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금속 기판;
상기 금속 기판 상에 배치되며, 수직 방향으로 형성된 다수의 기공을 가지는 주형; 및
상기 주형의 기공 내에 위치하고, 상기 기판 금속과 접촉하고 있는 전도성 고분자를 포함하는 나노 복합체
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제1항에 있어서,
금속 기판은 Ni, Cu, Cr, Sn, Cd, Pb, Ag, Au, Rd, Pt, Pd, In, Ru 및 이들의 각종 합금 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노 복합체
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제1항에 있어서,
금속 기판층은 400 내지 500 nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 나노 복합체
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제1항에 있어서,
주형은 무기 주형 또는 고분자 주형인 것을 특징으로 하는 나노 복합체
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제4항에 있어서,
무기 주형은 실리카, 탄소나노튜브 또는 양극산화 알루미늄로 이루어진 그룹으로부터 선택된 단독 또는 2 종 이상인 것을 특징으로 하는 나노 복합체
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제4항에 있어서,
고분자 주형은 폴리카보네이트, 폴리디메틸실록산, 폴리우레탄, 에폭시, 폴리스타이렌, 폴리이미드, 폴리아크릴로나이트릴, 폴리메틸메타아크릴레이트, 에폭시, 및 폴리우레아의 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 고분자인 것을 특징으로 하는 나노 복합체
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제1항에 있어서,
주형의 기공 크기는 100 내지 500 nm인 것을 특징으로 하는 나노 복합체
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제1항에 있어서,
전도성 고분자는 폴리피롤, 폴리(3,4-에틸렌디오시티오펜), 폴리(p-페닐렌), 폴리(p-페닐렌 비닐렌), 폴리(티에닐렌 비닐렌), 폴리아세틸렌, 폴리아닐린, 폴리티오펜 및 폴리설퍼니트리드(poly sulfur nitride)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 나노 복합체
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수직 방향으로 형성된 다수의 기공을 가지는 주형의 일 측면에 금속 기판을 형성하는 단계;
상기 주형의 기공 내에서 전도성 고분자 중합용 단량체를 중합하는 단계를 포함하는 나노 복합체의 제조방법
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제9항에 있어서, 주형의 일 측면에 금속 기판을 형성하는 단계는
주형의 일 측면을 종자 금속(seed metal)으로 증착하는 단계; 및
상기 종자 금속 층 상에 금속을 전기도금하여 기판 금속을 제조하는 단계를 포함하는 나노 복합체의 제조방법
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제10항에 있어서,
종자 금속 또는 금속은 전기도금이 가능한 서로 동일한 금속임을 특징으로 하는 나노 복합체의 제조방법
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제11항에 있어서,
종자 금속 또는 금속은 Ni, Cu, Cr, Sn, Cd, Pb, Ag, Au, Rd, Pt, Pd, In, Ru 및 이들의 각종 합금 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노 복합체의 제조방법
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제9항에 있어서,
주형은 무기 주형 또는 고분자 주형인 것을 특징으로 하는 나노 복합체의 제조방법
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제13항에 있어서,
무기 주형은 실리카, 탄소나노튜브, 또는 양극산화 알루미늄로 이루어진 그룹으로부터 선택된 단독 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 나노 복합체의 제조방법
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제13항에 있어서,
고분자 주형은 폴리카보네이트, 폴리디메틸실록산, 폴리우레탄, 에폭시, 폴리스타이렌, 폴리이미드, 폴리아크릴로나이트릴, 폴리메틸메타아크릴레이트, 에폭시, 및 폴리우레아의 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 고분자인 것을 특징으로 하는 나노 복합체의 제조방법
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제5항에 있어서,
전도성 고분자 중합용 단량체가 피롤, 3,4-에틸렌디오시티오펜, p-페닐렌, p-페닐렌 비닐렌, 티에닐렌 비닐렌, 아세틸렌, 아닐린, 티오펜 및 설퍼니트리드로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 나노 복합체의 제조방법
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제5항에 있어서,
전기화학적 중합은 1 내지 2 V의 전압에서 10 내지 400초 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 나노 복합체의 제조방법
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제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 나노 복합체;
전해질; 및
상기 나노 복합체의 금속 기판과 전기적으로 연결되고 상기 전해질 내에 위치하는 상대전극을 포함하는 전기 활성 구동기
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제18항에 있어서,
전해질은 알칼리금속, 이미다졸륨, 피리디늄 및 4급 암모늄으로부터 구성된 양이온과, 클로로, 테트라플루오로보레이트, 헥사플루오로포스페이트, 트리플루오로메틸 설포닐 이미드로부터 구성된 음이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 활성 구동기
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