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가스 유입구 및 가스 유출구을 구비하는 챔버 내에 피식각층을 구비하는 기판을 로딩하는 단계;상기 챔버 내로 캐리어 가스 없이 유기 전구체를 도징하여 하부층에 유기 전구체를 자기조립 방식으로 화학결합시키는 유기 전구체 도징단계; 및 퍼지가스를 공급하여 미반응 유기전구체 및 반응 생성물을 퍼지하는 퍼지 단계를 구비하는 단위 사이클을 수행하여 유기 분자층을 형성하는 단계; 및상기 챔버 내로 캐리어 가스 없이 금속 전구체를 도징하여 금속 전구체를 자기조립 방식으로 화학결합시키는 금속 전구체 도징단계; 및 퍼지가스를 공급하여 미반응 금속 전구체 및 반응 생성물을 퍼지하는 퍼지 단계를 구비하는 단위 사이클을 수행하여 금속 단분자층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 유기 전구체 도징단계에서 하부층은 상기 피식각층 또는 상기 금속 단분자층이고, 상기 금속 전구체 도징단계에서 하부층은 상기 피식각층 또는 상기 유기 분자층이고, 상기 유기 분자층을 형성하는 단계와 상기 금속 단분자층을 형성하는 단계를 교호적으로 반복하는, 다층 분자막 포토레지스트 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 다층 분자막 포토레지스트는 기판의 상부방향으로 각각 연장되고 횡방향으로 다수개 배치된 분자선들을 구비하며, 각 분자선은 다수의 금속 단분자들과 상기 금속 단분자들 중 적어도 일부의 금속 단분자들 사이에 개재된 유기 단분자가 결합에 의해 연결된 것인 다층 분자막 포토레지스트 제조방법
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청구항 2에 있어서,상기 분자선들 중 횡방향으로 인접하는 분자선들 내의 상기 유기 단분자들 사이에 반데르발스 상호작용이 존재하는 다층 분자막 포토레지스트 제조방법
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청구항 3에 있어서,상기 반데르발스 상호작용은 π-π 결합인 다층 분자막 포토레지스트 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 금속 단분자층 내에 상기 분자선들에 구비된 금속 단분자들이 횡방향으로 배치되고,상기 유기 단분자층 내에 상기 분자선들에 구비된 유기 단분자들은 횡방향으로 배치된 다층 분자막 포토레지스트 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 유기 전구체 도징단계에서 상기 유기 전구체는 상기 가스 유출구를 닫은 상태에서 상기 가스 유입구를 통해 공급되고,상기 금속 전구체 도징단계에서 상기 금속 전구체는 상기 가스 유출구를 닫은 상태에서 상기 가스 유입구를 통해 공급되는 다층 분자막 포토레지스트 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 유기 전구체는 방향족 고리 혹은 선형 또는 분지형 알킬렌기를 구비하고 이의 일측에 직간접적으로 결합된 ORa1, SRa1, SeRa1, NRRa1(R은 H 또는 CH3) 또는 PRRa1(R은 H 또는 CH3)을 구비하고 이의 타측에 직간접적으로 결합된 ORa2, SRa2, SeRa2, NRRa2(R은 H 또는 CH3) 또는 PRRa2(R은 H 또는 CH3)을 구비하고, Ra1와 Ra2는 서로에 관계없이 수소 또는 C1 내지 C2의 알킬기인 다층 분자막 포토레지스트 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 유기 전구체는 하기 화학식 4로 표시되는 다층 분자막 포토레지스트 제조방법:[화학식 4]상기 화학식 4에서, Ra1와 Ra2는 서로에 관계없이 수소 또는 C1 내지 C2의 알킬기이고, Xb 및 Xa는 서로에 관계없이 O, S, Se, NR(R은 H 또는 CH3) 또는 PR(R은 H 또는 CH3)이고, MR은 치환 또는 비치환된 방항족 고리, 또는 C1 내지 C18의 치환 또는 비치환된 그리고 선형 또는 분지형 알킬렌기이고,MR이 상기 방향족 고리인 경우에, Z3 및 Z4는 서로에 관계없이 결합 혹은 C1 내지 C5의 치환 또는 비치환된 그리고 선형 또는 분지형 알킬렌기이고,MR이 상기 알킬렌기인 경우에, Z3 및 Z4는 결합이다
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청구항 1에 있어서,상기 금속 전구체는 유기작용기 혹은 리간드를 적어도 2개 구비하는 유기금속 단분자인 다층 분자막 포토레지스트 제조방법
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청구항 9에 있어서,상기 금속 전구체는 하기 화학식 5로 표시되는 다층 분자막 포토레지스트 제조방법:[화학식 5] 상기 화학식 5에서, Rb1과 Rb2는 서로에 관계없이 할로겐기, C1 내지 C5의 알킬기, C1 내지 C5의 알킬실릴아미노기, C1 내지 C5의 알콕시, C1 내지 C5의 알킬티오기, C1 내지 C5의 알킬셀레노기, C1 내지 C5의 알킬아미노기, 또는 C1 내지 C5의 알킬포스피노기이고,Z1 및 Z2는 서로에 관계없이 결합, C1 내지 C20의 치환 또는 비치환된 선형 또는 분지형 알킬렌기, C1 내지 C20의 치환 또는 비치환된 선형 또는 분지형 알킬렌옥사이드, C1 내지 C20의 치환 또는 비치환된 선형 또는 분지형 알킬렌아미노, C1 내지 C20의 치환 또는 비치환된 선형 또는 분지형 알킬렌실릴아미노, C1 내지 C20의 치환 또는 비치환된 선형 또는 분지형 알킬렌티오, C1 내지 C20의 치환 또는 비치환된 선형 또는 분지형 알킬렌셀레노, 또는 C1 내지 C20의 치환 또는 비치환된 선형 또는 분지형 알킬렌포스피노이고,La과 Lb는 서로에 관계없이 할로겐기, C1 내지 C5의 알킬기, C1 내지 C5의 알킬실릴아미노기, C1 내지 C5의 알콕시기, C1 내지 C5의 알킬티오기, C1 내지 C5의 알킬셀레노기, 또는 C1 내지 C5의 알킬아미노기, 또는 C1 내지 C5의 알킬포스피노기이고,na과 nb의 합은 0 내지 4의 정수이고,M은 d 오비탈을 구비하는 금속원소인 광흡수 금속 단분자, Zr, Al, Hf, Zn, 또는 In인 광반응 금속 단분자, 혹은 Al, Ti, Cu, W, 또는 Zn이다
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