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초음파를 이용한 인듐 셀레나이드 나노화합물의 제조방법및 이를 포함하는 화합물 반도체 태양전지

  • 기술번호 : KST2015144604
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초음파를 이용한 인듐 셀레나이드 나노화합물의 제조방법 및 이를 포함하는 CIGS계 화합물 반도체 태양전지에 관한 것으로서, 태양전지의 흡수층인 Cu(In,Ga)Se2 의 반응 원료로 사용될 수 있는 인듐 셀레나이드 화합물을 제조하는 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 인듐(In) 원료 전구체 및 셀레늄(Se) 원료 전구체를 용매에 혼합하고 초음파 처리하여 인듐 셀레나이드 나노화합물을 합성하는 것으로서, 초음파의 강도 및 반응 시간 등의 반응 조건에 따라 입자의 크기 및 분포의 조절이 가능한 높은 수득율의 인듐 셀레나이드 화합물의 제조방법을 제공한다. 태양전지, 화합물 반도체, CIGS, 인듐 셀레나이드, 초음파, 인듐, 셀레늄
Int. CL B82B 3/00 (2011.01) B82Y 25/00 (2011.01)
CPC Y02E 10/50(2013.01)
출원번호/일자 1020080035691 (2008.04.17)
출원인 엘지전자 주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0110090 (2009.10.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.16)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영희 대한민국 서울특별시 강동구
2 정덕영 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 장주연 대한민국 서울 영등포구
4 한재억 대한민국 경기도 평택시 칠괴길 ***-*

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박병창 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0274434-84
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0219337-88
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0043426-29
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0013227-91
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0151173-10
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0415752-14
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0582806-00
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
인듐(In) 원료 전구체 및 셀레늄(Se) 원료 전구체를 용매에 혼합하고 초음파 처리하여 인듐 셀레나이드 나노화합물을 합성하는 것을 특징으로 하는 초음파를 이용한 인듐 셀레나이드 나노화합물의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 인듐 원료 전구체와 셀레늄 원료 전구체는 2:2
3 3
제 1항에 있어서, 상기 인듐 원료 전구체는 In, In(CH3COO)3, InCl3, In(NO3)3, In2(SO4)3, In(OH)3 및 이들의 수화물로 이루어진 그룹 중에서 선택된 1종 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 초음파를 이용한 인듐 셀레나이드 나노화합물의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 셀레늄 원료 전구체는 Se, H2Se, Na2Se, K2Se, Ca2Se, (CH3)2Se, H2SeO3 및 이들의 수화물로 이루어진 그룹 중에서 선택된 1종 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 초음파를 이용한 인듐 셀레나이드 나노화합물의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 용매는, 전체 용매 100 부피%에 대하여 유기계 아민 킬레이트제 1~20 부피%, 계면활성제 1~20 부피% 를 포함하며 나머지는 글리콜계 용제로 이루어진 것을 특징으로 하는 초음파를 이용한 인듐 셀레나이드 나노화합물의 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 유기계 아민 킬레이트제는, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민 , 톨루엔 디아민, m-페닐렌디아민, 디페닐 메탄 디아민, 헥사메틸렌 디아민, 트리에틸렌테트라아민, 테트라에틸렌펜타아민, 헥사메틸렌테트라아민, 히드라지드, 4,4-디아미노디페닐 메탄, 방향족 아민 및 우레아로 이루어진 그룹 중에서 선택된 1종 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 초음파를 이용한 인듐 셀레나이드 나노화합물의 제조방법
7 7
제 5항에 있어서, 상기 계면활성제는, 팔미톨레인산, 올레인산, 리놀렌산, 아라키돈산, 라우리산, 미리스틴산, 스테아린산, 팔리트산으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 1종 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 초음파를 이용한 인듐 셀레나이드 나노화합물의 제조방법
8 8
제 5항에 있어서, 상기 글리콜계 용제는, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌 글리콜, 디프로필렌글리콜, 헥실렌글리콜 및 부틸렌글리콜, 수크로오스, 소르비톨 및 글리세린으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 1종 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 초음파를 이용한 인듐 셀레나이드 나노화합물의 제조방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 초음파 처리는, -13℃ 내지 200℃에서 1 내지 24시간 동안 초음파를 인가하는 것을 특징으로 하는 초음파를 이용한 인듐 셀레나이드 나노화합물의 제조방법
10 10
제 1항에 있어서, 상기 초음파를 처리한 후, 초음파가 처리된 결과물을 용매로부터 분리하여 건조하는 단계 또는 초음파가 처리된 결과물을 용매로부터 분리하여 알코올로 세척한 후 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초음파를 이용한 인듐 셀레나이드 나노화합물의 제조방법
11 11
제 1항에 있어서, 상기 인듐(In) 원료 전구체 및 셀레늄(Se) 원료 전구체 이외에, 구리(Cu) 원료 전구체 또는 구리(Cu) 원료 전구체 및 갈륨(Ga) 원료 전구체를 더 포함하여 용매에 혼합하는 것을 특징으로 하는 초음파를 이용한 인듐 셀레나이드 나노화합물의 제조방법
12 12
초음파 처리된 인듐(In) 원료 전구체 및 셀레늄(Se) 원료 전구체의 혼합액, 초음파 처리된 인듐(In) 원료 전구체, 셀레늄(Se) 원료 전구체 및 구리(Cu) 원료 전구체의 혼합액, 및 초음파 처리된 인듐(In) 원료 전구체, 셀레늄(Se) 원료 전구체, 구리(Cu) 원료 전구체 및 갈륨(Ga) 원료 전구체의 혼합액으로 구성된 그룹 중에서 선택된 어느 하나의 혼합액에 포함된 입경 10 nm ~ 500 nm의 인듐 셀레나이드 나노화합물
13 13
초음파 처리된 인듐(In) 원료 전구체 및 셀레늄(Se) 원료 전구체의 혼합액, 초음파 처리된 인듐(In) 원료 전구체, 셀레늄(Se) 원료 전구체 및 구리(Cu) 원료 전구체의 혼합액, 및 초음파 처리된 인듐(In) 원료 전구체, 셀레늄(Se) 원료 전구체, 구리(Cu) 원료 전구체 및 갈륨(Ga) 원료 전구체의 혼합액으로 구성된 그룹 중에서 선택된 어느 하나의 혼합액에 형성된 인듐 셀레나이드 나노화합물을 포함하는 Cu(In, Ga)Se2 흡수층으로 이루어진 화합물 반도체 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.