| 1 |
1
기판;서로 이격 배치되면서 상기 기판인 하나의 기판상에 직접적으로 배치되는 제1 및 제2 전극; 및유기 압전 재료를 포함하며, 상기 제1 및 제2 전극 사이에서 이격 배치된 복수 개의 나노 구조물;을 구비한 나노 발전 소자
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 나노구조물은 강유전체를 포함하는 나노 발전 소자
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 나노구조물은 PVDF(polyvinylidene fluoride)를 포함하는 나노 발전 소자
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서,상기 복수 개의 나노구조물 중 적어도 하나는 상기 제1 전극에 대하여 수직하거나, 소정 각도로 경사지게 배열되는 나노 발전 소자
|
| 8 |
8
제 1항에 있어서,상기 제2 전극과 이격 배치되는 제3 전극; 및 상기 제2 및 제3 전극 사이에서 이격 배치되는 또 다른 나노 구조물;을 더 포함하는 나노 발전 소자
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
하나의 기판 상에 직접적으로 배치되면서 서로 이격 배치되는 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계; 및유기 압전 재료를 포함하며, 상기 제1 및 제2 전극 사이에서 이격 배치된 복수 개의 나노 구조물을 형성하는 단계;를 포함하는 나노 발전 소자의 제조 방법
|
| 15 |
15
제 14 항에 있어서,상기 나노구조물은 PVDF를 포함하는 나노 발전 소자의 제조 방법
|
| 16 |
16
삭제
|
| 17 |
17
삭제
|
| 18 |
18
제 14 항에 있어서,상기 복수 개의 나노구조물 중 적어도 하나는 상기 제1 전극에 대하여 수직하거나, 소정 각도로 경사지게 형성되는 나노 발전 소자의 제조 방법
|
| 19 |
19
제 14항에 있어서,상기 기판상에 상기 제2 전극과 이격 배치되는 제3 전극을 형성하는 단계; 및 상기 제2 및 상기 제3 전극 사이에 이격 배치되는 또 다른 나노 구조물을 형성하는 단계;를 더 포함하는 나노 발전 소자의 제조 방법
|
| 20 |
20
삭제
|
| 21 |
21
삭제
|
| 22 |
22
제 14 항에 있어서,상기 복수 개의 나노구조물을 형성하는 단계는금속층과 상기 금속층 상에 마련된 다공성층을 포함하는 양극 산화 금속 주형을 형성하는 단계;상기 다공성층에 상기 유기 압전 재료를 포함하는 용액을 채우는 단계;상기 유기 압전 재료를 재결정화하여 상기 복수 개의 나노구조물을 형성하는 단계; 및상기 양극 산화 금속 주형을 제거하는 단계;를 포함하는 나노 발전 소자의 제조 방법
|
| 23 |
23
제 14 항에 있어서,상기 복수 개의 나노구조물을 형성하는 단계는금속층과 상기 금속층 상에 마련된 다공성층을 포함하는 양극 산화 금속 주형을 형성하는 단계;상기 금속층을 제거하는 단계;상기 다공성층에 상기 유기 압전 재료를 포함하는 용액을 채우는 단계;상기 유기 압전 재료를 재결정화하여 상기 복수 개의 나노구조물을 형성하는 단계; 및 상기 다공성층을 제거하는 단계;를 포함하는 나노 발전 소자의 제조 방법
|
| 24 |
24
제 22 항 또는 제 23 항에 있어서,상기 용액은 50℃ 내지 250℃에서 상기 다공성층에 채워지는 나노 발전 소자의 제조 방법
|
| 25 |
25
제 22 항 또는 제 23 항에 있어서,상기 유기 압전 재료는 50℃ 내지 250℃에서 재결정화되는 나노 발전 소자의 제조 방법
|
| 26 |
26
제 22 항 또는 제 23 항에 있어서,상기 용액이 산소 플라즈마 공정을 통해 상기 다공성층의 외부에 형성한 박막을 제거하는 단계를 더 포함하는 나노 발전 소자의 제조 방법
|
