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자기 저항 메모리에서 셀프 레퍼런스(self-reference) 감지 방법에 있어서, MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 셀을 통과하도록 비트 라인(Bit Line; BL)으로부터 소스 라인(Source Line; SL)으로 기록 펄스를 인가하는 단계; 및 상기 기록 펄스에 의한 상기 비트 라인의 전압 변화를 감지하는 단계를 포함하고, 상기 기록 펄스는 열 활성화(thermal activation) 구간에 포함되는 펄스 폭을 갖는 셀프 레퍼런스 감지 방법
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제1항에 있어서, 상기 기록 펄스는 상기 펄스 폭이 상기 열 활성화 구간에 포함되는 경우의 전류값 또는 전압값 중 적어도 어느 하나를 갖는 셀프 레퍼런스 감지 방법
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제1항에 있어서, 상기 비트 라인의 전압 변화가 감지된 경우, 상기 MTJ 셀을 통과하도록 상기 소스 라인으로부터 상기 비트 라인으로 상기 기록 펄스를 인가하는 단계를 더 포함하는 셀프 레퍼런스 감지 방법
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제1항에 있어서, 상기 비트 라인의 전압 변화를 감지하는 단계는 기준이 되는 비트 라인 전압을 샘플링하는 단계; 상기 기록 펄스에 의해 변화되는 비트 라인 전압을 샘플링하는 단계; 및 상기 기준이 되는 비트 라인 전압 및 상기 변화되는 비트 라인 전압을 비교하는 단계를 포함하는 셀프 레퍼런스 감지 방법
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제5항에 있어서,상기 기준이 되는 비트 라인 전압 및 상기 변화되는 비트 라인 전압을 비교하는 단계는 상기 기준이 되는 비트 라인 전압 및 상기 변화되는 비트 라인 전압 사이의 차를 계산하는 단계; 및 상기 기준이 되는 비트 라인 전압 및 상기 변화되는 비트 라인 전압 사이의 차를 증폭하는 단계를 포함하는 셀프 레퍼런스 감지 방법
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제1항에 있어서,상기 감지된 비트 라인의 전압 변화에 기초하여 상기 MTJ 셀의 자화가 반전되는지 여부를 판단하는 단계를 더 포함하는 셀프 레퍼런스 감지 방법
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자기 저항 메모리에서 셀프 레퍼런스(self-reference) 감지 장치에 있어서, MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 셀을 통과하도록 비트 라인(Bit Line; BL)으로부터 소스 라인(Source Line; SL)으로 기록 펄스를 인가하는 기록 펄스 인가부; 및 상기 기록 펄스에 의한 상기 비트 라인의 전압 변화를 감지하는 감지부를 포함하고, 상기 기록 펄스 인가부는 열 활성화(thermal activation) 구간에 포함되는 펄스 폭을 갖는 상기 기록 펄스를 인가하는 셀프 레퍼런스 감지 장치
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제8항에 있어서, 상기 기록 펄스 인가부는 상기 펄스 폭이 상기 열 활성화 구간에 포함되는 경우의 전류값 또는 전압값 중 적어도 어느 하나를 갖는 상기 기록 펄스를 인가하는 셀프 레퍼런스 감지 장치
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제8항에 있어서, 상기 기록 펄스 인가부는 상기 비트 라인의 전압 변화가 감지된 경우, 상기 MTJ 셀을 통과하도록 상기 소스 라인으로부터 상기 비트 라인으로 상기 기록 펄스를 인가하는 셀프 레퍼런스 감지 장치
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제8항에 있어서, 상기 감지부는 기준이 되는 비트 라인 전압을 샘플링하고, 상기 기록 펄스에 의해 변화되는 비트 라인 전압을 샘플링하여, 상기 기준이 되는 비트 라인 전압 및 상기 변화되는 비트 라인 전압을 비교하는 셀프 레퍼런스 감지 장치
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제12항에 있어서,상기 감지부는 상기 기준이 되는 비트 라인 전압 및 상기 변화되는 비트 라인 전압 사이의 차를 증폭하는 증폭부를 더 포함하고, 상기 감지부는 상기 기준이 되는 비트 라인 전압 및 상기 변화되는 비트 라인 전압 사이의 차를 계산하고, 상기 증폭된 상기 기준이 되는 비트 라인 전압 및 상기 변화되는 비트 라인 전압 사이의 차에 기초하여 상기 비트 라인의 전압 변화를 감지하는 셀프 레퍼런스 감지 장치
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제8항에 있어서,상기 감지부는 상기 감지된 비트 라인의 전압 변화에 기초하여 상기 MTJ 셀의 자화가 반전되는지 여부를 판단하는 셀프 레퍼런스 감지 장치
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