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제1 강자성 물질을 주 원소로 하는 산화물계 또는 질화물계 물질을 포함하는 산화물/질화물계 물질층; 및상기 산화물/질화물계 물질층 상에 형성된 제1 비자성 물질을 포함하는 제1 비자성 물질층을 포함하고,상기 산화물/질화물계 물질층 및 상기 제1 비자성 물질층이 교대로 반복적으로 적층된 다층박막이고, 조직이 결정질인 것을 특징으로 하는 산화물/질화물계 강자성 다층박막
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제1항에 있어서,상기 산화물계 물질은 Co-O 또는 Fe-O이고, 상기 질화물계 물질은 Co-N 또는 Fe-N인 산화물/질화물계 강자성 다층박막
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제1항에 있어서,상기 제1 비자성 물질은 Pd 또는 Pt를 포함하는 산화물/질화물계 강자성 다층박막
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제1항에 있어서,상기 산화물/질화물계 강자성 다층박막의 두께는 10nm 내지 40nm인 산화물/질화물계 강자성 다층박막
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반강자성 박막;상기 반강자성 박막 상에 형성되고, 제1 강자성 물질을 주 원소로 하는 산화물계 또는 질화물계 물질과 제1 비자성 물질이 교대로 반복적으로 적층되고, 조직이 결정질인 것을 특징으로 하는 산화물/질화물계 강자성 다층박막;상기 산화물/질화물계 강자성 다층박막 상에 형성된 비자성층;상기 비자성층 상에 형성된 제1 강자성 다층박막; 및상기 제1 강자성 다층박막 상에 형성된 전극을 포함하는 자성소자
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제5항에 있어서,상기 산화물/질화물계 강자성 다층박막 및 상기 비자성층 사이에 위치하고, 제2 강자성 물질과 제2 비자성 물질이 교대로 반복적으로 적층된 제2 강자성 다층박막을 더 포함하는 자성소자
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제5항에 있어서,상기 산화물/질화물계 강자성 다층박막은 Co-O, Fe-O, Co-N 및 Fe-N로 구성된 군에서 선택되는 어느 하나와 Pd 및 Pt로 구성된 군에서 선택되는 어느 하나가 교대로 반복적으로 적층된 것을 특징으로 하는 자성소자
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제6항에 있어서,상기 제2 강자성 다층박막은 Co 또는 Fe와 Pd 또는 Pt가 교대로 반복적으로 적층된 것을 특징으로 하는 자성소자
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제6항에 있어서,상기 제1 강자성 물질과 상기 제2 강자성 물질은 동일하고, 상기 제1 비자성 물질과 상기 제2 비자성 물질은 동일한 것을 특징으로 하는 자성소자
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10
기판 상에 제1 강자성 물질을 주 원소로 하는 산화물계 또는 질화물계 물질을 포함하는 산화물/질화물계 물질층을 형성하는 단계; 및상기 산화물/질화물계 물질층 상에 제1 비자성 물질을 포함하는 제1 비자성 물질층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 산화물/질화물계 물질층을 형성하는 단계 및 상기 제1 비자성 물질층을 형성하는 단계를 교대로 반복적으로 수행하여 산화물/질화물계 강자성 다층박막을 형성하고,상기 산화물/질화물계 강자성 다층박막을 형성시 상기 기판과 수직한 자기장을 인가하는 것을 특징으로 하는 산화물/질화물계 강자성 다층박막 형성방법
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제10항에 있어서,상기 기판과 수직하게 인가되는 자기장의 세기는 100 Oe 내지 300 Oe인 것을 특징으로 하는 산화물/질화물계 강자성 다층박막 형성방법
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제10항에 있어서,상기 산화물/질화물계 강자성 다층박막 형성방법은 순차적 교대 증착방법을 이용한 것을 특징으로 하는 산화물/질화물계 강자성 다층박막 형성방법
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제12항에 있어서,상기 순차적 교대 증착방법은 비활성가스를 도입하기 위한 비활성가스 도입구, 산소/질소가스를 도입하기 위한 산소/질소가스 도입구, 및 가스를 배출하기 위한 배기구가 구비되고 그 내부에서 증착이 이루어지는 챔버; 증착되는 물질이 함유되고 상기 챔버 내에 위치되는 타겟; 타겟과 서로 맞서 위치되고 증착물질이 증착되는 기판; 및 이 기판주위에 구비되어 있는 자기형성장치를 포함하는 스퍼터링 장치를 사용하는 것을 특징으로 하는 산화물/질화물계 강자성 다층박막 형성방법
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제13항에 있어서,증착시 상기 챔버 내의 산소/질소 분압은 3×10-5torr 내지 1×10-3torr이고,상기 챔버 내의 가스 조성은 0
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제14항에 있어서,상기 산소/질소 분압은 3×10-4torr 내지 9×10-4torr인 것을 특징으로 하는 산화물/질화물계 강자성 다층박막 형성방법
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제14항에 있어서,증착시 상기 챔버 내로 공급되는 산소/질소의 유량은 1
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