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박막 트랜지스터 기판

  • 기술번호 : KST2015141727
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극, 상기 기판 위에 형성되어 있으며, 상기 게이트 전극과 중첩하는 반도체층, 상기 반도체층에 형성되어 있는 복수의 나노 입자, 그리고 상기 기판 위에 형성되어 있으며, 상기 반도체층을 사이에 두고 서로 이격되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 나노 입자의 직경은 약 2nm 내지 약 5nm이고, 상기 반도체층의 단위 면적당 상기 나노 입자의 평면적이 차지하는 비율은 약 5% 내지 약 80%이다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/336 (2006.01.01)
CPC H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01)
출원번호/일자 1020130066131 (2013.06.10)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0144388 (2014.12.19) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.06.08)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조병수 대한민국 충남 아산시
2 전형탁 대한민국 서울 성동구
3 이재상 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구
2 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0513892-28
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2018-0565375-71
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0464663-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0863505-67
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.08.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0863507-58
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0922163-10
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2020.01.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0052930-72
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2020-0052927-34
15 등록결정서
Decision to Grant Registration
2020.02.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0082263-10
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판,상기 기판 위에 위치하는 게이트 전극,상기 기판 위에 위치하며, 상기 게이트 전극과 중첩하는 반도체층,상기 반도체층에 위치하는 복수의 나노 입자, 그리고상기 기판 위에 위치하며, 상기 반도체층을 사이에 두고 서로 이격되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 나노 입자의 직경은 2nm 내지 5nm이며,상기 나노 입자는 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 중 적어도 하나, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 중 적어도 하나를 포함하는 천이 금속(transition metal), 또는 이들의 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함하고,상기 나노 입자는 상기 반도체층의 표면 중 상기 게이트 전극과 인접하지 않은 표면 위에 위치하고, 상기 반도체층의 표면은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하는 박막 트랜지스터 기판
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제1항에서,상기 나노 입자는 상기 금속으로 이루어진 제1 층과 상기 제1 층을 둘러싸고 있으며, 상기 금속 산화물로 이루어진 제2 층을 포함하는 박막 트랜지스터 기판
7 7
제1항에서,상기 나노 입자는 구형(spherical shape), 원반 모양(disk type), 봉 모양(rod type), 판 형태(plate shape) 중 적어도 하나의 형태인 박막 트랜지스터 기판
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기판,상기 기판 위에 위치하는 게이트 전극,상기 기판 위에 위치하며, 상기 게이트 전극과 중첩하는 반도체층,상기 반도체층에 위치하는 복수의 나노 입자, 그리고상기 기판 위에 위치하며, 상기 반도체층을 사이에 두고 서로 이격되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 반도체층의 단위 면적당 상기 나노 입자의 평면적이 차지하는 비율은 4
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제8항에서,상기 나노 입자는 상기 금속으로 이루어진 제1 층과 상기 제1 층을 둘러싸고 있으며, 상기 금속 산화물로 이루어진 제2 층을 포함하는 박막 트랜지스터 기판
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제8항에서,상기 나노 입자는 구형(spherical shape), 원반 모양(disk type), 봉 모양(rod type), 판 형태(plate shape) 중 적어도 하나의 형태인 박막 트랜지스터 기판
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09111789 US 미국 FAMILY
2 US20140361304 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2014361304 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9111789 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.