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극성을 갖는 이온빔을 추출하는 이온소오스, 상기 이온소오스의 한쪽 단부에 위치하며, 특정 극성의 이온빔을 가속시키는 복수개의 그리드홀이 형성된 그리드 어셈블리를 구비한 중성빔 식각장치에 있어서, 상기 그리드 어셈블리의 그리드홀에 대응하는 복수개의 반사체 홀 또는 슬릿부가 형성되어 있으며, 상기 그리드홀을 통과한 이온빔을 상기 반사체 홀 또는 슬릿부 내에서 반사시켜 중성빔으로 전환시켜 주는 반사체를 포함하여 이루어지고, 상기 반사체의 홀 또는 슬릿부 표면이 다이아몬드상 카본(Diamond like carbon; 이하 DLC라 함)으로 코팅된 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치
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극성을 갖는 이온빔을 추출하는 이온소오스, 상기 이온소오스의 한쪽 단부에 위치하며, 특정 극성의 이온빔을 가속시키는 복수개의 그리드홀이 형성된 그리드 어셈블리를 구비한 중성빔 식각장치에 있어서, 상기 그리드 어셈블리의 그리드홀에 대응하는 복수개의 반사체 홀 또는 슬릿부가 형성되어 있으며, 상기 그리드홀을 통과한 이온빔을 상기 반사체 홀 또는 슬릿부 내에서 반사시켜 중성빔으로 전환시켜 주는 반사체를 포함하여 이루어지고, 상기 반사체가 유리질 카본(glassy carbon)으로 이루어지거나, 또는 반사체 홀 또는 슬릿부 표면이 유리질 카본으로 이루어진 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 그리드홀의 직경에 비하여 상기 반사체 홀 또는 슬릿부들의 직경이 같거나 더 큰 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 그리드홀들을 통과하여 직진하는 이온빔이 상기 반사체 홀 또는 슬릿부 내에서 반사되도록 상기 반사체 홀 또는 슬릿부들은 이온빔의 직진 방향에 대하여 일정한 각도로 경사져 있는 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반사체 홀 또는 슬릿부들은 상기 반사체내에서 상기 반사체의 중심선에 대하여 일정한 각도로 경사져 있는 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 이온소오스는 용량결합(capacitively coupled) RF형 이온빔 소오스나, 헬리콘 웨이브 결합 이온빔 소오스, 음이온 소오스, 전자-사이크로트론 반응기(ECR) 이온빔 소오스 또는, 유도결합형 플라즈마 소오스 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반사체 홀 또는 슬릿부는 원통형상 또는 직사각기둥 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반사체 내의 반사체 홀 또는 슬릿부의 표면에 입사되는 이온빔의 입사각이 15°이내의 범위인 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반사체 내의 반사체 홀 또는 슬릿부의 표면에서 반사되는 이온빔의 반사각이 40° 이내인 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치
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제1항에 있어서, 상기 반사체 내의 반사체 홀 또는 슬릿부의 표면에 입사되는 이온빔의 입사각은 5°이고, 반사각은 10°인 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치
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