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기판 상에 제1 강자성 물질을 주 원소로 하는 산화물계 물질을 포함하는 산화물계 물질층을 포함하는 결정화 보조층을 형성하는 단계;상기 결정화 보조층 상에 제2 강자성물질을 포함하는 다층박막을 형성하는 단계; 및상기 결정화 보조층 상에 형성된 다층박막을 열처리하여 상기 다층박막을 결정화하는 단계를 포함하고,상기 결정화 보조층은 제1 강자성물질을 주원소로 하는 산화물계 물질층과 비자성 물질층이 교대로 적어도 1회 이상 반복적층된 다층박막인 것을 특징으로 하는 다층박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 결정화 보조층을 형성하는 단계는,상온에서 수행되는 것을 특징으로 하는 다층박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산화물계 물질층은 코발트산화물 또는 철산화물을 포함하는 다층박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 비자성 물질층은 Pd 또는 Pt를 포함하는 다층박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 다층박막을 결정화하는 단계는,상기 열처리를 통해 상기 결정화 보조층의 산소가 빠져나가면서 상기 다층박막의 결정구조 형성에 도움을 주는 것을 특징으로 하는 다층박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 열처리 온도는 300 ℃ 내지 450 ℃인 것을 특징으로 하는 다층박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 강자성물질 또는 제2 강자성물질은 Co, Fe 또는 CoFe 기반 합금인 다층박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2 강자성 물질을 포함하는 다층박막은,강자성층과 비자성층이 교대로 적어도 1회 이상 반복적층된 다층박막인 것을 특징으로 하는 다층박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2 강자성 물질을 포함하는 다층박막은 인위적 반강자성 다층박막인 것을 특징으로 하는 다층박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 결정화 보조층을 형성하는 단계 이전에,상기 기판 상에 산소 리저버층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다층박막 제조방법
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제11항에 있어서,상기 산소 리저버층은 Ta를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층박막 제조방법
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수직자기이방성을 갖는 고정층;상기 고정층 상에 위치하는 터널링 배리어층; 및상기 터널링 배리어층 상에 위치하고, 수직자기이방성을 갖는 자유층을 포함하되,상기 고정층 및 자유층 중 적어도 어느 하나의 층은 제1항의 제조방법에 의해 제조된 다층박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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수직자기이방성을 갖는 자유층;상기 자유층 상에 위치하는 터널링 배리어층; 및상기 터널링 배리어층 상에 위치하고, 수직자기이방성을 갖는 고정층을 포함하되,상기 고정층은 강자성층 및 상기 강자성층 상에 위치하는 반강자성층을 포함하고,상기 반강자성층은 제1항의 제조방법에 의해 제조된 다층박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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