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반응성 이온빔 펄스를 이용한 MRAM 물질 식각 방법

  • 기술번호 : KST2015144534
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반응성 이온빔 펄스를 이용하는 MRAM 물질 식각 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 MRAM 물질 식각 방법은, 플라즈마를 발생시키는 상부 챔버, 상기 상부 챔버 하부에 구비되며 제1 내지 제3 그리드를 포함하는 그리드부 및 상기 그리드부 하부에 구비되며 기판이 놓여지는 하부 챔버를 포함하는 식각 장치를 이용하며, 상기 상부 챔버에서 발생된 플라즈마에 포함된 반응성 가스를 MRAM 기판 표면에 흡착시키는 흡착 단계 및 상기 반응성 가스가 흡착된 피식각층과 제1 서브층과의 결합 에너지보다 크고 상기 제1 서브층과 제2 서브층과의 결합 에너지보다 작은 에너지를 갖도록 가속된 반응성 이온 빔을 상기 피식각층 표면에 조사하여 상기 피식각층을 탈착시키는 탈착 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01) H01L 43/08 (2006.01) G11C 11/15 (2006.01)
CPC H01L 21/32136(2013.01)
출원번호/일자 1020140041935 (2014.04.08)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1529821-0000 (2015.06.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150629) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.08)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울특별시 송파구
2 전민환 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 김회준 대한민국 전라북도 전주시 완산구
4 양경채 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 나승택 대한민국 서울특별시 서초구 양재천로**길 **, *층 (양재동, 대화빌딩)(무일국제특허법률사무소)
2 조영현 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***(도곡동, 은하수빌딩) *층(특허사무소시선)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-0336253-56
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.12.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0098996-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0070495-18
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0309457-75
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.03.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0309479-79
7 등록결정서
Decision to grant
2015.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0329305-59
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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플라즈마를 발생시키는 상부 챔버, 상기 상부 챔버 하부에 구비되며 제1 내지 제3 그리드를 포함하는 그리드부 및 상기 그리드부 하부에 구비되며 기판이 놓여지는 하부 챔버를 포함하는 식각 장치를 이용하는 MRAM 식각 방법에 있어서,상기 상부 챔버에서 발생된 플라즈마에 포함된 반응성 가스를 MRAM 기판 표면에 흡착시키는 흡착 단계; 및상기 반응성 가스가 흡착된 피식각층과 제1 서브층과의 결합 에너지보다 크고 상기 제1 서브층과 제2 서브층과의 결합 에너지보다 작은 에너지를 갖도록 가속된 반응성 이온 빔을 상기 피식각층 표면에 조사하여 상기 피식각층을 탈착시키는 탈착 단계;를 포함하고,상기 그리드부는 상기 상부 챔버측에서부터 제1, 제2 및 제3 그리드의 적층구조를 가지며,상기 흡착 단계에서는 상기 제1 및 제3 그리드에 전원이 인가되지 않고,이온 플럭스 조절을 위해 상기 제2 그리드에 전원이 인가되며, 상기 제3 그리드가 그라운드 되는 MRAM 식각 방법
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삭제
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제1항에 있어서,상기 탈착 단계에서는 상기 제1 그리드에 전원이 인가되어 상기 상부 챔버에서 발생되는 반응성 가스에 에너지를 제공하는 MRAM 식각 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 제1 그리드에 인가되는 전원의 전압 크기를 조절하여 상기 반응성 가스에 제공되는 에너지의 크기를 조절하는 MRAM 식각 방법
5 5
제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 흡착 단계 및 탈착 단계는 반복되어 수행되는 MRAM 식각 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.