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비휘발성 메모리 단위 소자의 제조 방법에 있어서, 반도체 기판에 소스와 드레인을 형성하는 제1과정과;스퍼터링 방법으로 상기 반도체 기판 위에 터널링 산화막을 증착하는 제2과정과;상기 터널링 산화막 위에 금속 박막을 증착하는 제3과정과;상기 금속 박막위에 절연막을 성장시키는 제4과정과;와 Ar가스 환경에서 압력을 5nm Torr로 하고, 상기 반도체 기판의 온도를 300℃로 하여, 상기 금속박막을 금속 나노입자로 만드는 제5과정과;컨트롤 게이트로 이용할 금속 박막을 기상증착법으로 증착하는 제6과정과;상기 컨트롤 게이트로 이용할 금속 박막을 게이트 형태로 형성하는 제7과정을 포함하는 비휘발성 메모리 단위 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제3과정에서 상기 금속 박막을 0
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제1항에 있어서, 상기 제4과정에서 상기 절연막을 50 nm로 성장시키는, 비휘발성 메모리 단위 소자의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 금속 박막은 금(Au)과 은(Ag) 중 어느 하나인, 비휘발성 메모리 단위 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 터널링 산화막과 상기 절연막은 실리콘 산화 물질인, 비휘발성 메모리 단위 소자의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 금속 박막의 두께를 0
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제1항에 있어서, 상기 제5과정을 수행하기 이전에, 상기 제2과정에서 제4과정을 반복 수행하여, 상기 절연막 내에 두 층 이상의 금속 나노입자를 형성하는, 비휘발성 메모리 단위 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 컨트롤 게이트로 이용할 금속 박막을 게이트 형태로 형성하는 제7과정은 마스크를 이용하는, 비휘발성 메모리 단위 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극이 외부로 노출되도록 상기 절연막을 식각하여 단위 소자구조를 형성하는 제8과정을 더 포함하는, 비휘발성 메모리 단위 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 터널링 산화막과 상기 절연막을 형성하는 과정은,와 Ar가스를 주입하여 압력은 5nm Torr까지 높인 다음, 기판 온도가 300℃인 조건에서 수행하는, 비휘발성 메모리 단위 소자의 제조 방법
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