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그래핀의 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015144161
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 DNA 패턴을 형성하는 단계 및 상기 DNA 패턴 상에 그래핀을 형성하는 단계를 포함하는 그래핀의 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
Int. CL C01B 31/04 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C23C 16/18 (2006.01)
CPC C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01)
출원번호/일자 1020140139696 (2014.10.16)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1473853-0000 (2014.12.11)
공개번호/일자 10-2014-0141541 (2014.12.10) 문서열기
공고번호/일자 (20141217) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020120075840   |   2012.07.12
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2013-0082292 (2013.07.12)
관련 출원번호 1020130082292
심사청구여부/일자 Y (2014.10.16)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노용한 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 박성하 대한민국 경기도 과천시 별양로 **,
3 박진홍 대한민국 경기도 용인시 기흥구
4 정석원 대한민국 경기도 수원시 장안구
5 연성모 대한민국 서울특별시 도봉구
6 이종택 대한민국 경기도 수원시 장안구
7 박인규 대한민국 충청남도 천안시 서북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2014.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0985775-11
2 등록결정서
Decision to grant
2014.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0847492-49
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
DNA 패턴을 형성하는 단계, 및상기 DNA 패턴 상에 그래핀을 형성하는 단계를 포함하고,상기 DNA 패턴을 형성하는 단계는, 기재 상에 금속 이온 패턴 또는 양전하 패턴을 형성하고, 상기 금속 이온 패턴 또는 양전하 패턴 상에 DNA 구조(structure)를 흡착시키고, 상기 DNA 구조 상에 금속 입자를 결합시키는 것을 포함하는 공정에 의하여 수행되는 것인,그래핀의 패턴 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 양전하 패턴은 APTMS(3-aminopropyltrimethoxysilane) 패턴, APTES (3-aminopropyltriethoxysilane) 패턴, APDES (3-aminopropylmethyldiethoxysilane) 패턴, 또는 APDMS (3-aminopropylmethyldimethoxysilane) 패턴을 포함하는 것인, 그래핀의 패턴 형성 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 금속 이온 또는 양전하 패턴은, 리소그래피 공정을 이용하여 기재 상의 패터닝하고자 하는 위치에 선택적으로 포토레지스트 물질을 도포하는 단계;상기 기재 표면에 소수성 물질을 코팅하는 단계;상기 포토레지스트 물질을 제거하는 단계; 및,상기 패터닝하고자 하는 위치에 금속 이온 또는 양전하를 띠는 물질을 증착하는 단계를 포함하는 공정에 의하여 형성된 것인, 그래핀의 패턴 형성 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 소수성 물질은,옥타데실트리클로로실란(Octadecyltrichlorosilane, OTS), 폴리클로로 트리-플루오로에틸렌(PolyChloro Tri-Fluoroethylene, PCTFE), 테플론(Teflon), 비결정질 불소(CYTOP), 지르코늄 산화물, 지르코늄 질화물, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 그래핀의 패턴 형성 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 DNA 구조는 DNA 모티프를 포함하는 것인, 그래핀의 패턴 형성 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 금속 입자는 스트렙타비딘(streptavidin)과 결합된 것이고,상기 DNA 모티프는 비오틴(Biotin)과 결합된 것이며,상기 금속 입자와 상기 DNA 구조의 결합은, 상기 금속 입자에 결합된 스트렙타비딘과 상기 DNA 모티프에 결합된 비오틴의 결합에 의한 것인, 그래핀의 패턴 형성 방법
7 7
제 5 항에 있어서,상기 금속 입자는 DNA 가닥이 부착된 것이며,상기 금속 입자와 상기 DNA 구조의 결합은, 상기 금속 입자에 부착된 DNA 가닥과 상기 DNA 모티프의 결합에 의한 것인, 그래핀의 패턴 형성 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 DNA 구조는 DNA 오리가미(origami)에 의하여 생성되는 것을 포함하는 것인, 그래핀의 패턴 형성 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 DNA 오리가미에 의하여 DNA 구조 상에 금속 입자 결합 부위가 생성되며,상기 금속 입자와 상기 DNA 구조의 결합은, 상기 금속 입자 결합 부위에 상기 금속 입자가 결합된 것인, 그래핀의 패턴 형성 방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 금속 입자는 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Ge, 황동(brass), 청동(bronze), 백동, 스테인레스 스틸(stainless steel), 및 이들의 조합들로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 합금을 포함하는 것인, 그래핀의 패턴 형성 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101462903 KR 대한민국 FAMILY
2 KR101473854 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101462903 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
2 KR20140010892 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
3 KR20140141542 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 성균관대학교 산학협력단 선행기획연구과제(미래유망융합기술파이오니어사업) DNA 나노구조물 플랫폼 기반 집적회로