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나노와이어-그래핀 구조체, 이를 포함한 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015143758
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법 및 이를 포함한 장치를 제공한다. 본 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법은, 기판위에 그래핀층을 성장시키는 단계, 그래핀층상에 복수 개의 나노와이어를 성장시키는 단계 및 그래핀층과 상기 기판을 분리하는 단계를 포함하고, 기판은 상기 그래핀층과 공유 결합되지 않는 물질로 형성된다.
Int. CL C01B 31/04 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01)
출원번호/일자 1020120117911 (2012.10.23)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0051637 (2014.05.02) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.24)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이은경 대한민국 서울 동대문구
2 최병룡 대한민국 서울 서초구
3 이재현 대한민국 경기 수원시 장안구
4 황동목 대한민국 경기 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교 산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0863336-95
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0292185-32
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.12.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-2018-0005950-99
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0583587-12
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-1069155-66
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1069156-12
9 등록결정서
Decision to grant		 2019.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0145105-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 금속 물질을 증착시키는 단계;상기 금속 물질을 이용하여 상기 기판위에 그래핀층을 성장시키는 단계;상기 그래핀층상에 복수 개의 나노와이어를 성장시키는 단계;상기 금속 물질에 전압을 인가하여 상기 금속 물질이 상기 기판으로부터 분리됨으로써 상기 그래핀층과 상기 기판을 분리하는 단계; 및 습식 식각법을 이용하여 상기 그래핀층에 형성된 상기 금속 물질을 제거하는 단계;를 포함하고,상기 기판은 상기 그래핀층과 공유 결합되지 않는 물질로 형성된 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 복수 개의 나노와이어는 상기 그래핀층상에 수직하게 성장되는 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 복수 개의 나노와이어는 상호 연결되지 않는 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 기판은 반도체, 쿼츠, 유리, 사파이어 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 나노와이어는,4족 반도체 물질, 화합물 반도체 물질, 산화물 및 질화물 중 적어도 하나의 물질로 형성되는 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
제 1항에 있어서, 상기 복수 개의 나노와이어는 전기화학적 증착 방법을 이용하여 성장되는 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법
13 13
제 1항 내지 제 5항 및 제 12항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법에 의해 제조된 나노와이어-그래핀 구조체
14 14
제 13항에 따른 나노와이어-그래핀 구조체를 포함하는 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.