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그래핀의 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015144160
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 DNA 패턴을 형성하는 단계 및 상기 DNA 패턴 상에 그래핀을 형성하는 단계를 포함하는 그래핀의 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
Int. CL C01B 31/04 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C23C 16/18 (2006.01)
CPC C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01)
출원번호/일자 1020140139697 (2014.10.16)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1473854-0000 (2014.12.11)
공개번호/일자 10-2014-0141542 (2014.12.10) 문서열기
공고번호/일자 (20141217) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020120075840   |   2012.07.12
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2013-0082292 (2013.07.12)
관련 출원번호 1020130082292
심사청구여부/일자 Y (2014.10.16)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노용한 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 박성하 대한민국 경기도 과천시 별양로 **,
3 박진홍 대한민국 경기도 용인시 기흥구
4 정석원 대한민국 경기도 수원시 장안구
5 연성모 대한민국 서울특별시 도봉구
6 이종택 대한민국 경기도 수원시 장안구
7 박인규 대한민국 충청남도 천안시 서북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2014.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0985776-67
2 등록결정서
Decision to grant		 2014.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0847493-95
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
DNA 패턴을 형성하는 단계, 및상기 DNA 패턴 상에 그래핀을 형성하는 단계를 포함하고,상기 DNA 패턴은 금속 입자를 포함하며,상기 금속 입자 상에 그래핀이 형성되는 것을 포함하는 것인,그래핀의 패턴 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 그래핀이 형성되는 것은, 탄소계 물질을 상기 DNA 패턴 상에 도포하는 것 및상기 탄소계 물질을 수소를 포함하는 가스 분위기 하에서 열처리하는 것 에 의하여 수행되는 것을 포함하는 것인, 그래핀의 패턴 형성 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 탄소계 물질은 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리스티렌, 메탄올, 벤젠, 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile, PAN) 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 액상 또는 고상 물질을 포함하는 것인, 그래핀의 패턴 형성 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 그래핀이 형성되는 것은, 화학기상증착(chemical vapour deposition, CVD) 방법에 의하여 수행되는 것을 포함하는 것인, 그래핀의 패턴 형성 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 화학기상증착 방법은 고온 화학기상증착(Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition, RTCVD), 유도결합플라즈마 화학기상증착(Inductively Coupled Plasma-Chemical Vapor Deposition, ICP-CVD), 저압 화학기상증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD), 상압 화학기상증착(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition, APCVD), 금속 유기화학기상증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD), 플라즈마 화학기상증착(Plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD), 및 이들의 조합들로 이루어지는 군에서 선택되는 방법을 포함하는 것인, 그래핀의 패턴 형성 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101462903 KR 대한민국 FAMILY
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101462903 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
2 KR20140010892 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
3 KR20140141541 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 성균관대학교 산학협력단 선행기획연구과제(미래유망융합기술파이오니어사업) DNA 나노구조물 플랫폼 기반 집적회로