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이온빔을 생성하기 위한 가스를 주입하는 이온빔 발생 가스 주입구, 상기 이온빔 발생 가스 주입구를 통해 도입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 생성하는 이온원, 상기 이온원의 한쪽 단부에 마련된 그리드 어셈블리 및 상기 그리드 어셈블리에 대응하여 마련되어 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체로 구성되는 중성빔 발생장치와반응성 가스를 공급하기 위한 반응성 가스 주입구, 상기 중성빔의 진행 경로 상에 피처리 기판을 위치시키는 스테이지 및 상기 반응성 가스 주입구와 연결되고, 상기 피처리 기판으로 반응성 가스를 공급하는 반응성 가스 공급수단으로 구성되는 반응 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학보조 중성빔 식각 시스템
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제 1항에 있어서, 상기 반응성 가스 공급수단은 상기 피처리 기판의 주위로만 반응성 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 화학보조 중성빔 식각 시스템
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제 2항에 있어서, 상기 반응성 가스 공급수단은 상기 반응성 가스 주입구에서 공급된 반응성 가스를 상기 피처리 기판의 주위로 공급하기 위해 상기 반응성 가스 공급수단의 내주를 따라 형성된 다수개의 반응성 가스 공급홀을 구비하는 것을 특징으로 하는 화학보조 중성빔 식각 시스템
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제 3항에 있어서, 상기 반응성 가스 공급수단은 상기 피처리 기판의 형상에 대응하여 그 내부가 공동인 링 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 화학보조 중성빔 식각 시스템
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제 3항에 있어서, 상기 반응성 가스 공급수단은 상기 피처리 기판의 형상에 대응하여 그 내부가 공동인 사각 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 화학보조 중성빔 식각 시스템
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제 1항 내지 제5항 중 어느 한항에 있어서, 상기 반응성 가스는 염화(chloride)계의 반응성 가스인 것을 특징으로 하는 화학보조 중성빔 식각 시스템
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이온빔을 생성하기 위한 가스를 주입하는 단계,주입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 생성하는 단계,상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 단계,상기 중성빔을 피처리 기판으로 조사하는 단계,상기 피처리 기판으로 상기 반응성 가스를 공급하는 단계를 포함하고,상기 반응성 가스는 상기 피처리 기판의 주위로만 반응성 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 화학보조 중성빔 식각 방법
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제 7항에 있어서, 상기 반응성 가스는 반응성 가스 공급수단의 내주를 따라 형성된 다수개의 반응성 가스 공급 홀을 통해 상기 피처리 기판의 주위로만 공급되는 것을 특징으로 하는 화학보조 중성빔 식각 방법
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