맞춤기술찾기

이전대상기술

더블 방전 시스템을 이용한 대기압 플라즈마 발생 장치

  • 기술번호 : KST2015143479
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 더블 방전 시스템을 이용한 대기압 플라즈마 발생 장치를 제공한다. 상기 더블 방전 시스템을 이용한 대기압 플라즈마 발생 장치는 제1 전극부, 상기 제1 전극부와 인접하여 배치된 제2 전극부, 상기 제2 전극부와 인접하여 배치되고 상기 제2 전극부를 중심으로 상기 제1 전극부와 대향하는 제3 전극부 및 상기 제1 전극부 내지 상기 제3 전극부의 하부에 이격되어 배치된 제4 전극부를 포함하고, 상기 제1 전극부 내지 상기 제3 전극부 중 적어도 1개 이상은 제1 파워 전원에 연결되고, 상기 제1 전극부 내지 상기 제3 전극부 중 적어도 1개 이상은 그라운드에 연결되고, 상기 제4 전극부는 제2 파워 전원에 연결되고, 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부 사이 및 상기 제2 전극부와 상기 제3 전극부 사이로 가스가 공급되어 플라즈마가 발생하는 대기압 플라즈마 발생장치를 포함한다. 따라서 상, 하부 전극에 바이어스를 인가하고 상부 전극 중 적어도 1개 이상 그라운드를 연결함으로써, 안정되고 공정효율이 높은 대기압 플라즈마를 발생시키고 각각 다른 주파수를 가지는 파워 전원을 각각의 상, 하부 전극에 연결하여 바이어스를 인가함으로써, 각 주파수가 가지는 고유의 방전 특성을 동시에 발생시킬 수 있다.
Int. CL H05H 1/46 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01) H05H 1/34 (2006.01)
CPC H01J 37/32568(2013.01) H01J 37/32568(2013.01) H01J 37/32568(2013.01) H01J 37/32568(2013.01) H01J 37/32568(2013.01) H01J 37/32568(2013.01) H01J 37/32568(2013.01)
출원번호/일자 1020110041022 (2011.04.29)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0122698 (2012.11.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.29)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울특별시 송파구
2 박재범 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0321826-53
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.01.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0009732-17
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0451729-74
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0796537-15
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0796530-96
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0031042-11
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0233798-44
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.03.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0233787-42
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.07.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0472101-94
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.01.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0005023-34
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전극부;상기 제1 전극부와 인접하여 배치된 제2 전극부;상기 제2 전극부와 인접하여 배치되고 상기 제2 전극부를 중심으로 상기 제1 전극부와 대향하는 제3 전극부; 및상기 제1 전극부 내지 상기 제3 전극부의 하부에 이격되어 배치된 제4 전극부를 포함하고,상기 제1 전극부 내지 상기 제3 전극부 중 적어도 1개 이상은 제1 파워 전원에 연결되고,상기 제1 전극부 내지 상기 제3 전극부 중 적어도 1개 이상은 그라운드에 연결되고,상기 제4 전극부는 제2 파워 전원에 연결되고,상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부 사이 및 상기 제2 전극부와 상기 제3 전극부 사이로 가스가 공급되어 플라즈마가 발생하는 대기압 플라즈마 발생장치
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 전극부 및 상기 제3 전극부는 상기 제1 파워 전원에 연결되고,상기 제2 전극부는 상기 그라운드에 연결된 대기압 플라즈마 발생장치
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 전극부 및 상기 제3 전극부는 상기 그라운드에 연결되고,상기 제2 전극부는 상기 제1 파워 전원에 연결된 대기압 플라즈마 발생장치
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 전극부는 상기 제1 파워 전원에 연결되고,상기 제2 전극부는 상기 그라운드에 연결되고,상기 제3 전극부는 제3 파워 전원에 연결된 대기압 플라즈마 발생장치
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 전극부 내지 상기 제4 전극부의 외부는 유전체막으로 도포된 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 발생장치
6 6
제1항에 있어서,상기 제1 파워 전원과 상기 제2 파워 전원은 전압 및 주파수가 서로 다른 것인 대기압 플라즈마 발생장치
7 7
제1항에 있어서,상기 가스는 O2, H2, He, Ar, N2, HMDS, NF3, SF6 또는 이들의 혼합가스인 대기압 플라즈마 발생장치
8 8
제1항에 있어서,상기 제1 전극부 내지 상기 제4 전극부는 쿨링부를 포함하는 대기압 플라즈마 발생장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 ㈜ 삼성전자 LCD 연구소 차세대 정보 디스플레이 기술 개발 사업 Printed TFT의 저손상 Passivation 공정 개발