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고체 갈륨 금속을 제1 용매에 투입한 후 상기 갈륨 금속의 녹는점 이상의 온도에서 제1 초음파 처리를 하여 갈륨 입자 콜로이드를 제조하는 단계;구리 전구체 용액을 제조하는 단계; 및상기 갈륨 입자 콜로이드, 상기 구리 전구체 용액 및 환원제를 혼합한 후 제2 초음파 처리를 하여 갈륨 코어 및 상기 갈륨 코어를 피복하는 구리 쉘을 구비하는 구리-갈륨 2원계 나노입자를 형성하는 단계를 포함하는 구리-갈륨 2원계 나노입자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 용매는 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 헥실렌글리콜 및 부틸렌글리콜로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리-갈륨 2원계 나노입자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 초음파 처리는 1 내지 6시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 구리-갈륨 2원계 나노입자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 구리 전구체 용액은 제2 용매에 구리 전구체를 용해시킴으로써 제조되는 것을 특징으로 하는 구리-갈륨 2원계 나노입자의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 제2 용매는 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 헥실렌글리콜 및 부틸렌글리콜로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 포함하고,상기 구리 전구체는 (CH3COO)Cu, (CH3COO)2Cu, CuF2, CuCl, CuCl2, CuBr, CuBr2, CuI, CuBr, CuBr2, CuI, Cu(ClO4)2, Cu(NO3)2, CuSO4 및 이들의 수화물들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리-갈륨 2원계 나노입자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 구리-갈륨 2원계 나노입자를 형성하는 단계는,상기 갈륨 입자 콜로이드, 상기 구리 전구체 용액 및 상기 환원제의 혼합 용액을 제조하는 단계; 및상기 혼합 용액을 상기 갈륨 금속의 녹는점 내지 150℃의 온도 범위로 가열한 상태에서 1 내지 6시간 동안 상기 제1 초음파 처리를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리-갈륨 2원계 나노입자의 제조방법
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구리 이온 및 인듐 이온을 포함하는 제1 전구체 용액을 제조하는 단계;구리-갈륨 2원계 나노입자가 분산된 분산 용액을 제조하는 단계; 및상기 제1 전구체 용액, 상기 분산 용액 및 제1 환원제를 혼합한 후 제1 초음파 처리를 하여 구리-인듐-갈륨 3원계 나노입자를 형성하는 단계를 포함하고,상기 구리-갈륨 2원계 나노입자가 분산된 분산 용액을 제조하는 단계는,고체 갈륨 금속을 투입한 후 상기 갈륨 금속의 녹는점 이상의 온도에서 제2 초음파 처리를 하여 갈륨 입자 콜로이드를 제조하는 단계;구리 전구체 용액을 제조하는 단계; 및상기 갈륨 입자 콜로이드, 상기 구리 전구체 용액 및 제2 환원제를 혼합한 후 제3 초음파 처리를 하여 갈륨 코어 및 상기 갈륨 코어를 피복하는 구리 쉘을 구비하는 구리-갈륨 2원계 나노입자를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리-인듐-갈륨 3원계 나노입자의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 제1 전구체 용액은 제1 용매에 구리 전구체 및 인듐 전구체를 용해시킴으로써 제조되고,상기 제1 용매는 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 헥실렌글리콜 및 부틸렌글리콜로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 포함하고,상기 구리 전구체는 (CH3COO)Cu, (CH3COO)2Cu, CuF2, CuCl, CuCl2, CuBr, CuBr2, CuI, CuBr, CuBr2, CuI, Cu(ClO4)2, Cu(NO3)2, CuSO4 및 이들의 수화물들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 포함하며,상기 인듐 전구체는 In(CH3COO)3, InCl3, In(NO3)3, In2(SO4)3, In(OH)3 및 이들의 수화물들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리-인듐-갈륨 3원계 나노입자의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 구리-인듐-갈륨 3원계 나노입자를 형성하는 단계는,상기 제1 전구체 용액, 상기 분산 용액 및 상기 환원제의 혼합 용액을 제조하는 단계; 및상기 혼합 용액을 상기 갈륨 금속의 녹는점 내지 150℃의 온도 범위로 가열한 상태에서 1 내지 6시간 동안 상기 제1 초음파 처리를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리-인듐-갈륨 3원계 나노입자의 제조방법
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