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반도체 기판 내 평탄막 또는 패턴을 형성하기 위하여, 산화막을 증착시키는 ALCVD 장치 및
상기 평탄막의 밀도 향상 및 패턴 간에 증착되는 산화막의 심(Seam) 또는 보이드(Void)를 제거하기 위하여, 이온빔을 중성빔으로 변환하고, 상기 중성빔을 상기 패턴을 위해 증착되는 산화막에 조사하여 표면처리하는 중성빔 발생부를 포함하며,
상기 산화막의 증착과 상기 중성빔의 조사가 실행되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치
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청구항 1에 있어서
상기 패턴은 트랜치 패턴인 것을 특징으로 하는 기판처리장치
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청구항 2에 있어서,
상기 트랜치의 폭은 65 nm 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치
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청구항 3에 있어서,
상기 트랜치의 가로세로비는 10:1 이상인 것을 특징으로 하는 기판처리장치
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청구항 1에 있어서,
상기 중성빔 발생부는
상기 이온빔을 생성하기 위한 가스가 주입되면, 상기 가스로부터 극성을 가지는 이온빔을 생성하는 이온 소스부,
상기 이온 소스부의 일측 단부에 마련된 그리드,
상기 그리드에 대응되어 구비되며, 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체 및
상기 중성빔의 진행 경로 상에 피처리 기판인 웨이퍼가 위치되는 스테이지를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치
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청구항 5에 있어서,
상기 중성빔 발생부에 주입되는 상기 가스는 비활성 기체 또는 질소 계열 기체 또는 산소 계열 기체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판처리장치
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청구항 6에 있어서,
상기 반도체 기판은 STI 또는 ILD 또는 PMD 또는 IMD 공정에 이용되는 산화막 계열인 것을 특징으로 하는 기판처리장치
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8
이온빔을 생성하기 위하여 가스를 주입하는 단계,
주입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 생성하는 단계,
상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 단계,
반도체 기판 내에 평탄막 또는 패턴을 형성하기 위하여 산화막을 증착시키는 단계 및
상기 중성빔을 반도체 기판 내의 산화막에 조사하는 단계를 포함하고,
상기 산화막은 상기 반도체 기판에 형성된 평탄막 또는 패턴에 증착되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법
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청구항 8에 있어서,
상기 패턴은 트랜치 패턴인 것을 특징으로 하는 기판처리방법
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청구항 9에 있어서,
상기 트랜치의 폭은 65 nm 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리방법
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청구항 10에 있어서,
상기 트랜치의 가로세로비는 10:1 이상인 것을 특징으로 하는 기판처리방법
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