맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

기판 구조물 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015141892
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유무기 혼성 박막 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 안정적인 새로운 작용기를 포함하는 유무기 혼성 박막 및 무기물 전구체 및 유기물 전구체를 교대로 사용하여 분자층 증착법을 포함하는 유무기 혼성 박막의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL C23C 16/00 (2006.01.01) C23C 16/448 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020140018212 (2014.02.18)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0026748 (2015.03.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020130104463   |   2013.08.30
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.01.04)
심사청구항수 30

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성명모 대한민국 서울특별시 서초구
2 한규석 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0155358-06
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.06.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0567604-30
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-0870651-06
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
6 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2015.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0251394-04
7 [복대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2017.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0091969-17
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2018.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-0474702-07
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2019.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2019-0009648-89
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.01.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0009590-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
13 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.11.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
14 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2020-0005261-08
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.08.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0531687-75
16 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2020-1049113-49
17 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2020-1169251-12
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 및 상기 기판에 적층되는 아래 화학식 1 로 표시되는 유무기 혼성 박막;을 포함하는 기판 구조물
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 X 에서의 S 이온의 몰비를 Sx, 상기 Y 에서의 S 이온의 몰비를 Sy 라고 할 때, Sx≤Sy 를 만족하는 것인 기판 구조물
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 유무기 혼성 박막의 두께는 1 Å 내지 500 Å인 것을 특징으로 하는 기판 구조물
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 유무기 혼성 박막의 초기 두께를 d0 라고 하고, 상기 유무기 혼성 박막을 STM 조건에서 n 시간 방치후의 두께를 dn 이라고 할 때, 아래 관계식을 만족하는 것인 기판 구조물
5 5
제 1 항에 의한 유무기 혼성 박막; 및 Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb, 및 W 로 이루어진 그룹에서 선택되는 금속의 산화물층; 을 포함하는 기능성 박막을 포함하는 기판 구조물
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 금속 산화물층의 두께는 10 Å 내지 2000 Å인 것을 특징으로 하는 기판 구조물
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 기판 구조물의 초기 두께를 D0라고 하고, 상기 기판 구조물을 STM 조건에서 n 시간 방치 후의 두께를 Dn이라고 할 때, 아래 관계식을 만족하는 것인 기판 구조물
8 8
제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 기판은 ITO, FTO, ZnO, AZO, CdO, 및 TiO2 으로 이루어진 그룹에서 선택되는 전도성 투명 기판인 것을 특징으로 하는 기판 구조물
9 9
제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 기판은 플루오로폴리머수지, 폴리에스테르, 폴리아크릴레이트, 폴리아미드, 폴리이미드, 및 폴리카보네이트 로 이루어진 군에서 선택되는 고분자 기판인 것을 특징으로 하는 기판 구조물
10 10
제 9 항에 있어서,상기 고분자 기판은 폴리비닐리덴플루오라이드(PVDF), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 및 폴리메틸메트아크릴레이트 (PMMA)로 이루어진 군에서 선택되는 고분자 기판인 것을 특징으로 하는 기판 구조물
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 기판과 상기 유무기 혼성 박막 사이에 제1 내화학층을 더 포함하는 것인 기판 구조물
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 기판 하부에 제 2 내화학층을 더 포함하는 것인 기판 구조물
13 13
제 1 항에 있어서, 상기 유무기 혼성 박막 상부에 보호층을 더 포함하는 것인 기판 구조물
14 14
제 1 항에 의한 기판 구조물을 포함하는 발광체
15 15
제 1 항에 의한 기판 구조물을 포함하는 디스플레이 장치
16 16
제 1 항에 의한 기판 구조물을 포함하는 태양광 발전 소자
17 17
(1)기판 표면에 아래 화학식 2 로 표시되는 제 1 전구체 화합물을 이용하여 무기 분자층을 형성하는 단계; 및[화학식 2] M(R21)(R22)…(R2n)(상기 화학식 2 에서 상기 M 은 Zn, Sn, Cd, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb, W, In, Ga, Al 및 Tl으로 이루어진 그룹에서 선택되고, n 은 상기 금속 M 의 산화수 상태에 따라 결정되고, R21 내지 R2n 은 각각 독립적으로 C1~20 알킬, C1~20알콕사이드, 염화기, 하이드록시기, 옥시수산화기, 질산기, 탄산기, 초산기, 또는 옥살산기임)(2)아래 화학식 3 으로 표시되는 제 2 전구체 화합물과 상기 무기 분자층을 반응시켜 상기 무기 분자층 상부에 유기 분자층을 형성하는 단계; [화학식 3] R3-S-R4-R5(상기 화학식 3 에서 R3는 수소, COR6, C1~20 알킬, C5~20 시클로알킬, 핵원자수 5 ~ 60 의 아릴 또는 헤테로아릴이고,R4 는 C1~20 알킬, C5~20 시클로알킬, 핵원자수 5 ~ 60 의 아릴 또는 헤테로아릴이고, R5 는 하이드록시기, C1~20알콕시기, 에테르기, 카르복실기, COR6, 티올기 및 아민기로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상이며,R6은 수소, 알콕시기, 에테르기, 카르복실기, 티올기 및 아민기로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상임)를 포함하는 제 1 항에 의한 기판 구조물의 제조 방법
18 18
제 17 항에 있어서, 상기 제 2 전구체 화합물은 하기 화학식 4 로 표시되는 것을 특징으로 하는 유무기 혼성 박막의 제조 방법
19 19
제 17 항에 있어서, 상기 제 2 전구체 화합물은 하기 화학식 5 로 표시되는 것을 특징으로 하는 유무기 혼성 박막의 제조 방법
20 20
제 17 항에 있어서, 상기 제 2 전구체 화합물은 하기 화학식 6 으로 표시되는 것을 특징으로 하는 유무기 혼성 박막의 제조 방법
21 21
제 17 항에 있어서, 상기 (1) 단계 및 (2) 단계를 반복 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유무기 혼성 박막의 제조 방법
22 22
제 17 항에 있어서, 상기 기판이 유리, 실리콘 및 플라스틱으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유무기 혼성 박막의 제조 방법
23 23
제 17 항에 있어서, 상기 (1) 단계 이전에 기판 표면에 산화층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유무기 혼성 박막의 제조 방법
24 24
제 23 항에 있어서, (3) 원자층 증착에 의하여 Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb, 및 W 로 이루어진 그룹에서 선택되는 금속의 산화물층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 제 23 항에 의한 유무기 혼성 박막을 포함하는 기능성 박막의 제조 방법
25 25
제 23 항에 있어서, 상기 (1) 단계 및 (2) 단계를 n1 회(n1 은 1 이상) 반복 수행한 후 (3) 단계를 n2 회 (n2 는 1 이상) 반복 수행하는 것을 특징으로 하는 기능성 박막의 제조 방법
26 26
제 23 항에 있어서, 상기 (1) 단계 내지 (3) 단계를 반복 수행하는 것을 특징으로 하는 다층의 기능성 박막의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN105723011 CN 중국 FAMILY
2 CN105745353 CN 중국 FAMILY
3 EP03040442 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 EP03040443 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
5 JP06286557 JP 일본 FAMILY
6 JP06654753 JP 일본 FAMILY
7 JP28534231 JP 일본 FAMILY
8 JP28537510 JP 일본 FAMILY
9 KR1020150026746 KR 대한민국 FAMILY
10 KR1020150026747 KR 대한민국 FAMILY
11 US09576876 US 미국 FAMILY
12 US10418300 US 미국 FAMILY
13 US20160215394 US 미국 FAMILY
14 US20160276241 US 미국 FAMILY
15 WO2015030297 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
16 WO2015030298 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 BR112016004389 BR 브라질 DOCDBFAMILY
2 BR112016004476 BR 브라질 DOCDBFAMILY
3 CA2922612 CA 캐나다 DOCDBFAMILY
4 CA2922615 CA 캐나다 DOCDBFAMILY
5 CN105723011 CN 중국 DOCDBFAMILY
6 CN105723011 CN 중국 DOCDBFAMILY
7 CN105745353 CN 중국 DOCDBFAMILY
8 CN105745353 CN 중국 DOCDBFAMILY
9 EP3040442 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
10 EP3040442 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
11 EP3040443 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
12 EP3040443 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
13 JP2016534231 JP 일본 DOCDBFAMILY
14 JP2016537510 JP 일본 DOCDBFAMILY
15 JP6286557 JP 일본 DOCDBFAMILY
16 JP6654753 JP 일본 DOCDBFAMILY
17 KR20150026746 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
18 MX2016002432 MX 멕시코 DOCDBFAMILY
19 MX2016002433 MX 멕시코 DOCDBFAMILY
20 RU2016111693 RU 러시아 DOCDBFAMILY
21 RU2016111694 RU 러시아 DOCDBFAMILY
22 RU2670303 RU 러시아 DOCDBFAMILY
23 RU2672962 RU 러시아 DOCDBFAMILY
24 SG11201600921X SG 싱가포르 DOCDBFAMILY
25 SG11201600923Y SG 싱가포르 DOCDBFAMILY
26 TW201508047 TW 대만 DOCDBFAMILY
27 TW201508083 TW 대만 DOCDBFAMILY
28 TWI521083 TW 대만 DOCDBFAMILY
29 TWI606111 TW 대만 DOCDBFAMILY
30 US10418300 US 미국 DOCDBFAMILY
31 US2016215394 US 미국 DOCDBFAMILY
32 US2016276241 US 미국 DOCDBFAMILY
33 US9576876 US 미국 DOCDBFAMILY
34 WO2015030297 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
35 WO2015030298 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한양대학교 산학협력단 중견연구자지원사업 분자층성장 기술을 이용한 유기-무기 나노복합초격자 제조 및 응용 연구
2 미래창조과학부 한양대학교 산학협력단 글로벌프론티어사업 3차원 멀티스케일 아키텍쳐의 제작 및 계면 조절 기술 개발
3 미래창조과학부 한양대학교 산학협력단 나노·소재기술개발사업 유기-무기 나노복합 계면 제어 기술 개발 및 이종접합 전자소자 응용 연구