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실리콘 건식식각을 이용한 웨이퍼 표면의 나노 피라미드 구조 형성방법 및 이 구조를 이용한 게이트 메모리

  • 기술번호 : KST2015143457
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 RF 플라즈마 반응관 내에서 반응가스를 혼합하고 RF 입력파워의 조절을 통하여 플라즈마를 발생시켜 반응성 이온 에칭 방법으로 실리콘 웨이퍼를 건식 식각하여 실리콘 웨이퍼 표면에 나노 피라미드 형태의 구조를 형성하고, 형성된 나노 피라미드 형태의 구조를 통하여 플로팅 게이트 메모리의 양자점과의 접촉면을 증가시켜 플래시 메모리의 데이터 저장 용량을 증대시키기 위한 실리콘 건식식각을 이용한 웨이퍼 표면의 나노 피라미드 구조 형성방법이 개시된다. 본 발명은, 진공 상태의 RF 플라즈마 반응관내부의 전극에 실리콘 웨이퍼를 투입하는 웨이퍼 투입 단계; RF 플라즈마 반응관 내부에 불화유황(SF6)과 산소(O2)가스를 주입하는 가스 주입 단계; 가스가 주입된 RF 플라즈마 반응관 내부에 RF 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 단계; 투입되는 불화유황(SF6)과 산소(O2)가스의 유량이 상기 불화유황(SF6) : 산소(O2)가 20~25sccm : 10~15sccm의 가스 분압을 가지도록 조정하고, RF 플라즈마 반응관 내부에 인가되는 RF 전력을 90~110W로 조정함으로서 조정된 플라즈마를 통하여 상기 실리콘 웨이퍼를 나노 피라미드 형태로 건식 식각하는 실리콘 웨이퍼 표면 식각 단계를 포함하는 것이다.
Int. CL H01L 21/8247 (2011.01) H01L 21/3065 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01)
출원번호/일자 1020050043406 (2005.05.24)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0789987-0000 (2007.12.21)
공개번호/일자 10-2006-0121324 (2006.11.29) 문서열기
공고번호/일자 (20080102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.05.24)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이 준 신 대한민국 경기 안양시 동안구
2 김경해 대한민국 경기 수원시 장안구
3 정성욱 대한민국 경기 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 윤의상 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구 풍산로 **, 충북중소기업종합지원센타 *층 한울국제특허법률사무소 (가경동)
2 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2005-0270605-98
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0495793-09
3 의견서
Written Opinion
2006.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0780635-65
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0780634-19
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2007.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0154887-73
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.04.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2007-0312060-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.06.11 수리 (Accepted) 4-1-2007-5089344-29
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0343199-57
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.07.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0526585-13
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0526586-69
11 등록결정서
Decision to grant
2007.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0619323-74
12 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2007.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0893903-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
ⅰ)진공 상태의 RF 플라즈마 반응관내부의 전극에 실리콘 웨이퍼를 투입하는 웨이퍼 투입 단계;ⅱ)상기 RF 플라즈마 반응관 내부에 불화유황(SF6)과 산소(O2)가스를 주입하는 가스 주입 단계;ⅲ)상기 가스가 주입된 RF 플라즈마 반응관 내부에 RF 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 단계; 그리고,ⅳ) 상기 단계후에 투입되는 불화유황(SF6)과 산소(O2)가스의 유량이 상기 불화유황(SF6) : 산소(O2)가 20~25sccm : 10~15sccm의 가스 분압을 가지도록 조정하고, 상기 RF 플라즈마 반응관 내부에 인가되는 RF 전력을 90~110W로 조정함으로서 조정된 플라즈마를 통하여 상기 실리콘 웨이퍼를 나노 피라미드 형태로 건식 식각하는 실리콘 웨이퍼 표면 식각 단계를 포함하는 실리콘 건식식각을 이용한 웨이퍼 표면의 나노 피라미드 구조 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 ⅳ단계에서 상기 RF 플라즈마 반응관(40)내부로 투입되는 불화유황(SF6)과 산소(O2)가스의 유량은 상기 불화유황(SF6) : 산소(O2)가 22sccm : 12sccm의 가스 분압을 가지도록 조정하고, 상기 RF 플라즈마 반응관(40)내부에 인가되는 RF 전력을 100W로 조정하는 것을 특징으로 하는 실리콘 건식식각을 이용한 웨이퍼 표면의 나노 피라미드 구조 형성방법
3 3
청구항 1 항 또는 청구항 2항에 기술된 방법을 사용하여 제작된 나노 피라미드 표면 구조(20)를 가지도록 식각된 실리콘 기판(11)상에 터널 산화막(12)을 형성하고, 상기 터널 산화막(12)상에 양자점(13)을 형성한 후에, 상기 양자점(13)상에 컨트롤 절연막(14)을 형성하고 상기 컨트롤 절연막(14)상에 게이트 전극(15)을 형성하여 정보 저장량을 증가시키기 위한 부유 게이트 메모리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.