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복합 투명 전극을 포함하는 그래핀 기반 포토 디텍터와 그 제조방법 및 포토 디텍터를 포함하는 장치
- 기술번호 : KST2015143645
- 담당센터 :
- 전화번호 :
| 요약 | 복합 투명 전극을 포함하는 그래핀 기반 포토 디텍터와 그 제조방법 및 포토 디텍터를 포함하는 장치에 관해 개시되어 있아. 일 실시예에 의한 그래핀 기반 포토 디텍터는 기판과, 기판 상에 구비된 그래핀층과, 상기 그래핀층 상에 형성되고, 서로 이격된 제1 및 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 및 제2 전극은 복합 투명 전극을 포함한다. 이러한 포토 디텍터에서, 상기 제1 및 제2 전극의 복합 투명 전극은 다른 구성을 가질 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/10 (2006.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020110121729 (2011.11.21) |
| 출원인 | 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1539671-0000 (2015.07.21) |
| 공개번호/일자 | 10-2013-0056011 (2013.05.29) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20150727) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2014.12.30) |
| 심사청구항수 | 22 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 성균관대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 최재영 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 유원종 | 미국 | 경기도 하남시 감 |
| 3 | 라창호 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
| 4 | 심전자 | 중국 | 경기도 수원시 장안구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 경기도 수원시 영통구 | |
| 2 | 성균관대학교산학협력단 | 경기도 수원시 장안구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.11.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0920286-36 |
| 2 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.12.06 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0967744-81 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
| 7 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2014.12.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1278247-66 |
| 8 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2015.01.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0007582-79 |
| 9 | [우선심사신청]선행기술조사의뢰서 [Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search |
2015.01.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 10 | [우선심사신청]선행기술조사보고서 [Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search |
2015.01.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2015-0006681-76 |
| 11 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2015.01.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0045609-40 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.03.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0241585-38 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2015.03.12 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0241586-84 |
| 14 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2015.05.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0293936-60 |
| 15 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.07.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0640494-85 |
| 16 | 등록결정서 Decision to grant |
2015.07.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0474490-44 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판;기판 상에 구비된 그래핀층; 및 상기 그래핀층 상에 형성되고, 서로 이격된 제1 및 제2 전극;을 포함하고,상기 제1 및 제2 전극은 복합 투명 전극을 포함하는 포토 디텍터 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 전극의 복합 투명 전극은 다른 구성을 갖는 포토 디텍터 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 제1 전극의 복합 투명 전극은 투명한 제1 금속전극과 투명전극이 순차적으로 적층된 전극인 포토 디텍터 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 제2 전극의 복합 투명 전극은 투명한 제2 금속전극과 투명전극이 순차적으로 적층된 전극인 포토 디텍터 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 기판은 단층 또는 복층인 포토 디텍터 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 기판은 유연성 기판인 포토 디텍터 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서,상기 복합 투명 전극은 20nm 이하의 금속전극을 포함하는 포토 디텍터 |
| 8 |
8 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 투명 전극은 투명 전도성 산화막(TCO) 전극, 탄소나노튜브 전극 또는 그래핀 전극인 포토 디텍터 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 전극의 밑면 일부 또는 전부는 상기 그래핀층과 접촉되어 상기 제1 및 제2 전극과 상기 그래핀층의 계면은 상기 제1 및 제2 전극의 밑면 전체로 확장된 포토 디텍터 |
| 10 |
10 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계;상기 그래핀층 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 그래핀층 상에 상기 제1 전극과 이격된 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1 및 제2 전극은 복합 투명 전극으로 형성하는 포토 디텍터의 제조방법 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서,상기 제1 전극의 상기 복합 투명 전극은,상기 그래핀층 상에 투광성 두께의 제1 금속 전극을 형성하는 단계;상기 제1 금속 전극 상에 투명 전극을 형성하는 단계; 및상기 투명전극 및 상기 제1 금속전극을 패터닝하는 단계;를 포함하여 형성하는 포토 디텍터의 제조방법 |
| 12 |
12 제 10 항에 있어서,상기 제2 전극의 상기 복합 투명 전극은,상기 그래핀층 상에 투광성 두께의 제2 금속 전극을 형성하는 단계;상기 제2 금속 전극 상에 투명 전극을 형성하는 단계; 및상기 투명전극 및 상기 제2 금속전극을 패터닝하는 단계;를 포함하여 형성하는 포토 디텍터의 제조방법 |
| 13 |
13 제 11 항에 있어서,상기 제1 금속 전극은 20nm 이하의 두께로 형성하는 포토 디텍터의 제조방법 |
| 14 |
14 제 12 항에 있어서,상기 제2 금속전극은 20nm 이하의 두께로 형성하는 포토 디텍터의 제조방법 |
| 15 |
15 제 11 항에 있어서,상기 제1 금속 전극은 Pd, Ti, Al, Au, Ag, Pt, Cr, Ni, Co 및 Cu 중 어느 하나로 형성하는 포토 디텍터의 제조방법 |
| 16 |
16 제 12 항에 있어서,상기 제2 금속전극은 Pd, Ti, Al, Au, Ag, Pt, Cr, Ni, Co 및 Cu 중 어느 하나로 형성하는 포토 디텍터의 제조방법 |
| 17 |
17 제 11항 또는 제 12 항에 있어서,상기 투명전극은 투명 전도성 산화막(TCO) 전극, 탄소나노튜브 전극 또는 그래핀 전극인 포토 디텍터의 제조방법 |
| 18 |
18 제 10 항에 있어서,상기 기판은 단층 또는 복층으로 형성하는 포토 디텍터의 제조방법 |
| 19 |
19 제 10 항에 있어서,상기 기판은 유연성 기판으로 형성하는 포토 디텍터의 제조방법 |
| 20 |
20 제 10 항에 있어서,상기 제1 및 제2 전극의 밑면의 일부 또는 전부는 상기 그래핀층과 접촉되어 상기 제1 및 제2 전극과 상기 그래핀층의 계면은 상기 제1 및 제2 전극의 밑면 전체로 확장되는 포토 디텍터의 제조방법 |
| 21 |
21 수광소자를 포함하는 광학장치에 있어서,상기 수광소자는 청구항 1의 포토 디텍터인 광학장치 |
| 22 |
22 제 21 항에 있어서,상기 광학장치는 카메라인 광학장치 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US09067783 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20130126700 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2013126700 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US9067783 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1539671-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20111121 출원 번호 : 1020110121729 공고 연월일 : 20150727 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150716 청구범위의 항수 : 22 유별 : H01L 31/10 발명의 명칭 : 복합 투명 전극을 포함하는 그래핀 기반 포토 디텍터와 그 제조방법 및 포토 디텍터를 포함하는 장치 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구... |
| 1 |
(권리자) 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 903,000 원 | 2015년 07월 22일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 524,000 원 | 2018년 06월 20일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 539,720 원 | 2019년 08월 19일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
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- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.11.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0920286-36 |
| 2 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.12.06 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0967744-81 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
| 7 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2014.12.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1278247-66 |
| 8 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 | 2015.01.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0007582-79 |
| 9 | [우선심사신청]선행기술조사의뢰서 | 2015.01.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 10 | [우선심사신청]선행기술조사보고서 | 2015.01.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2015-0006681-76 |
| 11 | 의견제출통지서 | 2015.01.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0045609-40 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.03.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0241585-38 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서 | 2015.03.12 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0241586-84 |
| 14 | 의견제출통지서 | 2015.05.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0293936-60 |
| 15 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.07.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0640494-85 |
| 16 | 등록결정서 | 2015.07.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0474490-44 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345152405 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2011-0010274 |
| 연구과제명 | 플라즈마 공정을 이용한 그래핀 물성 및 전계효과 소자의 전기적 특성 제어 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 성균관대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 201105~201404 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
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