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실리콘 카바이드 나노입자를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014009919
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘 카바이드 나노입자를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조방법이 개시된다. 열처리를 통해 실리콘 카바이드층은 실리콘 카바이드 나노입자로 변환된다. 실리콘 카바이드 나노입자는 비휘발성 메모리에서 부유 게이트로 활용된다. 이를 통하여 정보의 프로그램 및 소거가 가능한 나노 양자점이 형성되며, 저전력 및 고속 동작이 가능한 비휘발성 메모리 소자가 제작된다. 실리콘 카바이드, 비휘발성 메모리, 부유 게이트
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020070119250 (2007.11.21)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0929397-0000 (2009.11.24)
공개번호/일자 10-2009-0052641 (2009.05.26) 문서열기
공고번호/일자 (20091202) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.21)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김은규 대한민국 서울 성동구
2 조원주 대한민국 서울 노원구
3 이동욱 대한민국 서울 성동구
4 이태희 대한민국 서울 광진구
5 김선필 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0838056-67
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0041768-73
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0503713-23
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0259072-33
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.07.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0403799-50
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0403791-96
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0470504-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판, 제1 실리콘 산화막 및 상부 실리콘층으로 구성된 반도체 기판; 상기 상부 실리콘층 상에 형성되고, 실리콘에 도핑이 실시된 실리콘 도핑 패턴; 상기 상부 실리콘층 및 상기 실리콘 도핑 패턴 상에 형성되고, 상기 반도체 기판의 상기 상부 실리콘층 표면으로부터 소정 깊이로 형성된 터널 절연막; 상기 터널 절연막 상부에 형성된 제2 실리콘 산화막; 상기 제2 실리콘 산화막 내부에 분산된 형태로 구비되는 실리콘 카바이드 나노입자; 상기 실리콘 카바이드 나노입자를 함유하는 상기 제2 실리콘 산화막 상부에 형성된 컨트롤 절연막; 및 상기 컨트롤 절연막 상부에 형성된 게이트 전극층을 포함하는 비휘발성 메모리
2 2
제1항에 있어서, 상기 터널 절연막은 HfO2, ZrO2, Al2O3 또는 실리콘 산화물이며, 상기 터널 절연막의 두께는 EOT에 대해 실리콘 산화물 대비 3nm 내지 5nm인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리
3 3
제1항에 있어서, 상기 컨트롤 절연막은 HfO2, ZrO2, Al2O3 또는 실리콘 산화물이며, 상기 컨트롤 절연막의 두께는 EOT에 대해 실리콘 산화물 대비 10nm 내지 30nm인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리
4 4
제1항에 있어서, 상기 게이트 전극층은 알루미늄, 구리, 금 또는 백금인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리
5 5
제1항에 있어서, 상기 실리콘 카바이드 나노입자는 상기 터널 절연막 상부에 실리콘 카바이드층을 형성하고, 상기 실리콘 카바이드층에 대해 700℃ 내지 900℃에서 3분 내지 5분 동안 열처리를 수행하는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리
6 6
실리콘 기판, 제1 실리콘 산화막 및 상부 실리콘층으로 구성된 반도체 기판 상에 실리콘에 도핑이 실시된 실리콘 도핑층을 형성하는 단계; 상기 실리콘 도핑층에 대한 식각을 수행하여 실리콘 도핑 패턴을 형성하고, 상기 상부 실리콘층의 표면을 소정 깊이로 식각하는 단계; 상기 상부 실리콘층 표면 및 상기 실리콘 도핑 패턴 상에 터널 절연막, 실리콘 카바이드층 및 제2 실리콘 산화막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 실리콘 카바이드층에 대한 열처리를 수행하여 상기 제2 실리콘 산화막 내에 실리콘 카바이드 나노입자를 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 카바이드 나노입자가 형성된 상기 제2 실리콘 산화막 상에 컨트롤 절연막 및 게이트 전극층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 열처리는 700℃ 내지 900℃에서 3분 내지 5분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 제조방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 제2 실리콘 산화막 내에 실리콘 카바이드 나노입자를 형성하는 단계는, 상기 열처리에 의해 상기 실리콘 카바이드 나노입자를 상기 제2 실리콘 산화막 내에 분산시키는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 제조방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 실리콘 카바이드층은 물리적 기상 증착을 이용하여 5nm 내지 8nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.