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질화물 반도체 디바이스의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015143946
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 질화물 반도체 디바이스는, 기판; 상기 기판 상에 형성되며, 질화물(Nitride)을 포함하는 복수의 중공(hollow) 구조물을 포함하는 전위 제어층; 및 상기 전위 제어층 상에 형성된 질화물 반도체층;을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/02 (2010.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020130133821 (2013.11.05)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0051819 (2015.05.13) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.11.05)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이문상 대한민국 서울 양천구
2 박성수 대한민국 경기 성남시 분당구
3 강봉균 대한민국 경기 안산시 상록구
4 윤대호 대한민국 경기 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자 주식회사 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교 산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-1009705-00
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.11.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1093167-11
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-1093168-67
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0596786-29
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.10.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1067270-07
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-1067269-50
8 등록결정서
Decision to grant		 2020.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0197498-06
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번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에, 복수의 코어-쉘 구조물을 포함한 용액을 도포하는 단계;상기 복수의 코어-쉘 구조물을 포함한 용액에서 용매를 증발시켜, 상기 기판상에 상기 복수의 코어-쉘 구조물을 분산시키는 단계;분산된 상기 복수의 코어-쉘 구조물에서, 코어 부분을 제거하고 쉘 부분을 질화시켜, 질화물을 포함하는 복수의 중공 구조물을 형성하는 단계;상기 복수의 중공 구조물 상에 질화물 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하는 질화물 반도체 디바이스의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기판을 준비하는 단계에서,상기 기판의 표면 중 적어도 일부가 친수성을 가지도록 표면 처리하는 질화물 반도체 디바이스의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 코어-쉘 구조물의 코어 부분은 수열(hydrithermal) 방식에 의해 형성된 탄소 나노스피어(carbon nanosphere)인 질화물 반도체 디바이스의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 코어-쉘 구조물에서 코어 부분을 제거하기 위하여 상기 코어-쉘 구조물을 열처리(calcination)하며,상기 열처리 단계의 온도는 200 ~ 700℃인 질화물 반도체 디바이스의 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 열처리 단계와 상기 쉘 부분을 질화시키는 단계가 개별적으로 진행되는 질화물 반도체 디바이스의 제조방법
6 6
제4항에 있어서,상기 열처리 단계와 상기 쉘 부분을 질화시키는 단계가 동시에 진행되는 질화물 반도체 디바이스의 제조방법
7 7
제5항에 있어서,상기 코어-쉘 구조물의 쉘 부분은 Ga(OH)3를 포함하는 질화물 반도체 디바이스의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 코어-쉘 구조물의 코어 부분의 직경은 80 nm ~ 10 um 인 질화물 반도체 디바이스의 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 복수의 중공 구조물을 형성하는 단계 이후에, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 질화물 반도체 디바이스의 제조방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 복수의 중공 구조물을 형성하는 단계 이전에, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 질화물 반도체 디바이스의 제조방법
11 11
제6항에 있어서,상기 코어-쉘 구조물의 쉘 부분은 Ga(OH)CO3를 포함하는 질화물 반도체 디바이스의 제조방법
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
삭제
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1 US09054234 US 미국 FAMILY
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1 US2015125982 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9054234 US 미국 DOCDBFAMILY
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