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카르복실기를 포함하는 음이온성 분산제; 아민기 및 히드록시기를 포함하는 첨가제; 및연마 입자;를 포함하는, 연마 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 음이온성 분산제는, X-R1-COOH를 포함하고,X는 -CH3, -OH, -H 및 -SO3로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고, R1은 1개 이상의 벤젠 고리를 포함하는 것인, 연마 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 음이온성 분산제는, 폴리아크릴산(polyacrylic acid), 폴리술폰산(polysulfonic acid), 폴리아크릴아마이드/아크릴산 공중합체(polyacrylamide/acrylic acid copolymer), 폴리아크릴산/술폰산 공중합체(polyacrylic acid/sulfonic acid copolymer), 폴리술폰산/아크릴아마이드 공중합체(polysulfonic acid/acrylamide copolymer), 및 폴리아크릴산/말론산 공중합체(polyacrylic acid/malonic acid copolymer)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 연마 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 음이온성 분산제는, 상기 연마 슬러리 조성물 중 0
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제1항에 있어서,상기 첨가제는, HO-Rn-NH2를 포함하는 것인, 연마 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 첨가제는, 아미노 부티르산(amino butyric acid), 프롤린(proline), 세린(serine), 글루타민(glutamine), 베타인(betaine), 파이로글루타민산(pyroglutamic acid), 아르지닌(arginine), 글라이신(glycine), 오르니틴(ornithine), 페닐알라닌(phenylalanine), 티로신(tyrosine), 발린(valine) 및 아미노벤조산(aminobenzoic acid)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 연마 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 첨가제는, 상기 연마 슬러리 조성물 중 0
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제1항에 있어서,상기 연마 입자는,세리아 입자, 실리카 입자, 알루미나 입자, 지르코니아 입자 및 티타니아 입자로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 금속산화물 입자;스티렌계 중합체 입자, 아크릴계 중합체 입자, 폴리염화비닐 입자, 폴리아미드 입자, 폴리카보네이트 입자 및 폴리이미드 입자로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 입자; 및상기 금속산화물 입자와 유기 입자를 복합하여 형성한 유기-무기 복합 입자;로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는, 연마 슬러리 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 연마 입자는, 액상법에 의해 제조된 것인, 연마 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,암모늄나이트레이트, 암모늄포스페이트, 암모늄아세테이트, 암모늄클로라이드, 암모늄설페이트, 암모늄포메이트, 암모늄카르보네이트 및 암모늄사이트레이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 암모늄염을 더 포함하는 것인, 연마 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 연마 슬러리 조성물 중 1차 입자의 크기는 5 nm 내지 100 nm 이고, 2차 입자의 평균입경이 50 nm 내지 300 nm인 것인, 연마 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 연마 슬러리 조성물은, pH가 3 내지 8인 것인, 연마 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 연마 슬러리 조성물 표면의 제타전위가 +25 mV 내지 +80 mV 인 것인, 연마 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,얕은 트렌치 소자 분리(shallow trench isolation; STI) 공정에서 산화막 대비 질화막의 연마 선택비가 30 내지 50 : 1 이상인 것인, 연마 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 연마 슬러리 조성물은, 초기 단차 제거용인 것인, 연마 슬러리 조성물
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제1항 내지 제15항 중 어느 한 항의 연마 슬러리 조성물을 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법
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