 둘러싸는 기준 유전층; 및 상기 트렌치 영역 내 배치되는 기준 전극을 포함하는 세포 계수 장치
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제2항에 있어서,상기 기준 전극, 상기 반도체 기판 및 이들 사이에 개재된 상기 기준 유전층이 기준 커패시터를 형성하고, 상기 기준 전극, 상기 반도체 기판 및 이들 사이에 개재된 상기 센싱 유전층이 센싱 커패시터를 형성하는 세포 계수 장치
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제1항에 있어서,상기 센싱부의 면적은 표적 세포 면적의 10배 ∼ 100배인 세포 계수 장치
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제1항에 있어서,상기 프로브 패턴은 격자 패턴이며, 상기 프로브 패턴 하부에 배치된 센싱 유전층의 일부가 노출되는 세포 계수 장치
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제1항에 있어서,상기 센싱 유전층은 7 이상의 유전 상수를 가지는 유전 물질로 이루어진 층인 세포 계수 장치
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제1항에 있어서,상기 세포액은 혈액이며, 상기 프로브 패턴은 혈중 암세포와 결합하는 항체로 이루어진 세포 계수 장치
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제1항에 있어서,상기 세포액 챔버의 일측 종단에 형성되는 세포액 배출구를 더 포함하는 세포 계수 장치
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제1항에 있어서,상기 기판의 하부에 경사를 가지는 지지대를 더 포함하며, 상기 지지대의 경사는 상기 기준 전극부에서 상기 센싱부로 갈수록 낮아지는 세포 계수 장치
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제3항에 있어서,상기 기준 커패시터와 상기 센싱 커패시터의 합성 커패시턴스 변화를 화면에 출력하는 센서를 더 포함하는 세포 계수 장치
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기준 커패시터와 센싱 커패시터를 포함하는 세포 계수 장치를 제공하는 단계;상기 기준 커패시터와 센싱 커패시터의 제1 합성 커패시턴스를 측정하는 단계;상기 세포 계수 장치에 표적 세포를 함유하는 세포액을 주입하여 상기 표적 세포를 포획하는 단계;상기 표적 세포 포획시 상기 기준 커패시터와 센싱 커패시터의 제2 합성 커패시턴스를 측정하는 단계; 및상기 제1 합성 커패시턴스에서 제2 합성 커패시턴스로의 변화량을 센싱하여 표적 세포를 계수하는 단계를 포함하는 세포 계수 방법
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