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고주파용적층형트랜스포머

  • 기술번호 : KST2015144881
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이 발명의 고주파용 적층형 트랜스포머에서, 다수의 제1 세라믹 시트에는 도전성 페이스트가 충진된 비어홀이 각각 형성되어 있고, 이 비어홀을 통하여 연결되어 제1 인덕터를 형성하는 제1 코일 패턴이 각각 형성되어 있다. 그리고, 제2 세라믹 시트에는 제1 세라믹 시트의 제1 코일 패턴과 연결되는 제1 캐패시터 패턴이 형성되어 있고, 제3 세라믹 시트에는 제2 캐패시터 패턴이 형성되어 있으며, 제2 및 제3 세라믹 시트는 서로 일정 간격을 두고 형성되어 제1 캐패시터를 형성한다. 다수의 제4 세라믹 시트에는 비어홀이 각각 형성되어 있고, 이 비어홀을 통하여 제2 인덕터를 형성하는 제2 코일 패턴이 각각 형성되어 있으며, 상기 제2 코일 패턴은 상기 제3 세라믹 시트의 제2 캐패시터 패턴과 연결된다. 그리고, 제5 세라믹 시트에는 제2 코일 패턴과 연결되는 제3 캐패시터 패턴이 형성되어 있고, 제6 세라믹 시트에는 제4 캐패시터 패턴이 형성되어 있으며, 제5 및 제6 세라믹 시트는 서로 일정 간격을 두고 형성되어 제2 캐패시터를 형성한다. 이러한 적층형 트랜스포머는 캐패시터를 사용함에 따라, 저용량의 인덕터를 사용하여도 높은 임피던스 변환율을 얻을 수 있으며, 소형으로 제조가 가능하고, 제조 공정이 간단하다. 트랜스포머,인덕터,캐패시터
Int. CL H01F 17/00 (2006.01)
CPC H01F 27/2804(2013.01) H01F 27/2804(2013.01) H01F 27/2804(2013.01) H01F 27/2804(2013.01)
출원번호/일자 1019990007417 (1999.03.06)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0288964-0000 (2001.02.13)
공개번호/일자 10-2000-0059649 (2000.10.05) 문서열기
공고번호/일자 (20010416) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.03.06)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박인식 대한민국 경기도용인시기흥읍구
2 임욱 대한민국 경기도평택시송탄지역
3 유찬세 대한민국 서울특별시중구
4 강남기 대한민국 서울특별시서초구
5 안달 대한민국 충청남도천안시
6 박준석 대한민국 충청남도천안시
7 고현종 대한민국 경기도성남시분당구
8 김상철 대한민국 경기도의왕시
9 류대원 대한민국 서울특별시서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송만호 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
2 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 평택시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application
1999.03.06 수리 (Accepted) 1-1-1999-0018454-24
2 등록사정서
Decision to grant
2001.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0018259-46
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1

도전성 페이스트가 충진된 비어홀이 각각 형성되어 있고, 상기 비어홀을 통하여 연결되어 제1 인덕터를 형성하는 제1 코일 패턴이 각각 형성되어 있는 다수의 제1 세라믹 시트;

상기 제1 세라믹 시트의 제1 코일 패턴과 연결되는 제1 캐패시터 패턴과 제2 캐패시터 패턴이 각각 형성되어 있으며, 서로 일정 간격을 두고 위치하여 제1 캐패시터를 형성하는 제2 및 제3 세라믹 시트;

도전성 페이스트가 충진된 비어홀이 각각 형성되어 있고, 상기 비어홀을 통하여 제2 인덕터를 형성하는 제2 코일 패턴이 각각 형성되어 있으며, 상기 제2 코일 패턴은 상기 제3 세라믹 시트의 제2 캐패시터 패턴과 연결되는 다수의 제4 세라믹 시트; 및

상기 제4 세라믹 시트의 제2 코일 패턴과 연결되는 제3 캐패시터 패턴 및 제4 캐패시터 패턴이 각각 형성되어 있으며, 서로 일정 간격을 두고 위치하여 제2 캐패시터를 형성하는 제5 및 제6 세라믹 시트

를 포함하는 고주파용 적층형 트랜스포머

2 2

제1항에 있어서,

상기 제2 세라믹 시트에는 상기 제1 캐패시터 패턴과 연결되는 제1 출력 단자 패턴이 형성되어 있으며,

상기 제4 세라믹 시트중의 하나에는 상기 제1 캐패시터 패턴 및 제2 코일 패턴과 연결되는 입력 단자 패턴이 형성되어 있으며,

상기 제5 세라믹 시트에는 제3 캐패시터 패턴과 연결되는 제2 출력 단자 패턴이 형성되어 있는 고주파용 적층형 트랜스포머

3 3

제1항에 있어서,

캐패시터 패턴이 각각 형성되어 있는 적어도 2개 이상의 세라믹 시트를 더 포함하고,

상기 세라믹 시트는 두 개씩 서로 일정 간격을 두고 위치하여 하나의 캐패시터를 각각 형성하고, 상기 캐패시터는 상기 제1 캐패시터 또는 제2 캐패시터와 병렬로 연결되는 고주파용 적층형 트랜스포머

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.