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원자층 식각 장비를 이용한 MRAM 물질 식각 부산물 제거 방법

  • 기술번호 : KST2015144452
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 MRAM 물질의 손상을 최소화하면서 제거할 수 있는 MRAM 물질 식각 부산물 제거 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 MRAM 물질 식각 부산물 제거 방법은 반응챔버 내부에 흡착가스를 주입하여 재증착층에 흡착시키는 제1 단계, 상기 흡착가스 중 상기 재증착층에 흡착되지 않고 남은 가스를 상기 반응챔버 외부로 배출하는 제2 단계, 상기 흡착가스가 흡착된 재증착층에 반응성 이온빔을 조사하여 상기 재증착층을 탈착시키는 제3 단계 및 탈착된 혼합물을 상기 반응챔버 외부로 배출하는 제4 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01) H01L 43/08 (2006.01) G11C 11/15 (2006.01) H01L 21/302 (2006.01)
CPC H01L 21/02057(2013.01) H01L 21/02057(2013.01) H01L 21/02057(2013.01) H01L 21/02057(2013.01)
출원번호/일자 1020140041941 (2014.04.08)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0116982 (2015.10.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.08)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양경채 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 염근영 대한민국 서울특별시 강남구
3 박성우 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 전민환 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조영현 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***(도곡동, 은하수빌딩) *층(특허사무소시선)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-0336277-41
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.10.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2014-0091861-24
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0503247-36
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0937581-36
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.09.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0937613-10
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0097901-65
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0321343-96
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.05.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0433367-29
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0433337-60
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0558947-43
12 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.08.01 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2016-0746239-46
13 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2016.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0123472-71
14 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2016.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0801171-65
15 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2016.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0125637-54
16 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.09.12 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2016-0889584-47
17 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2016.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0136664-34
18 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2016.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0908757-30
19 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0914650-40
20 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2016.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0139731-10
21 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.10.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0714726-22
22 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.11.03 수리 (Accepted) 7-1-2016-0061860-42
23 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.12.05 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-1190075-48
24 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-1190058-72
25 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0013070-16
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
MRAM 기판 식각 후, 재증착 되는 식각 부산물을 제거하기 위한 식각 부산물 제거 방법으로서,반응챔버 내부에 흡착가스를 주입하여 재증착층에 흡착시키는 제1 단계;상기 흡착가스 중 상기 재증착층에 흡착되지 않고 남은 가스를 상기 반응챔버 외부로 배출하는 제2 단계;상기 흡착가스가 흡착된 재증착층에 반응성 이온빔을 조사하여 상기 재증착층을 탈착시키는 제3 단계; 및탈착된 혼합물을 상기 반응챔버 외부로 배출하는 제4 단계;를 포함하는 MRAM 물질 식각 부산물 제거 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 단계에서 주입되는 흡착가스는 상기 식각 부산물과 반응하여 금속 카보닐을 형성할 수 있는 가스 또는 플루오르(F)화 가스인 MRAM 물질 식각 부산물 제거 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 식각 부산물과 반응하여 금속 카보닐을 형성할 수 있는 가스는 CO 또는 CH3OH 인 MRAM 물질 식각 부산물 제거 방법
4 4
제2항에 있어서,상기 플루오르(F)화 가스는 F2, NF3, PF3 중 어느 하나인 MRAM 물질 식각 부산물 제거 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 제3 단계에서 조사하는 이온빔은 Ar(아르곤) 이온빔인 MRAM 물질 식각 부산물 제거 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 제3 단계에서 상기 이온빔이 갖는 에너지는 상기 흡착가스가 흡착된 재증착층 표면과 제1 서브층과의 결합 에너지보다 크고 상기 제1 서브층과 제2 서브층과의 결합 에너지보다 작은 MRAM 물질 식각 부산물 제거 방법
7 7
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 단계 내지 제4 단계를 한 주기로 하여 2회 이상 반복하여 수행하며 각 주기마다 하나의 재증착층이 식각되는 MRAM 물질 식각 부산물 제거 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.