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다조성계 산화물 박막용 타겟을 준비하는 단계; 및상기 산화물 박막용 타겟을 스퍼터링하여 기판 상에 산소 조성비가 다른 다층의 산화물 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 다층의 산화물 박막을 형성하는 단계는, 각각의 산화물 박막의 형성시 서로 다른 종류의 불활성 가스를 포함하는 스퍼터링 가스를 이용하는 것을 특징으로 하고,상기 서로 다른 종류의 불활성 가스 중 상대적으로 무거운 무게의 불활성 가스를 사용하는 경우에 형성되는 산화물 박막의 산소 조성비는 다른 불활성 가스를 사용하는 경우에 형성되는 산화물 박막의 산소 조성비보다 상대적으로 큰 것을 특징으로 하는 다층 산화물 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 스퍼터링 가스는 아르곤, 제논, 네온, 크립톤 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 다층 산화물 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 다조성계 산화물은 ZnO 기반의 산화물 반도체 물질인 것을 특징으로 하는 다층 산화물 박막 제조방법
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제3항에 있어서,ZnO 기반의 산화물 반도체 물질은 InGaZnO, ZnSnO, InZnO 또는 InZnSnO인 것을 특징으로 하는 다층 산화물 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 다층 산화물 박막을 형성하는 단계는,제1 스퍼터링 가스를 이용하여 상기 다조성계 산화물 박막용 타겟을 스퍼터링하여 기판 상에 제1 산화물 박막을 형성하는 단계; 및제2 스퍼터링 가스를 이용하여 상기 다조성계 산화물 박막용 타겟을 스퍼터링하여 상기 제1 산화물 박막 상에 제2 산화물 박막을 형성하는 단계를 포함하고,제1 스퍼터링 가스와 제2 스퍼터링 가스는 서로 다른 무게의 불활성 가스를 이용함으로써, 상기 제1 산화물 박막과 제2 산화물 박막의 조성비율을 조절하는 것을 특징으로 하는 다층 산화물 박막 제조방법
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제5항에 있어서,상기 제1 스퍼터링 가스 및 상기 제2 스퍼터링 가스 중 어느 하나는 크립톤 가스를 이용하고, 다른 하나는 아르곤 가스를 이용함으로써, 크립톤 가스를 이용하여 형성된 산화물 박막의 산소 조성비가 아르곤 가스를 이용한 산화물 박막의 산소 조성비보다 크게 조절하는 것을 특징으로 하는 다층 산화물 박막 제조방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 다층 산화물 박막 제조방법에 의해 제조된 다층 산화물 박막
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