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2개의 포토 마스크를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014037650
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 LCD를 위한 박막 트랜지스터 어레이 패널에 적용을 위한 박막 트랜지스터의 제조에 있어서, 가시광 영역에서 높은 광투과율 및 높은 전기 전도도를 가지며 반도체 성질도 갖는 ZnO, IZO, IGZO 등을 이용하여 활성층 및 S/D 전극으로 사용할 뿐만 아니라, 위와 같은 활성층을 화소 전극과 적층시키는 구조로 박막 트랜지스터를 제조함으로써, 포토 마스크 수를 줄여 제조공정을 단순화시킬 수 있고, 비용절감 및 생산성을 향상시킬 수 있는 투명 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판 위에 제1 금속막을 증착한 후에 제1 포토 마스크를 이용하여 게이트 전극을 패턴하는 제1 공정 및 상기 게이트 전극이 패턴된 기판 상 절연막, 활성층 및 제2 금속막을 차례로 증착한 후에 제2 포토 마스크를 이용하여 소오스 전극 및 드레인 전극을 패턴하는 제2 공정을 포함한다. 박막 트랜지스터, 액정 패널, ZnO, 활성층, 광투과성
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01)
CPC H01L 29/78606(2013.01) H01L 29/78606(2013.01) H01L 29/78606(2013.01) H01L 29/78606(2013.01) H01L 29/78606(2013.01)
출원번호/일자 1020090051918 (2009.06.11)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1051586-0000 (2011.07.18)
공개번호/일자 10-2010-0133170 (2010.12.21) 문서열기
공고번호/일자 (20110722) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.11)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진석 대한민국 서울 동대문구
2 엄현석 대한민국 서울특별시 동작구
3 김원 대한민국 경기도 군포시
4 방정환 대한민국 경기도 안산시 단원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 경기도 안산시 상록구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0353895-28
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2010.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0685637-22
3 보정요구서
Request for Amendment		 2010.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0093701-76
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0701942-19
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0581399-91
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0120929-43
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0203543-03
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0231439-53
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0231458-10
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.07.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0380686-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 제1 금속막을 증착한 후에 제1 포토 마스크를 이용하여 게이트 전극을 패턴하는 제1 공정; 및 상기 패턴된 게이트 전극 상에 절연막을 형성하고, 상기 절연막 상에 활성층을 형성하고, 상기 활성층 상에 제2 금속막을 형성하고, 상기 제2 금속막 상부에 다중톤인 그레이 톤 마스크인 제2 포토 마스크를 이용하여 소오스 전극 및 드레인 전극을 패턴하는 제2 공정을 포함하고, 상기 제2 포토 마스크에 의해 상기 제2 금속막 상부에 형성되는 포토레지스트 패턴은 채널 영역 상의 두께가 소오스 전극 영역 및 드레인 전극 영역 상의 두께보다 작으며, 상기 활성층은 투명 반도체막이고, 상기 제2 금속막은 ITO 또는 IZO를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극은 상기 절연막 위에 형성된 상기 활성층 및 상기 제2 금속막의 적층 구조인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 드레인 전극은 상기 활성층 및 상기 제2 금속막의 적층 구조가 LCD 패널의 화소 전극을 위하여 일정 투과율을 갖는 투명 전도막인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 투명 반도체막은 ZnO, IZO, 또는 IGZO를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 제2 포토 마스크는, 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극의 영역에 대한 광투과율이 제로이고, 상기 게이트 전극 위의 상기 활성층의 채널 영역에 대한 광투과율이, 상기 활성층의 채널, 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극의 영역 이외의 나머지 부분에 대한 광투과율보다 작은 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 제2 공정은, 상기 패턴된 게이트 전극 위에 상기 절연막, 상기 활성층 및 상기 제2 금속막을 차례로 증착하고 포토 레지스트를 도포한 후에, 상기 제2 포토 마스크를 이용하여 노광하여 포토 레지스트 패턴을 형성하는 제2-1 공정; 상기 포토 레지스트 패턴이 남아있는 부분 이외의 부분에 대한 상기 제2 금속막, 상기 활성층 및 상기 절연막의 순차 식각을 위한 제2-2 공정; 상기 채널 영역에 대한 상기 포토 레지스트 패턴을 제거하기 위한 제2-3 공정; 및 상기 채널 영역 위의 상기 제2 금속막의 식각을 위한 제2-4 공정 을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 제2-2 공정 및 상기 제2-4 공정은 습식 또는 건식 식각 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
9 9
기판 상에 제1 금속막을 증착한 후에 제1 포토 마스크를 이용하여 게이트 전극을 패턴하는 제1 공정; 및 상기 패턴된 게이트 전극 상에 절연막을 형성하고, 상기 절연막 상에 활성층을 형성하고, 상기 활성층 상에 제2 금속막을 형성하고, 상기 제2 금속막 상에 제3 금속막을 형성하고, 상기 제3 금속막 상에 다중톤인 그레이 톤 마스크인 제2 포토 마스크를 이용하여 소오스 전극 및 드레인 전극을 패턴하는 제2 공정을 포함하고, 상기 제2 포토 마스크에 의해 상기 제3 금속막 상부에 형성되는 포토레지스트 패턴은 상기 드레인 전극 영역 상의 포토레지스트 패턴의 두께가 상기 소오스 전극 영역 상의 포토레지스트 패턴의 두께보다 크며, 상기 소오스 영역 상의 포토레지스트 패턴의 두께는 채널 영역 상의 포토레지스트 패턴의 두께보다 크며, 상기 활성층은 투명 반도체막이고, 상기 제2 금속막은 ITO 또는 IZO를 포함하고, 상기 제3 금속막은 Cr, Mo, Al 또는 Cu를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 소오스 전극은 상기 절연막 위에 형성된 상기 활성층, 상기 제2 금속막 및 상기 제3 금속막의 적층 구조이고, 상기 드레인 전극은 상기 절연막 위에 형성된 상기 활성층 및 상기 제2 금속막의 적층 구조인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
11 11
삭제
12 12
제9항에 있어서, 상기 투명 반도체막은 ZnO, IZO, 또는 IGZO 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
13 13
삭제
14 14
제9항에 있어서, 상기 제2 포토 마스크는, 상기 소오스 전극 영역에 대한 광투과율이 제로이고, 상기 게이트 전극 상의 상기 활성층의 채널 영역에 대한 광투과율이, 상기 활성층의 채널, 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극의 영역 이외의 나머지 부분에 대한 광투과율보다 작지만, 상기 드레인 전극의 영역 이외의 나머지 부분에 대한 광투과율보다 높은 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 제2 공정은, 상기 패턴된 게이트 전극 위에 상기 절연막, 상기 활성층, 상기 제2 금속막 및 상기 제3 금속막을 차례로 증착하고 포토 레지스트를 도포한 후에, 상기 제2 포토 마스크를 이용하여 노광하여 포토 레지스트 패턴을 형성하는 제2-1 공정; 상기 포토 레지스트 패턴이 남아있는 부분 이외의 부분에 대한 상기 제3 금속막, 상기 제2 금속막 및 상기 활성층의 순차 식각을 위한 제2-2 공정; 상기 채널 영역에 대한 상기 포토 레지스트 패턴을 제거하기 위한 제2-3 공정; 상기 채널 영역 위의 상기 제3 금속막의 식각을 위한 제2-4 공정; 상기 활성층의 채널, 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극의 영역 이외의 나머지 부분에 대한 상기 절연막의 식각을 위한 제2-5 공정; 상기 채널 영역 위의 상기 제2 금속막의 식각을 위한 제2-6 공정; 상기 드레인 전극의 영역에 대한 상기 포토 레지스트 패턴을 제거하기 위한 제2-7 공정; 및 상기 드레인 전극의 영역 위의 상기 제3 금속막의 식각을 위한 제2-8 공정 을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 제2-2 공정, 상기 제2-4 공정, 상기 제2-5 공정, 상기 제2-6 공정, 및 상기 제2-8 공정은 습식 또는 건식 식각 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
17 17
제1항 또는 제9항의 박막 트랜지스터의 제조 방법에 의하여 제조된 반도체 소자
18 18
제1항 또는 제9항의 박막 트랜지스터의 제조 방법에 의하여 제조된 트랜지스터 어레이 패널을 포함하는 LCD 패널
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.