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2차원 산화아연 나노시트 기반 나노전력발전소자

  • 기술번호 : KST2014059694
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 2차원 산화아연 나노시트 기반 압전 에너지 발전 소자에 관한 것으로서, 이러한 2차원 산화아연 나노시트를 이용한 기계적으로 안정하고 고출력의 압전 에너지 발전 소자에 관한 것이다.
Int. CL H01L 41/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110141104 (2011.12.23)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1360839-0000 (2014.02.04)
공개번호/일자 10-2013-0073323 (2013.07.03) 문서열기
공고번호/일자 (20140212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 발송처리완료
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.23)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상우 대한민국 경기도 수원시 팔달구
2 김권호 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 이주혁 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 이근영 대한민국 경기도 수원시 장안구
5 승완철 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-1027647-92
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.05.02 무효 (Invalidation) 1-1-2012-0350494-02
4 보정요구서
Request for Amendment		 2012.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0053628-83
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.05.08 무효 (Invalidation) 1-1-2012-0365904-71
6 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2012.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0057003-51
7 보정요구서
Request for Amendment		 2012.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0067422-57
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2012-0439109-58
9 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2012.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0069589-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
12 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0841347-82
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0422857-75
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0754030-30
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0754033-77
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0890127-63
17 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.01.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0036092-43
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0036091-08
19 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2014.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0073748-44
20 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2014.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0101746-19
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
일면에 알루미늄이 부착된 기판을 제공하는 단계;상기 알루미늄이 부착된 기판의 일면 상에 산화아연 나노시트를 습식 성장시키는 단계;일면에 전극이 증착된 기판을 제공하는 단계;상기 전극이 증착된 기판의 전극이 증착된 일면이 상기 산화아연 나노시트와 접하도록 상기 전극이 증착된 기판을 상기 산화아연 나노시트 위에 부착하는 단계를 포함하고,상기 산화아연 나노시트는 네트워크 구조를 이루고 있어 기계적 안정성이 향상된 것을 특징으로 하는,기계적 안정성이 향상된 2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자를 제작하는 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 산화아연 나노시트를 습식 성장시키는 단계는,징크 니트레이트 헥사하이드레이트(zinc nitrate hexahydrate, Zn(NO3)26H2O)와 헥사메틸렌테트라민(hexamethylenetetramine, C6H12N4)을 탈이온화된 물(Deionized Water)에 용해시키거나 또는 징크 니트레이트 헥사하이드레이트(Zn(NO3)2 ·6H2O), 알루미늄 니트레이트 노나하이드레이트 (Al(NO3)3 ·9H2O)를 탈이온화된 물에 용해시켜 성장 용액을 준비하는 단계; 및상기 일면에 알루미늄이 부착된 기판을 성장 용액 안에 넣어 성장시키는 단계를 포함하는,기계적 안정성이 향상된 2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자를 제작하는 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 성장 용액을 준비하는 단계에서, pH 조절을 위해 NaOH 및 HNO3를 이용하는,기계적 안정성이 향상된 2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자를 제작하는 방법
4 4
제 2 항에 있어서,상기 일면에 알루미늄이 부착된 기판을 성장 용액 안에 넣어 성장시키는 단계는 1기압, 95℃에서 3시간 동안 이루어지는,기계적 안정성이 향상된 2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자를 제작하는 방법
5 5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 플라스틱, 종이, 유리, 사파이어 중 어느 하나 이상으로 이루어지고,상기 전극은 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 팔라듐-금 합금(PdAu), 니켈 (Ni), 니켈-금 합금 (NiAu), 루테늄(Ru), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 티타늄-금 합금(TiAu), 알루미늄(Al), 인주석 산화물(ITO), 불소 함유 산화주석(FTO), 갈륨아연산화물(GZO), 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀 (graphene) 중 어느 하나 이상으로 이루어진,기계적 안정성이 향상된 2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자를 제작하는 방법
6 6
일면에 알루미늄이 부착된 플라스틱 기판을 제공하는 단계;상기 알루미늄이 부착된 기판의 일면 상에 산화아연 나노시트를 습식 성장시키는 단계로서, 징크 니트레이트 헥사하이드레이트(zinc nitrate hexahydrate, Zn(NO3)26H2O)와 헥사메틸렌테트라민(hexamethylenetetramine, C6H12N4)을 탈이온화된 물(Deionized Water)에 용해시켜 성장 용액을 준비하는 단계; 및 상기 일면에 알루미늄이 부착된 플라스틱 기판을 성장 용액 안에 넣어 1기압, 95℃에서 3시간 동안 성장시키는 단계를 포함하는, 산화아연 나노시트를 습식 성장시키는 단계;일면에 금이 증착된 플라스틱 기판을 제공하는 단계;상기 금이 증착된 플라스틱 기판의 금이 증착된 일면이 상기 산화아연 나노시트와 접하도록 상기 금이 증착된 플라스틱 기판을 상기 산화아연 나노시트 위에 부착하는 단계를 포함하고,상기 산화아연 나노시트는 네트워크 구조를 이루고 있어 기계적 안정성이 향상된 것을 특징으로 하는,기계적 안정성이 향상된 2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자를 제작하는 방법
7 7
2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자로서,일면에 알루미늄이 부착된 기판;상기 알루미늄이 부착된 기판의 일면 상에 습식 성장되며 네트워크 구조를 이루고 있어 기계적 안정성이 향상된 산화아연 나노시트; 및일면에 전극이 증착된 기판으로서, 전극이 증착된 면이 상기 산화아연 나노시트와 접하도록 배치된, 일면에 전극이 증착된 기판을 포함하는,기계적 안정성이 향상된 2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자
8 8
제 7 항에 있어서,상기 산화아연 나노시트의 습식 성장은,징크 니트레이트 헥사하이드레이트(zinc nitrate hexahydrate, Zn(NO3)26H2O)와 헥사메틸렌테트라민(hexamethylenetetramine, C6H12N4)을 탈이온화된 물(Deionized Water)에 용해시키거나 또는 징크 니트레이트 헥사하이드레이트(Zn(NO3)2 ·6H2O), 알루미늄 니트레이트 노나하이드레이트 (Al(NO3)3 ·9H2O)를 탈이온화된 물에 용해시켜 성장 용액을 준비하는 단계; 및상기 일면에 알루미늄이 부착된 기판을 성장 용액 안에 넣어 성장시키는 단계에 의해 이루어지는,기계적 안정성이 향상된 2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자
9 9
제 8 항에 있어서,상기 성장 용액을 준비하는 단계에서, pH 조절을 위해 NaOH 및 HNO3를 이용하는,기계적 안정성이 향상된 2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자
10 10
제 8 항에 있어서,상기 일면에 알루미늄이 부착된 기판을 성장 용액 안에 넣어 성장시키는 단계는 1기압, 95℃에서 3시간 동안 이루어지는,기계적 안정성이 향상된 2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자
11 11
제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 플라스틱, 종이, 유리, 사파이어 중 어느 하나 이상으로 이루어지고,상기 전극은 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 팔라듐-금 합금(PdAu), 니켈 (Ni), 니켈-금 합금 (NiAu), 루테늄(Ru), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 티타늄-금 합금(TiAu), 알루미늄(Al), 인주석 산화물(ITO), 불소 함유 산화주석(FTO), 갈륨아연산화물(GZO), 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀 (graphene) 중 어느 하나 이상으로 이루어진,기계적 안정성이 향상된 2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 성균관대학교 산학협력단 에너지국제공동연구(전력기금) 광전 변환효율 10%급 저비용 CIGS 태양전지 개발