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플라즈마 식각 공정의 식각 종료점 검출 방법

  • 기술번호 : KST2015144740
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플라즈마 식각 공정의 식각 종료점 검출 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 식각 공정의 식각 종료점 검출 방법은 (a) 모델 웨이퍼에 대한 플라즈마 식각 공정 종료점까지의 공정 시간에 따른 제1 전압, 제1 전류 및 제1 위상 각각의 제N차 고조파들을 상기 식각 공정 종료점 이후, 제1 시간까지 측정하는 단계; (b) 측정된 제1 전압의 제N차 고조파들, 측정된 제1 전류의 제N차 고조파들 및 측정된 제1 위상의 제N차 고조파들을 이용하여 상기 제1 전압, 상기 제1 전류 및 상기 제1 위상의 제N차 고조파들 각각에 대한 제1 평균 및 제1 표준편차를 구하고, 상기 제1 평균 및 제1 표준편차를 이용하여 상기 제1 전압, 상기 제1 전류 및 상기 제1 위상의 제N차 고조파들을 각각 정규화(Normalization)하고, 정규화된 상기 제1 전압, 상기 제1 전류 및 상기 제1 위상에 대한 정보를 모두 포함하는 3N개의 새로운 주성분들을 생성하며, 새로운 주성분들 중 상기 모델 웨이퍼의 식각 종료점의 검출에 가장 민감한 변화를 나타내는 제1 모델주성분 및 제2 모델주성분을 선정하며, 상기 제1 모델주성분 및 제2 모델주성분과 상기 정규화된 상기 제1 전압, 상기 제1 전류 및 상기 제1 위상의 제N차 고조파들과의 관계를 각각 나타내는 제1 로딩 벡터 및 제2 로딩 벡터를 산출하는 단계; (c) 타겟 웨이퍼의 플라즈마 식각 공정 중의 제2 전압, 제2 전류 및 제2 위상 각각의 제N차 고조파들을 기 설정된 제2 시간간격으로 측정하고, 측정시간 마다 상기 제 2 전압의 제N차 고조파들, 상기 제2 전류의 제N차 고조파들 및 상기 제2 위상의 제N차 고조파들 각각에 상기 제1 전압, 상기 제1 전류 및 상기 제1 위상 각각에 대한 상기 제1 평균 및 상기 제1 표준편차를 적용하여 상기 제2 전압, 상기 제2 전류 및 상기 제2 위상의 제N차 고조파들에 대한 각각의 정규화(Normalization)값을 추정하고, 상기 추정된 정규화값들에 상기 제1 로딩 벡터 및 상기 제2 로딩 벡터를 각각 적용하여 각 측정시간에 대한 제1 타겟주성분 및 제2 타겟주성분을 산출하는 단계; (d) 상기 제1 타겟주성분 및 상기 제2 타겟주성분으로 표현되는 좌표를 이용하여, 인접한 측정시간에 대응되는 상기 좌표간의 거리를 산출하는 단계; 및 (e) 상기 좌표간의 거리 변화가 가장 큰 지점을 상기 타켓 웨이퍼의 식각 종료점으로 판단하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 22/26(2013.01)
출원번호/일자 1020140073093 (2014.06.16)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1529827-0000 (2015.06.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.06.16)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 채희엽 대한민국 서울특별시 서초구
2 장해규 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 오성국 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0560932-93
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0181503-66
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.03.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0273428-73
4 등록결정서
Decision to grant
2015.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0354836-67
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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(a) 모델 웨이퍼에 대한 플라즈마 식각 공정 종료점까지의 공정 시간에 따른 제1 전압, 제1 전류 및 제1 위상 각각의 제N차 고조파들을 상기 식각 공정 종료점 이후, 제1 시간까지 측정하는 단계; (b) 측정된 제1 전압의 제N차 고조파들, 측정된 제1 전류의 제N차 고조파들 및 측정된 제1 위상의 제N차 고조파들을 이용하여 상기 제1 전압, 상기 제1 전류 및 상기 제1 위상의 제N차 고조파들 각각에 대한 제1 평균 및 제1 표준편차를 구하고, 상기 제1 평균 및 제1 표준편차를 이용하여 상기 제1 전압, 상기 제1 전류 및 상기 제1 위상의 제N차 고조파들을 각각 정규화(Normalization)하고, 정규화된 상기 제1 전압, 상기 제1 전류 및 상기 제1 위상에 대한 정보를 모두 포함하는 3N개의 새로운 주성분들을 생성하며, 새로운 주성분들 중 상기 모델 웨이퍼의 식각 종료점의 검출에 가장 민감한 변화를 나타내는 제1 모델주성분 및 제2 모델주성분을 선정하며, 상기 제1 모델주성분 및 제2 모델주성분과 상기 정규화된 상기 제1 전압, 상기 제1 전류 및 상기 제1 위상의 제N차 고조파들과의 관계를 각각 나타내는 제1 로딩 벡터 및 제2 로딩 벡터를 산출하는 단계; (c) 타겟 웨이퍼의 플라즈마 식각 공정 중의 제2 전압, 제2 전류 및 제2 위상 각각의 제N차 고조파들을 기 설정된 제2 시간간격으로 측정하고, 측정시간 마다 상기 제 2 전압의 제N차 고조파들, 상기 제2 전류의 제N차 고조파들 및 상기 제2 위상의 제N차 고조파들 각각에 상기 제1 전압, 상기 제1 전류 및 상기 제1 위상 각각에 대한 상기 제1 평균 및 상기 제1 표준편차를 적용하여 상기 제2 전압, 상기 제2 전류 및 상기 제2 위상의 제N차 고조파들에 대한 각각의 정규화(Normalization)값을 추정하고, 상기 추정된 정규화값들에 상기 제1 로딩 벡터 및 상기 제2 로딩 벡터를 각각 적용하여 각 측정시간에 대한 제1 타겟주성분 및 제2 타겟주성분을 산출하는 단계; (d) 상기 제1 타겟주성분 및 상기 제2 타겟주성분으로 표현되는 좌표를 이용하여, 인접한 측정시간에 대응되는 상기 좌표간의 거리를 산출하는 단계; 및 (e) 상기 좌표간의 거리 변화가 가장 큰 지점을 상기 타켓 웨이퍼의 식각 종료점으로 판단하는 단계를 포함하는 플라즈마 식각 공정의 식각 종료점 검출 방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서,상기 제1 위상은 상기 공정 시간에 따라 측정된 상기 제1 전압의 N차 고조파와 상기 제1 전류의 N차 고조파간의 위상차인 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 공정의 식각 종료점 검출 방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서,상기 제1 전압, 제1 전류 및 제1 위상 각각의 제N차 고조파는 제5차 고조파인 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 공정의 식각 종료점 검출 방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서,상기 3N개의 새로운 주성분들은 주성분분석(Principal Component Analysis, PCA)을 통하여 생성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 공정의 식각 종료점 검출 방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서,상기 3N개의 새로운 주성분들 중 상기 모델 웨이퍼의 식각 종료점의 검출에 미치는 영향이 가장 큰 주성분을 상기 제1 모델주성분으로 선정하고, 다음으로 영향이 큰 주성분을 상기 제2 모델주성분으로 선정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 공정의 식각 종료점 검출 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서,상기 제2 전압, 제2 전류 및 제2 위상 각각의 제N차 고조파는 제5차 고조파인 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 공정의 식각 종료점 검출 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서,상기 제2 위상은 상기 기 설정된 제2 시간간격으로 측정된 상기 제2 전압의 N차 고조파와 상기 제2 전류의 N차 고조파간의 위상차인 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 공정의 식각 종료점 검출 방법
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제1항에 있어서, 상기 좌표간의 거리는 유클리드 거리인 플라즈마 식각 공정의 식각 종료점 검출 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국과학기술원 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(반도체) 고밀도 플라즈마를 이용한 10nm급 반도체 및 10세대 디스플레이용 핵심원천 기술개발