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연마 슬러리 및 이를 이용한 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법

  • 기술번호 : KST2015141624
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 연마 슬러리 및 이를 이용한 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 연마 슬러리는, 연마 입자의 표면이 (+) 전하를 갖도록 분산된 것으로서, 저압 공정에서도 높은 연마속도를 가지며, 이로 인하여 우수한 공정 마진을 확보할 수 있다. 본 발명의 연마 슬러리를 사용하여 연마 공정을 수행하면, 고단차 영역에서는 입자의 분포를 높여 높은 연마속도를 가지며, 저단차 영역에서는 입자의 분포를 낮추어 낮은 연마속도를 가지게 되어 단차 제거 효율을 높일 수 있다.
Int. CL C09G 1/02 (2006.01.01) C09K 3/14 (2006.01.01) H01L 21/321 (2006.01.01) H01L 21/304 (2006.01.01)
CPC C09G 1/02(2013.01) C09G 1/02(2013.01) C09G 1/02(2013.01) C09G 1/02(2013.01) C09G 1/02(2013.01)
출원번호/일자 1020120125198 (2012.11.07)
출원인 한양대학교 산학협력단, 주식회사 케이씨
등록번호/일자 10-1406759-0000 (2014.06.05)
공개번호/일자 10-2014-0059331 (2014.05.16) 문서열기
공고번호/일자 (20140619) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.07)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 주식회사 케이씨 대한민국 경기도 안성시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백운규 대한민국 서울 성동구
2 서지훈 대한민국 서울 성동구
3 한명훈 대한민국 경기 수원시 영통구
4 최낙현 대한민국 경기 안성시
5 황준하 대한민국 경기도 평택시
6 정기화 대한민국 경기 안성시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
2 주식회사 케이씨텍 경기도 안성시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0913242-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.07.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0066525-88
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0902456-06
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0128872-29
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0128871-84
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0344497-68
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.05.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5070900-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.06 수리 (Accepted) 4-1-2017-5176182-94
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5246687-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면전하가 (+)가 되도록 분산된 단결정성의 연마 입자; 및아민기 및, 카르복실기, 히드록시기 또는 이들의 조합을 포함하는 분산제;를 포함하며, 2 psi 이상 3 psi 미만의 저압 연마 공정에 적용되는 연마 슬러리
2 2
제1항에 있어서,상기 슬러리의 연마 속도는, 2500 A/min 이상인 것인, 연마 슬러리
3 3
제1항에 있어서,상기 슬러리의 산화막 : 질화막의 연마 선택비가 100 : 1 내지 150 : 1 인 것인, 연마 슬러리
4 4
제1항에 있어서,상기 아민기는 2개 이상인 것인, 연마 슬러리
5 5
제1항에 있어서,상기 슬러리는 단차 제거에 이용되는 것인, 연마 슬러리
6 6
제1항에 있어서,상기 슬러리의 pH가 약 3 내지 약 8인 것인, 연마 슬러리
7 7
제1항에 있어서,상기 분산제는, 세린(serine), 글루타민(glutamine), 베타인(betaine), 프롤린(proline), 파이로글루타민산(pyroglutamic acid), 아르지닌(arginine), 글라이신(glycine), 아미노 부티르산(amino butyric acid), 오르니틴(ornithine), 페닐알라닌(phenylalanine), 티로신(tyrosine), 발린(valine) 및 아미노벤조산(aminobenzoic acid)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인, 연마 슬러리
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서,상기 연마입자 표면의 제타전위는 +25 mV ~ +80 mV 의 (+)의 제타전위를 갖는 것인, 연마 슬러리
10 10
제 1 항 내지 제 7 항, 제 9 항 중 어느 한 항의 연마 슬러리를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.