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자외선 수광소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015142408
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자외선 수광소자의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전자빔 및 양성자빔의 조사에 의해 p-n 접합면에 절연층을 형성하여 p-i-n 구조의 소자를 제작함으로써, 소자 제작공정이 단순하고 대량생산이 용이한 자외선 수광소자의 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 사파이어 기판위에 버퍼 GaN 층, n형 및 p형 GaN 반도체 층이 차례로 형성된 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 상부 반도체 층을 패턴한 후 식각공정을 통하여 하부 반도체층을 노출시키는 단계; 상기 식각공정이 완료된 GaN 웨이퍼에 하드 마스크를 통과한 전자빔 또는 양성자빔을 조사하여 p-n 접합면에 절연층을 형성시키는 단계; 상기 조사된 웨이퍼에 후 열처리 공정을 통하여 절연층을 최적화 시키는 단계; 및 상기 전자빔 및 양성자빔의 조사가 완료된 소자에 투명전극 및 전극 패드를 형성하는 단계;를 포함하는 자외선 수광소자의 제조방법을 제공한다.사파이어 기판, 전자빔 또는 양성자빔, 절연층, 투명전극층, 전극패드층, 하드 마스크
Int. CL H01L 31/101 (2006.01.01) H01L 31/09 (2006.01.01) H01L 31/0304 (2006.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/101(2013.01) H01L 31/101(2013.01) H01L 31/101(2013.01) H01L 31/101(2013.01) H01L 31/101(2013.01) H01L 31/101(2013.01)
출원번호/일자 1020060045461 (2006.05.22)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0798052-0000 (2008.01.18)
공개번호/일자 10-2007-0112499 (2007.11.27) 문서열기
공고번호/일자 (20080128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김은규 대한민국 서울 마포구
2 이동욱 대한민국 서울 성동구
3 박지선 대한민국 경북 상주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0352717-38
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2007-0012992-80
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0330047-22
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2007.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0600387-05
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.09.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0673492-80
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0673493-25
8 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0637644-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
사파이어 기판 상에 버퍼 GaN 층, n형 GaN 반도체 층 및 p형 GaN 반도체 층이 차례로 형성된 반도체 기판을 준비하는 단계;상기 p형 GaN 반도체 층 및 상기 n형 GaN 반도체 층 일부를 패터닝하여, 상기 p형 GaN 반도체 층을 패터닝함과 아울러, n형 GaN 반도체층의 일부를 노출시키는 단계;상기 식각공정이 완료된 p형 GaN 반도체 층, n형 GaN 반도체 층 및 버퍼 GaN 층을 포함하는 사파이어 기판 상에 전자빔 또는 양성자빔을 조사하여 상기 패터닝된 p형 GaN 반도체 층과 상기 n형 GaN 반도체 층의 접합면에 절연층을 형성시키는 단계;상기 절연층이 형성된 p형 GaN 반도체 층, n형 GaN 반도체 층 및 버퍼 GaN 층을 포함하는 사파이어 기판에 후 열처리 공정을 통하여 절연층을 최적화시키는 단계;상기 패터닝된 p형 GaN 반도체 층 상에 투명 전극을 형성하는 단계;상기 패터닝된 p형 GaN 반도체 층 및 노출된 n형 GaN 반도체 층 상에 전극 패드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 수광소자의 제조방법
2 2
사파이어 기판 위에 버퍼 GaN 층, n형 GaN 반도체 층 및 p형 GaN 반도체 층이 차례로 형성된 반도체 기판을 준비하는 단계;상기 p형 GaN 반도체 층, n형 GaN 반도체 층 및 버퍼 GaN 층을 포함하는 사파이어 기판에 하드 마스크를 통과한 전자빔 또는 양성자빔를 조사하여 p-n 접합면에 절연층을 형성시키는 단계;상기 n형 GaN 반도체층이 노출되도록 상기 p형 GaN 반도체 층 및 n형 GaN 반도체층의 일부를 패터닝하는 단계;상기 절연층이 형성된 p형 GaN 반도체 층, n형 GaN 반도체 층 및 버퍼 GaN 층을 포함하는 사파이어 기판에 후 열처리 공정을 통하여 절연층을 최적화시키는 단계;상기 p형 GaN 반도체 층 상에 투명 전극 및 전극 패드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 수광소자의 제조방법
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삭제
4 4
삭제
5 5
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 절연층(15)의 형성을 위해 조사되는 전자빔 또는 양성자빔(32)은 에너지 1~2 MeV , 농도 1×1015~1×1016 cm-3 으로 조사되는 것을 특징으로 하는 자외선 수광소자의 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 p형 GaN 반도체 층의 두께는 0
7 7
청구항 5에 있어서,상기 p형 GaN 반도체 층의 두께는 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.