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접힌 메모리 어레이 구조를 가지는 자기 저항 메모리 장치

  • 기술번호 : KST2015142266
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 트랜지스터의 사이즈를 증가시킴 없이 빠른 쓰기 시간을 실현하는 자기 저항 메모리 장치가 개시된다. 상기 자기 저항 메모리 장치는 복수의 어레이들을 가지는 메모리 블록 및 상기 메모리 블록의 쓰기 동작을 제어하는 드라이버를 포함한다. 여기서, 상기 어레이들 중 적어도 하나는 접힌 구조를 가진다.
Int. CL G11C 11/15 (2006.01)
CPC G11C 11/1675(2013.01) G11C 11/1675(2013.01) G11C 11/1675(2013.01)
출원번호/일자 1020140034260 (2014.03.24)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1605607-0000 (2016.03.16)
공개번호/일자 10-2015-0110189 (2015.10.02) 문서열기
공고번호/일자 (20160322) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.24)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유창식 대한민국 서울특별시 송파구
2 김경민 대한민국 서울특별시 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최관락 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
2 송인호 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
3 민영준 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0282169-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0089645-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0569036-34
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-1023763-35
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1023764-81
9 등록결정서
Decision to grant		 2016.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0152954-09
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수의 어레이들을 가지는 메모리 블록; 및 상기 메모리 블록의 쓰기 동작을 제어하는 드라이버를 포함하며,상기 메모리 블록의 소스 라인이 접힌 구조를 가지면서 상기 어레이의 메모리 셀들에 연결되고, 상기 어레이의 메모리 셀들 중 특정 메모리 셀로 데이터를 쓰는 쓰기 동작시 상기 소스 라인이 접힘에 따라 종단을 제외한 상기 소스 라인의 특정 지점으로 인가된 전류는 상기 소스 라인 상에서 다중 경로들로 흐르게 되며, 상기 다중 경로들로 흐르는 전류들은 상기 특정 메모리 셀로 각기 흐른 후 해당 비트 라인으로 출력되되, 상기 소스 라인이 접힘에 따라 해당 어레이 내의 메모리 셀들이 다중 라인으로 배열되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 각 어레이는 복수의 메모리 셀들을 포함하고, 상기 각 메모리 셀들은 MTJ 소자 및 트랜지스터를 포함하되,상기 MTJ 소자는 비트 라인에 연결되고, 상기 트랜지스터의 게이트는 워드 라인에 연결되며, 복수의 메모리 셀들의 트랜지스터들의 소스들이 하나의 소스 라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 드라이버는,외부로부터 입력된 어드레스에 따라 워드 라인을 선택하는 워드 라인 드라이버; 및기록할 데이터에 따라 소스 라인 및 비트 라인에 특정 전압이 인가되도록 제어하는 쓰기 버퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한양대학교산학협력단 산업기술혁신사업／산업융합원천기술개발사업／전자정보디바이스산업원천기술개발사업（RCMS） 10nm급 STT-MRAM의 MTJ 신뢰성 모델링 및 신뢰성 불량에 강인한 회로 기술 연구