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광 소자 및 그 제작 방법

  • 기술번호 : KST2014046604
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 광소자 제조 방법은 기판상에 매립 절연산화막을 형성하는 단계; 상기 매립 절연 산화막 상에 단결정 반도체층을 형성한 후 제1 타입의 반도체 형성을 위한 이온주입을 실시하는 단계; 상기 단결정 반도체층을 식각하여 활성 반도체층을 형성하는 단계; 상기 활성 반도체층에서 상기 제1 타입의 반도체로 남겨둘 부위에 감광막을 형성한 상태에서 제2 타입의 반도체 형성을 위한 이온주입을 실시하는 단계; 상기 감광막을 제거한 후 상기 활성 반도체층에 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체 접합구조를 완성하는 단계; 및 상기 활성 반도체층으로 입사되는 빛을 투과시키고 이외의 영역에 입사되는 빛을 차단하는 금속층을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/101 (2006.01)
CPC H01L 31/08(2013.01) H01L 31/08(2013.01) H01L 31/08(2013.01)
출원번호/일자 1020100111360 (2010.11.10)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1066436-0000 (2011.09.15)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110923) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.10)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전 유성구
2 문동일 대한민국 대전 유성구
3 한진우 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0733048-11
2 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0471938-33
3 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2011.09.15 수리 (Accepted) 2-1-2011-0213497-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 매립 절연산화막을 형성하는 단계;상기 매립 절연 산화막 상에 단결정 반도체층을 형성한 후 제1 타입의 반도체 형성을 위한 이온주입을 실시하는 단계;상기 단결정 반도체층을 식각하여 활성 반도체층을 형성하는 단계;상기 활성 반도체층에서 상기 제1 타입의 반도체로 남겨둘 부위에 감광막을 형성한 상태에서 제2 타입의 반도체 형성을 위한 이온주입을 실시하는 단계; 상기 감광막을 제거한 후 상기 활성 반도체층에 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체 접합구조를 완성하는 단계; 및상기 활성 반도체층으로 입사되는 빛을 투과시키고 이외의 영역에 입사되는 빛을 차단하는 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 광소자 제조방법
2 2
청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
3 3
제1항에 있어서,상기 감광막을 제거한 후 어닐링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 제조방법
4 4
청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
5 5
청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
6 6
청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
7 7
제1항에 있어서,상기 제1 타입의 반도체 및 제2 타입의 반도체가 각각 P형 반도체 및 N형 반도체이고, 상기 제1 타입 및 제2 타입의 반도체를 각각 형성하는 물질은, 상기 제2 타입의 반도체의 밸런스 밴드 에너지가 상기 제1 타입의 반도체의 밸런스 밴드 에너지보다 낮고, 상기 제1 타입의 반도체의 컨덕션 밴드 에너지가 상기 제2 타입의 반도체의 컨덕션 밴드 에너지보다 높도록 하는 물질인 것을 특징으로 하는 광소자 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 제1 타입의 반도체 및 제2 타입의 반도체가 각각 N형 반도체 및 P형 반도체이고, 상기 제1 타입 및 제2 타입의 반도체를 각각 형성하는 물질은, 상기 제2 타입의 반도체의 밸런스 밴드 에너지가 상기 제1 타입의 반도체의 밸런스 밴드 에너지보다 높고, 상기 제1 타입의 반도체의 컨덕션 밴드 에너지가 상기 제2 타입의 반도체의 컨덕션 밴드 에너지보다 낮도록 하는 물질인 것을 특징으로 하는 광소자 제조방법
9 9
기판 상에 제2 타입 반도체층, 제1 타입 반도체층, 및 제2 타입 반도체층을 포함하는 활성 반도체층을 형성하는 단계; 상기 활성 반도체층을 수직방향으로 패터닝하여 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체 접합구조를 완성하는 단계; 및상기 활성 반도체층으로 입사되는 빛을 투과시키고 이외의 영역에 입사되는 빛을 차단하는 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 광소자 제조방법
10 10
청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
11 11
청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
12 12
제9항에 있어서,상기 제2 타입 반도체층, 제1 타입 반도체, 및 제2 타입 반도체층을 포함하는 활성 반도체층을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에서 에피택셜 성장을 통하여 형성하거나 상기 기판 상에 이온주입을 실시하여 형성하는 것을 특징으로 하는 광소자 제조방법
13 13
제9항에 있어서,상기 이온주입을 실시하는 경우, 상기 제2 타입 반도체층, 제1 타입 반도체, 및 제2 타입 반도체층을 포함하는 활성 반도체층을 어닐링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 제조방법
14 14
청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
15 15
제9항에 있어서,상기 제1 타입의 반도체 및 제2 타입의 반도체가 각각 P형 반도체 및 N형 반도체이고, 상기 제1 타입 및 제2 타입의 반도체를 각각 형성하는 물질은, 상기 제2 타입의 반도체의 밸런스 밴드 에너지가 상기 제1 타입의 반도체의 밸런스 밴드 에너지보다 낮고, 상기 제1 타입의 반도체의 컨덕션 밴드 에너지가 상기 제2 타입의 반도체의 컨덕션 밴드 에너지보다 높도록 하는 물질인 것을 특징으로 하는 광소자 제조방법
16 16
제9항에 있어서,상기 제1 타입의 반도체 및 제2 타입의 반도체가 각각 N형 반도체 및 P형 반도체이고, 상기 제1 타입 및 제2 타입의 반도체를 각각 형성하는 물질은, 상기 제2 타입의 반도체의 밸런스 밴드 에너지가 상기 제1 타입의 반도체의 밸런스 밴드 에너지보다 높고, 상기 제1 타입의 반도체의 컨덕션 밴드 에너지가 상기 제2 타입의 반도체의 컨덕션 밴드 에너지보다 낮도록 하는 물질인 것을 특징으로 하는 광소자 제조방법
17 17
제1항 내지 제16항의 방법으로 제조된 광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.