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MoO3분말을 40 내지 60 Mpa압력으로 성형하여 판상형태의 성형체로 제조하는 단계,상기 성형체와 기판의 거리 조절을 위하여 성형체 상면에 홀더(holder)를 구비하는 단계, 상기 홀더 상면에 기판을 구비한 후 상기 MoO3분말 100 중량부를 기준으로 0
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제1항에 있어서, 상기 성형체와 기판의 거리는 0
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제1항에 있어서, 상기 증착된 몰리브덴(Mo)층의 평균두께는 3 내지 5 ㎛인 것을 특징으로 하는 MoSi2 코팅층의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 실리콘혼합분말은 실리콘(Si)분말 1 내지 70 중량%, 불화나트륨(NaF) 또는 염화암모늄(NH4Cl)분말 1 내지 10 중량% 및 산화알루미늄(Al2O3)분말 20 내지 98 중량%가 혼합된 분말인 것을 특징으로 하는 MoSi2 코팅층의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 불활성 가스는 네온(Ne)가스, 아르곤(Ar)가스, 크립톤(Kr)가스, 제논(Xe)가스 및 라돈(Rn)가스로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 MoSi2 코팅층의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 환원성 가스는 일산화탄소, 메탄가스, 프로판가스 및 수소가스로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 MoSi2 코팅층의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 몰리브덴(Mo)층에 실리콘이 확산 침투되어 형성된 MoSi2 코팅층은상기 실리콘혼합분말과 몰리브덴(Mo)층이 증착된 기판의 거리 조절을 위하여 실리콘혼합분말 상면에 산화알루미늄 홀더(holder)를 구비하는 단계 및상기 홀더 상면에 몰리브덴(Mo)층이 증착된 기판을 구비한 후 불활성 가스 또는 환원성 가스 하에서 가열처리하는 단계를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 MoSi2 코팅층의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 실리콘혼합분말과 몰리브덴(Mo)층이 증착된 기판의 거리는 0
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제1항에 있어서, 상기 몰리브덴(Mo)층에 실리콘이 확산 침투되어 형성된 MoSi2 코팅층은 실리콘혼합분말 속에 몰리브덴(Mo)층이 증착된 기판을 장입한 후 불활성 가스 또는 환원성 가스 하에서 가열처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 MoSi2 코팅층의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 MoSi2 코팅층의 평균두께는 몰리브덴(Mo)층의 평균두께의 3 내지 4배인 것을 특징으로 하는 MoSi2 코팅층의 제조방법
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제1항, 제3항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 Cu, Ni, Au, Pt, Co, Pd, Al, Si, Ge, C, Ga, As, P, B, Zn, Se, Cd, Sn, In, SiGe, GaAs, AlGaAs, GaAsP, InAs, Sn, InAsP, InGaAs, AlAs, InP, GaP, ZnSe, CdS, ZnCdS, CdSe, 스테인레스 스틸, 탄소강 또는 이들의 혼합 재질인 것을 특징으로 하는 MoSi2 코팅층의 제조방법
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