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기판 상에 금속막을 형성하는 단계;상기 금속막 상에 소자를 형성하는 단계;상기 금속막 및 상기 소자 위에 고분자 용액을 도포하여 고분자막을 형성하는 단계; 및상기 금속막 및 상기 소자를 가지는 고분자막을 상기 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는, 유연소자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 금속막은 Mo, Au, Cu, Cr, Pt, Ni, Ti, P로 이루어지는 군에서 선택되는 금속; 또는 B, Si, Ge
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제 1항에 있어서,상기 소자는 상기 금속막 상에 성장한 탄소, 금속, 또는 금속산화물로 이루어진 것인, 유연소자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 고분자 용액은 고분자를 포함하며, 상기 고분자는 PVA(polyvinyl alcohol)계, PMMA(polymethyl methacrylate)계, PVP(polyvinyl pyrolidone)계, PEO(polyethylene oxide)계, PVC(polyvinyl chloride)계, PAA(polyacrylic acid)계, PAM (Polyacrylamide)계, 및 PDMS(Polydimethylsiloxane)계로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 것인, 유연소자의 제조방법
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제 4항에 있어서,상기 고분자 용액은 산(acid)을 더 포함하는 것인, 유연소자의 제조방법
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제 4항에 있어서,상기 고분자 용액은 이온 전도체 또는 이온성 액체(Ionic Liquid)를 더 포함하는 것인, 유연소자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 고분자막의 영률(Young's modulus)은 1 MPa 내지 500 MPa인 것인, 유연소자의 제조방법
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상기 제 1항 내지 제7항의 제조방법에 의하여 제조된 유연소자
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상기 제 1항 내지 제7항의 제조방법에 의하여 제조된 유연소자 간의 접합에 의하여 형성된 접합소자
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