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요철 구조를 지닌 코어-쉘 나노 와이어 및 이를 이용한 열전 소자

  • 기술번호 : KST2015144783
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 요철 구조를 지닌 코어-쉘 나노 와이어 및 이를 이용한 열전 소자에 대해 개시된다. 개시된 나노 와이어는 나노 와이어의 쉘 영역의 표면 처리에 의하여 요철 구조를 지니도록 하여 표면적을 증대시킨 것이며, 이를 포함하여 열전 특성을 향상시킨 열전 소자를 제공할 수 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) H01L 35/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090121409 (2009.12.08)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0064702 (2011.06.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.05.29)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이은경 대한민국 서울특별시 동대문구
2 최병룡 대한민국 서울 서초구
3 황동목 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 이상진 대한민국 경기도 안양시 동안구
5 이종운 대한민국 부산광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0758259-43
2 보정요구서
Request for Amendment		 2009.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0094644-15
3 [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서
[Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document		 2009.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-5047136-98
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0511667-50
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.01.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.03.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0014959-06
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0512813-80
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0948435-36
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.09.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0948440-65
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0151965-22
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노 와이어에 있어서, 상기 나노 와이어는 코어 영역 및 쉘 영역을 포함하며, 상기 쉘 영역에는 요철 구조가 형성된 요철 구조를 지닌 코어-쉘 나노 와이어
2 2
제 1항에 있어서, 상기 요철 구조는 쉘 영역의 표면 및 그 내부에 다수 형성된 공동 또는 상기 쉘 영역의 표면에 돌출된 돌출 영역인 요철 구조를 지닌 코어-쉘 나노 와이어
3 3
제 1항에 있어서, 상기 코어 영역 또는 상기 쉘 영역은 IV족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 반도체, 산화물 반도체, 질화물 반도체 또는 IV족과 Ⅴ족 원소 중 적어도 하나와 Ⅵ족 원소를 포함하는 요철 구조를 지닌 코어-쉘 나노 와이어
4 4
제 1항에 있어서, 상기 코어 영역은 p형 또는 n형 도펀트를 포함하는 요철 구조를 지닌 코어-쉘 나노 와이어
5 5
코어 영역 및 쉘 영역을 포함하는 나노 와이어의 제조 방법에 있어서, 상기 쉘 영역 표면에 나노 입자를 부착시키는 단계; 상기 쉘 표면을 산화시켜 상기 쉘 표면에 산화물을 형성하는 단계; 및 상기 산화물 및 상기 나노 입자를 제거하여 요철 구조를 형성하는 단계;를 포함하는 요철 구조를 지닌 코어-쉘 나노 와이어의 제조 방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 나노 입자는 상기 쉘 영역 물질보다 전기 음성도가 큰 금속 물질인 요철 구조를 지닌 코어-쉘 나노 와이어의 제조 방법
7 7
제 5항에 있어서, 상기 쉘 영역은 실리콘으로 형성된 것이며, 상기 나노 입자는 Ag, Au, Pt 또는 Cu로 형성된 요철 구조를 지닌 코어-쉘 나노 와이어의 제조 방법
8 8
제 5 항에 있어서, 상기 쉘 영역은 실리콘으로 형성된 것이며, 상기 나노 와이어는 H2O2, K2Cr2O7 또는 KMnO4 에 의해 산화시키는 요철 구조를 지닌 코어-쉘 나노 와이어의 제조 방법
9 9
제 5항에 있어서, 상기 쉘 영역 표면에 나노 입자를 부착시키는 단계는, 상기 나노 입자의 전구체와 불산계가 혼합된 수용액에 상기 나노 와이어를 담그어 상기 쉘 영역 표면에 상기 나노 입자를 형성하는 요철 구조를 지닌 코어-쉘 나노 와이어의 제조 방법
10 10
제 5항에 있어서, 상기 쉘 영역 표면에 나노 입자를 부착시키는 단계는, 상기 쉘 영역 표면의 산화막을 제거하는 단계; 상기 쉘 영역 표면에 상기 쉘 영역 물질과 화합물을 형성하는 나노 입자를 부착시키는 단계;를 포함하는 요철 구조를 지닌 코어-쉘 나노 와이어의 제조 방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 쉘 영역은 H2O 가스를 이용하는 습식 산화 또는 O2를 이용한 건식 산화 공정에 의해 섭씨 600도 내지 1100도에서 산화시키는 요철 구조를 지닌 코어-쉘 나노 와이어의 제조 방법
12 12
제 11항에 있어서, 상기 쉘 영역의 습식 산화 또는 건식 산화 공정에 의해 산화된 부분을 에칭에 의해 제거하며, 상기 나노 입자도 제거하는 요철 구조를 지닌 코어-쉘 나노 와이어의 제조 방법
13 13
제 10항에 있어서, 상기 쉘 영역은 실리콘으로 형성되며, 상기 나노 입자는 상기 쉘 영역 물질과 금속 실리사이드를 형성하는 요철 구조를 지닌 코어-쉘 나노 와이어의 제조 방법
14 14
제 5항에 있어서, 상기 코어 영역 또는 상기 쉘 영역은 IV족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 반도체, 산화물 반도체, 질화물 반도체 또는 IV족과 Ⅴ족 원소 중 적어도 하나와 Ⅵ족 원소를 포함하는 요철 구조를 지닌 코어-쉘 나노 와이어의 제조 방법
15 15
제 5항에 있어서, 상기 코어 영역은 p형 또는 n형 도펀트를 포함하는 요철 구조를 지닌 코어-쉘 나노 와이어의 제조 방법
16 16
코어 영역 및 쉘 영역을 포함하며, 상기 쉘 영역에는 요철 구조가 형성된 요철 구조를 지닌 나노 와이어를 포함하는 열전소자 또는 냉각소자
17 17
제 16항에 있어서, 상기 요철 구조는 쉘 영역의 표면 및 그 내부에 다수 형성된 공동 또는 상기 쉘 영역의 표면에 돌출된 돌출 영역인 요철 구조를 지닌 나노 와이어를 포함하는 열전소자
18 18
제 16항에 있어서, 상기 코어 영역 또는 상기 쉘 영역은 IV족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 반도체, 산화물 반도체, 질화물 반도체 또는 IV족과 Ⅴ족 원소 중 적어도 하나와 Ⅵ족 원소를 포함하는 요철 구조를 지닌 나노 와이어를 포함하는 열전소자
19 19
제 16항에 있어서, 상기 코어 영역은 p형 또는 n형 도펀트를 포함하는 요철 구조를 지닌 나노 와이어를 포함하는 열전소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20110132002 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011132002 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.